LG的Semicon有限公司。
GM71V65163A
GM71VS65163AL
4196304字× 16位
CMOS动态RAM
描述
该GM71V （ S） 65163A / AL是新一代
动态RAM举办4196304字16
位。该GM71V （ S） 65163A / AL采用了先进的
CMOS硅栅工艺技术，以及
先进的电路技术，为广泛的工作
空间，在内部和向系统用户。
体系化的特点包括：单电源供电
3.3V +/- 10 ％容差的，直接连接
高性能逻辑系列这样的能力
肖特基TTL 。
该GM71V （ S） 65163A / AL提供了扩展数据
输出（EDO ）方式作为高速存取模式。
引脚配置
50 SOJ / TSOP
±
VCC
IO0
IO1
IO2
IO3
VCC
IO4
IO5
IO6
IO7
NC
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
VSS
IO15
IO14
IO13
IO12
VSS
IO11
IO10
IO9
IO8
NC
VSS
/ LCAS
特点
* 4196304字× 16位
*扩展数据输出（ EDO ）模式功能
*快速存取时间及放大器;周期
（单位：纳秒）
/ WE
/ RAS
NC
NC
NC
NC
A0
A1
37 / UCAS
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
/ OE
NC
NC
NC
A11
A10
A9
A8
A7
A6
VSS
t
RAC
GM71V(S)65163A/AL-5
GM71V(S)65163A/AL-6
50
60
t
AA
25
30
t
CAC
13
15
t
RC
90
110
t
HPC
20
25
A2
A3
A4
A5
VCC
*功耗
- 活动： 720MW / 648mW （ MAX）
- 待机： 1.8毫瓦（ CMOS电平： MAX ）
0.54mW （L -版本： MAX ）
* EDO页面模式功能
*访问时间：为50ns / 60ns的（最大）
*更新周期
- RAS只刷新
4096次/ 64
§
(GM71V65163A)
4096次/ 128
§
(GM71VS65163AL)(L_Version)
* CBR &隐藏刷新
4096次/ 64
§
(GM71V65163A)
4096次/ 128
§
（ GM71VS65163AL ） （L-版）
*刷新4变化
-RAS只刷新
-CAS先于RAS刷新
-hidden刷新
- 自刷新（ L-版）
*单电源的3.3V ±10％，与内置VBB发生器
*电池备份操作（ L-版）
（ TOP VIEW ）
1
LG的Semicon
引脚说明
针
A0-A11
A0-A11
RAS
UCAS ， LCAS
OE
功能
地址输入
刷新地址输入
行地址选通
列地址选通
OUTPUT ENABLE
针
WE
I / O0 - I / O15
V
CC
V
SS
NC
GM71V65163A
GM71VS65163AL
功能
写使能
数据输入/输出
电源（ + 3.3V ）
地
无连接
订购信息
型号
GM71V(S)65163A/ALJ-5
GM71V(S)65163A/ALJ-6
GM71V(S)65163A/ALT-5
GM71V(S)65163A/ALT-6
存取时间
50
§
60
§
50
§
60
§
包
400万
50针
塑料SOJ
400万
50针
塑料TSOP II
绝对最大额定值*
符号
T
英镑
V
T
V
CC
I
OUT
P
T
参数
存储温度（塑料）
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
相对于V
SS
短路输出电流
功耗
等级
-55至125
-0.5到V
CC
+ 0.5
（ MAX ; 4.6V ）
-0.5到4.6
50
1.0
单位
C
V
V
mA
W
*注：操作达到或超过绝对最大额定值可以器件的可靠性产生不利影响。
建议的直流工作条件
(T
A
= 0 ~ 70C)
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
T
A
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
在偏置环境温度
民
3.0
0
2.0
-0.3
0
典型值
3.3
0
-
-
-
最大
3.6
0
Vcc+0.3
0.8
70
单位
V
V
V
V
C
笔记
1,2
2
1
1
2
LG的Semicon
符号
V
OH
V
OL
I
CC1
参数
输出电平
输出电平电压（I
OUT
= -2mA ）
输出电平
输出电平电压（I
OUT
= 2毫安）
工作电流（
t
RC
=
t
RC
分）
50ns
60ns
I
CC2
待机电流（ TTL接口）
电源的待机电流
（ RAS ， UCAS ， LCAS = V
IH
, D
OUT
=高阻）
RAS仅刷新当前
( t
RC
= t
RC
分）
扩展数据输出页面模式电流
（ RAS = V
IL
中国科学院，地址单车：吨
HPC
= t
HPC
分）
CMOS接口
（ RAS ， UCAS ， LCAS> = V
CC
-0.2V ，D
OUT
=高
Z)
待机电流（ L_Version ）
CAS先于RAS的刷新电流
(t
RC
= t
RC
分）
50ns
60ns
50ns
60ns
50ns
60ns
GM71V65163A
GM71VS65163AL
民
2.4
0
-
-
-
最大
V
CC
0.4
200
180
2
mA
单位
V
V
mA
1,2
记
直流电气特性：
(V
CC
= 3.3V +/- 10％ ，T
A
= 0 ~ 70C)
I
CC3
-
-
-
-
-
200
180
120
mA
110
0.5
mA
1,3
mA
2
I
CC4
I
CC5
-
-
-
-
300
160
140
500
uA
mA
uA
4
I
CC6
I
CC7
I
CC8
备用电池工作电流（待机与CBR ）
(tRC=31.25us,,tRAS=300ns,Dout=High-Z)
待机电流（ CMOS ）
电源的待机电流
RAS = V
IH
， UCAS ， LCAS = V
IL
,
D
OUT
=启用
自刷新电流
（ RAS ， UCAS ， LCAS < = 0.2V ，状态DOUT =高阻）
输入漏电流，任何输入
(0V<=V
IN
< = VCC）
输出漏电流
(D
OUT
为残疾人， 0V< = V
OUT
< = VCC）
4, 5
-
5
mA
1
5
I
CC9
I
I（L）
I
O（ L）
-
-5
-5
400
5
5
uA
uA
uA
注：1。我
CC
依赖于输出负载条件下，当被选择的设备。我
CC（ MAX）的
在被指定
输出开路状态。
2.地址可以一次或更少的改变，而RAS = V
IL
.
3.测量每个EDO周期一个连续的地址变更，T
HPC
.
4. V
IH
＆ GT ; = V
CC
-0.2V ， 0V< = V
IL
<=0.2V
5. L-版本
3
LG的Semicon
电容
(V
CC
= 3.3V +/- 10％ ，T
A
= 25C)
符号
C
I1
C
I2
C
I / O
参数
输入电容（地址）
输入电容（时钟）
输出电容（输入数据，数据输出）
典型值
-
-
-
GM71V65163A
GM71VS65163AL
最大
5
7
7
单位
§
§
§
记
1
1
1, 2
注： 1，电容用Boonton的仪表或有效电容测量方法测量。
2. RAS ， UCAS和LCAS = V
IH
禁用
OUT
.
AC特性
(V
CC
= 3.3V +/- 10％ ，T
A
= 0 70℃ ，说明1,2,19,20 ）
测试条件
输入上升和下降时间： 2ns的
输出时序参考水平： V
OL
/V
OH
= 0.8/2.0V
输入电平： V
IL
/V
IH
= 0.0/3.0V
输出负载： 1 TTL门+ C
L
(100pF)
输入时序参考水平： V
IL
/V
IH
= 0.8/2.0V
（包括范围和夹具）
读，写，读 - 修改 - 写和更新周期
（公用参数）
符号
参数
随机读或写周期时间
RAS预充电时间
CAS预充电时间
RAS脉冲宽度
CAS脉冲宽度
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址建立时间
列地址保持时间
RAS到CAS的延迟时间
RAS到列地址的延迟时间
RAS保持时间
CAS保持时间
CAS到RAS预充电时间
OE到D
IN
延迟时间
从D- OE延迟时间
IN
从D- CAS延迟时间
IN
TransitionTime （上升和下降）
刷新周期
刷新周期（ L-版）
GM71V （S） - 65163A / AL- 5 GM71V （S） - 65163A / AL- 6
民
最大
-
-
-
10000
10000
-
-
-
-
37
25
-
-
-
-
-
-
50
64
128
民
104
40
10
60
10
0
10
0
10
14
12
17
40
5
15
0
0
2
-
-
单位
笔记
最大
-
-
-
10000
10000
-
-
-
-
45
30
-
-
-
-
-
-
50
64
128
§
§
§
§
§
§
§
§
§
§
§
§
§
§
§
§
§
§
§
§
22
5
6
6
7
4096
周期
4096
周期
t
RC
t
RP
t
CP
t
RAS
t
CAS
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
RCD
t
拉德
t
RSH
t
CSH
t
CRP
t
ODD
t
DZO
t
DZC
t
T
t
REF
84
30
8
50
8
0
8
0
8
12
10
13
35
5
13
0
0
2
-
-
24
21
21
3
4
4
LG的Semicon
读周期
GM71V65163A
GM71VS65163AL
GM71V （S） - 65163A / AL- 5 GM71V （S） - 65163A / AL- 6
符号
参数
民
最大
50
13
25
13
-
-
-
-
-
13
13
-
-
-
13
13
-
-
-
-
-
单位
笔记
民
-
-
-
-
0
0
0
30
18
-
-
15
15
15
-
-
3
3
60
3
0
最大
60
15
30
15
-
-
-
-
-
15
15
-
-
-
15
15
-
-
-
-
-
§
§
§
§
§
§
§
§
§
§
§
§
§
§
§
§
§
§
§
§
§
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
OAC
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
拉尔
t
CAL
t
关闭
t
OEZ
t
CDD
t
RDD
t
WDD
t
OFR
t
WEZ
t
OH
t
高级代表办事处
t
RCHR
t
OHO
t
CLZ
从RAS访问时间
从CAS访问时间
从列地址访问时间
从OE访问时间
读命令设置时间
读命令保持时间CAS
读命令保持时间RAS
列地址到RAS交货时间
列地址到CAS交货期
输出缓冲关断延迟时间CAS
输出缓冲关断延迟时间从OE
CAS到D
IN
延迟时间
RAS到D
IN
延迟时间
我们到D
IN
延迟时间
输出缓冲关断延迟时间从RAS
输出缓冲关断延迟时间从WE
输出数据保持时间
输出数据保持时间从RAS
读命令保持时间从RAS
输出数据保持时间从OE
CAS到输出低 - z
-
-
-
-
0
0
0
25
15
-
-
13
13
13
-
-
3
3
50
3
0
8,9
9,10,17
9,11,17
9
21
12,22
12
13,26
13
5
13,26
13
26
26
5
QQ：2881677436 复制
