【LG的Semicon有限公司。GM71V65803AGM71VS65803AL8,388,608字×】,IC型号GM71V65803AJ-5,GM71V65803AJ-5 PDF资料,GM71V65803AJ-5经销商,ic,电子元器件-51电子网

LG的Semicon有限公司。

GM71V65803A

GM71VS65803AL

8,388,608字× 8位

CMOS动态RAM

描述

该GM71V （ S） 65803A / AL是新一代

动态RAM举办8,388,608字由8位。

该GM71V （ S） 65803A / AL采用先进的CMOS

硅栅工艺技术，以及

先进的电路技术，为广泛的工作

空间，在内部和向系统用户。

体系化的特点包括：单电源供电

3.3V +/- 10 ％容差的，直接连接

高性能逻辑系列这样的能力

肖特基TTL 。

该GM71V （ S） 65803A / AL提供了扩展数据

输出（EDO ）方式作为高速存取模式。

引脚配置

32 SOJ / TSOP II

VCC

IO0

IO1

IO2

IO3

NC

VCC

/ WE

/ RAS

A0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

VSS

IO7

IO6

IO5

IO4

VSS

/ CAS

/ OE

NC

A11

A10

A9

A8

A7

A6

VSS

特点

* 8,388,608字× 8位

*扩展数据输出（ EDO ）模式功能

*快速存取时间及放大器;周期

（单位：纳秒）

A1

A2

A3

A4

A5

VCC

t

RAC

GM71V(S)65803A/AL-5

GM71V(S)65803A/AL-6

50

60

t

AA

25

30

t

CAC

13

15

t

RC

84

104

t

HPC

20

25

*功耗

- 活动： 702mW / 630mW （ MAX）

- 待机： 1.8毫瓦（ CMOS电平： MAX ）

0.54mW （L -版本： MAX ）

* EDO页面模式功能

*访问时间：为50ns / 60ns的（最大）

*更新周期

- RAS只刷新

4096次/ 64

§

(GM71V65803A)

4096次/ 128

§

(GM71VS65803AL)(L_Version)

* CBR &隐藏刷新

4096次/ 64

§

(GM71V65803A)

4096次/ 128

§

（ GM71VS65803AL ）（L-版）

*刷新4变化

-RAS只刷新

-CAS先于RAS刷新

-hidden刷新

- 自刷新（ L-版）

*单电源的3.3V ±10％，与内置VBB发生器

*电池备份操作（ L-版）

（ TOP VIEW ）

1

LG的Semicon

引脚说明

针

A0-A11

RAS

CAS

OE

功能

地址输入

刷新地址输入

行地址选通

列地址选通

OUTPUT ENABLE

针

WE

I / O0 - I / O7

V

CC

V

SS

NC

GM71V(S)65803A/AL

功能

写使能

数据输入/输出

电源（ + 3.3V ）

地

无连接

订购信息

型号

GM71V(S)65803A/ALJ-5

GM71V(S)65803A/ALJ-6

GM71V(S)65803A/ALT-5

GM71V(S)65803A/ALT-6

存取时间

50

§

60

§

50

§

60

§

包

400万

32Pin

塑料SOJ

400万

32Pin

塑料TSOP II

绝对最大额定值*

符号

T

英镑

V

T

V

CC

I

OUT

P

T

参数

存储温度（塑料）

任何引脚相对于V电压

SS

在V电压

CC

相对于V

SS

短路输出电流

功耗

等级

-55至125

-0.5到V

CC

+ 0.5

（ MAX ; 4.6V ）

-0.5到4.6

50

1.0

单位

C

V

mA

W

*注：操作达到或超过绝对最大额定值可以器件的可靠性产生不利影响。

建议的直流工作条件

(T

A

= 0 ~ 70C)

符号

V

CC

V

SS

V

IH

V

IL

T

A

参数

电源电压

输入高电压

输入低电压

在偏置环境温度

民

3.0

0

2.0

-0.3

0

典型值

3.3

0

-

最大

3.6

0

Vcc+0.3

0.8

70

单位

V

C

笔记

1,2

2

1

2

LG的Semicon

GM71V(S)65803A/AL

直流电气特性：

(V

CC

= 3.3V +/- 10％，T

A

= 0 ~ 70C)

符号

V

OH

V

OL

I

CC1

参数

输出电平

输出电平电压（I

OUT

= -2mA ）

输出电平

输出电平电压（I

OUT

= 2毫安）

工作电流（

t

RC

=

t

RC

分）

50ns

60ns

I

CC2

待机电流（ TTL接口）

电源的待机电流

（ RAS ， CAS = V

IH

, D

OUT

=高阻）

RAS仅刷新当前

( t

RC

= t

RC

分）

扩展数据输出页面模式电流

（ RAS = V

IL

中国科学院，地址单车：吨

HPC

= t

HPC

分）

CMOS接口

（ RAS ， CAS ＆ GT ; = V

CC

-0.2V ，D

OUT

=高阻）

待机电流（ L_Version ）

I

CC6

CAS先于RAS的刷新电流

(t

RC

= t

RC

分）

50ns

60ns

50ns

60ns

50ns

60ns

民

2.4

0

-

最大

V

CC

0.4

195

175

2

195

175

110

mA

100

0.5

mA

1,3

mA

2

mA

单位

V

mA

1,2

记

I

CC3

I

CC4

I

CC5

-

300

160

140

500

uA

mA

uA

4

I

CC7

I

CC8

备用电池工作电流（待机与CBR ）

(tRC=31.25us,tRAS=300ns,Dout=High-Z)

待机电流（ CMOS ）

电源的待机电流

RAS = V

IH

， CAS = V

IL

,

D

OUT

=启用

自刷新电流

（ RAS ， CAS < = 0.2V ，状态DOUT =高阻）

输入漏电流，任何输入

(0V<=V

IN

< = VCC）

输出漏电流

(D

OUT

为残疾人， 0V< = V

OUT

< = VCC）

4, 5

-

5

mA

1

I

CC9

I

I（L）

I

O（ L）

-

-5

400

5

uA

5

注：1。我

CC

依赖于输出负载条件下，当被选择的设备。我

CC（ MAX）的

在被指定

输出开路状态。

2.地址可以一次或更少的改变，而RAS = V

IL

.

3.测量每个EDO周期一个连续的地址变更，T

HPC

.

4. V

IH

＆ GT ; = V

CC

-0.2V ， 0V< = V

IL

<=0.2V

5. L-版本

3

LG的Semicon

电容

(V

CC

= 3.3V +/- 10％，T

A

= 25C)

符号

C

I1

C

I2

C

I / O

参数

输入电容（地址）

输入电容（时钟）

输出电容（输入数据，数据输出）

典型值

-

GM71V(S)65803A/AL

最大

5

7

单位

§

记

1

1, 2

注： 1，电容用Boonton的仪表或有效电容测量方法测量。

2. RAS ， CAS = V

IH

禁用

OUT

.

AC特性

(V

CC

= 3.3V +/- 10％，T

A

= 0 70℃ ，注意事项1， 2,19 ）

测试条件

输入上升和下降时间： 2ns的

输出时序参考水平： V

OL

/V

OH

= 0.8/2.0V

输入电平： V

IL

/V

IH

= 0.0/3.0V

输出负载： 1 TTL门+ C

L

(100pF)

输入时序参考水平： V

IL

/V

IH

= 0.8/2.0V

（包括范围和夹具）

读，写，读 - 修改 - 写和更新周期

（公用参数）

符号

参数

随机读或写周期时间

RAS预充电时间

CAS预充电时间

RAS脉冲宽度

CAS脉冲宽度

行地址建立时间

行地址保持时间

列地址建立时间

列地址保持时间

RAS到CAS的延迟时间

RAS到列地址的延迟时间

RAS保持时间

CAS保持时间

CAS到RAS预充电时间

OE到D

IN

延迟时间

从D- OE延迟时间

IN

从D- CAS延迟时间

IN

TransitionTime （上升和下降）

刷新周期

刷新周期（ L-版）

GM71V （S） - 65803A / AL- 5 GM71V （S） - 65803A / AL- 6

民

最大

-

10000

-

37

25

-

50

64

128

民

104

40

10

60

10

0

10

0

10

14

12

17

40

5

15

0

2

-

单位

笔记

最大

-

10000

-

45

30

-

50

64

128

§

5

6

7

4096

周期

4096

周期

t

RC

t

RP

t

CP

t

RAS

t

CAS

t

ASR

t

RAH

t

ASC

t

CAH

t

RCD

t

拉德

t

RSH

t

CSH

t

CRP

t

ODD

t

DZO

t

DZC

t

T

t

REF

84

30

8

50

8

0

8

0

8

12

10

13

35

5

13

0

2

-

3

4

LG的Semicon

读周期

符号

GM71V(S)65803A/AL

参数

从RAS访问时间

从CAS访问时间

从列地址访问时间

从OE访问时间

读命令设置时间

读命令保持时间CAS

读命令保持时间RAS

列地址到RAS交货时间

列地址到CAS交货期

输出缓冲关断延迟时间CAS

输出缓冲关断延迟时间从OE

CAS到D

IN

延迟时间

RAS到D

IN

延迟时间

我们到D

IN

延迟时间

输出缓冲关断延迟时间从RAS

输出缓冲关断延迟时间从WE

输出数据保持时间

输出数据保持时间从RAS

读命令保持时间从RAS

输出数据保持时间从OE

CAS到输出低 - z

GM71V （S） - 65803A / AL- 5 GM71V （S） - 65803A / AL- 6

单位

笔记

民

最大

50

13

25

13

-

13

-

13

-

民

-

0

30

18

-

15

-

3

60

3

0

最大

60

15

30

15

-

15

-

15

-

§

t

RAC

t

CAC

t

AA

t

OAC

t

RCS

t

RCH

t

RRH

t

拉尔

t

CAL

t

关闭

t

OEZ

t

CDD

t

RDD

t

WDD

t

OFR

t

WEZ

t

OH

t

高级代表办事处

t

RCHR

t

OHO

t

CLZ

-

0

25

15

-

13

-

3

50

3

0

8,9

9,10,17

9,11,17

9

12

13,21

13

5

13,21

13

21

5