GM71V18163CJ-6E
1,048,576字× 16位
EDO DRAM -ET部分
描述
该GM71V18163CJ -6E是新
代动态RAM举办
1,048,576 ×16位。 GM71V18163CJ -6E有
实现更高密度，更高的性能
及各种功能通过利用先进
CMOS工艺技术。该
GM71V18163CJ - 6E提供了扩展数据
输出（EDO ）模式作为一种高速接入
模式。复用地址输入允许
GM71V18163CJ - 6E在打包
标准的400万42pin塑料SOJ 。该
封装尺寸提供高系统位
密度，并且与广泛兼容
可自动检测和插入
设备。
特点
* 1,048,576字× 16位组织
*扩展数据输出模式功能
*单电源供电（ 3.3V +/- 0.3V ）
*快速存取时间及放大器;周期
（单位：纳秒）
t
RAC
t
CAC
t
RC
GM71V18163CJ-6E
60
15
104
t
HPC
25
*低功耗
主动： 612分之684 / 540mW （ MAX）
待机： 7.2MW （ CMOS电平： MAX ）
0.83mW （L -版本： MAX ）
* / RAS只刷新， / CAS前/ RAS刷新，
隐藏刷新功能
*所有的输入和输出TTL兼容
* 1024刷新周期/ 16ms的
* 2 CAS字节控制
引脚配置
（ TOP VIEW ）
V
CC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
CC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
/ WE
/ RAS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
42 SOJ
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
V
SS
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
V
SS
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
/ LCAS
/ UCAS
/ OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
修订版0.1 / Apr'01
GM71V18163CJ-6E
引脚说明
针
A0-A9
A0-A9
I/O0-I/O15
/ RAS
/ UCAS ， / LCAS
功能
地址输入
刷新地址输入
数据输入/输出
行地址选通
列地址选通
针
/ WE
/ OE
V
CC
V
SS
NC
功能
读/写使能
OUTPUT ENABLE
电源（ + 3.3V ）
地
无连接
订购信息
型号
GM71V18163CJ -6E
存取时间
60ns
包
400万
42针
塑料SOJ
绝对最大额定值*
符号
T
A
T
英镑
V
IN / OUT
V
CC
I
OUT
P
D
参数
在偏置环境温度
储存温度
任何引脚相对于V电压
SS
电源电压相对于V
SS
短路输出电流
功耗
等级
-30 ~ 85
-55 ~ 125
-0.5 VCC + 0.5
(<=4.6V(MAX))
-0.5 ~ 4.6
50
1.0
单位
C
C
V
V
mA
W
注：操作达到或超过绝对最大额定值可以器件的可靠性产生不利影响。
修订版0.1 / Apr'01
GM71V18163CJ-6E
建议的直流工作条件
符号
V
CC
V
IH
V
IL
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
（ TA = -30 85℃ ）
民
3.0
2.0
-0.3
典型值
3.3
-
-
最大
3.6
V
CC
+ 0.3
0.8
单位
V
V
V
注意：称为Vss的全部电压。
与所有的VCC管脚的电源电压必须在相同的水平。电源电压
所有VSS引脚必须在同一水平上。
真值表
/ RAS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H到L
H到L
H到L
L
L
/ LCAS / UCAS
D
L
H
L
L
H
L
L
H
L
L
H
L
H
L
L
H
L
D
H
L
L
H
L
L
H
L
L
H
L
L
L
H
L
H
L
/ WE
D
H
H
H
L
L
L
L
L
L
H到L
H到L
H到L
D
D
D
D
H
/ OE
D
L
L
L
D
D
D
H
H
H
的LtoH
的LtoH
的LtoH
D
D
D
D
H
产量
开放
有效
有效
有效
开放
开放
开放
未定义
未定义
未定义
有效
有效
有效
开放
开放
开放
开放
开放
手术
待机
低字节
高字节
字
低字节
高字节
字
低字节
高字节
字
低字节
高字节
字
字
字
字
字
CBR刷新
or
自刷新
（ L系列）
/ RAS-只
刷新周期
读 - 修改
-write周期
延迟写入
周期
早期写周期
读周期
笔记
1,3
1,3
1,2,3
1,2,3
1,3
1,3
1,3
1,3
读周期
（禁止输出）
注意事项： 1， H：高（无效） L：低（有效） D： H或L
2.
t
WCS
> =为0ns早期的写周期
t
WCS
< =为0ns延迟写入周期
3.模式是由/ UCAS和/ LCAS的OR函数来确定。 （模式由最早的设定
/ UCAS和/ LCAS有效边沿和最新的/ UCAS和/ LCAS无效边沿复位。 ）不过
写操作和输出高阻控制独立由各/ UCAS ， / LCAS实现。
EX ）如果/ RAS = H至L， / UCAS = H ， / LCAS = L，则/ CAS先接后/ RAS的刷新周期被选中。
修订版0.1 / Apr'01
GM71V18163CJ-6E
DC电气特性
符号
V
OH
V
OL
I
CC1
（ VCC = 3.3V +/- 0.3V ， VSS = 0V ， TA = -30 85℃ ）
参数
输出电平
输出"H"电平电压（I
OUT
= -2mA
)
输出电平
输出"L"电平电压（I
OUT
=
2
毫安）
工作电流
平均供电工作电流
（ / RAS ， / UCAS或/ LCAS自行车
:
t
RC
=
t
RC
分）
待机电流（ TTL ）
电源的待机电流
（ / RAS ， / UCAS ， / LCAS = V
IH
,
D
OUT
=
高-Z ）
RAS只刷新当前
平均供电电流
RAS仅刷新模式
(t
RC
= t
RC
分）
EDO页面模式电流
平均供电电流
EDO页模式
(t
HPC
= t
HPC
分）
待机电流（ CMOS ）
电源的待机电流
（ / RAS ， / UCAS或/ LCAS > = V
CC
- 0.2V ，D
OUT
=高阻）
/ CAS先接后/ RAS刷新当前
(t
RC
= t
RC
分）
60ns
60ns
民
2.4
0
最大
V
CC
0.4
单位
V
V
记
60ns
-
170
mA
1, 2
I
CC2
-
2
mA
I
CC3
-
170
mA
2
I
CC4
60ns
-
165
mA
1, 3
I
CC5
-
-
1
150
mA
uA
5
I
CC6
-
170
mA
I
CC7
备用电池工作电流（待机与CBR参考。 ）
（ CBR刷新，T
RC
=125us
,
t
RAS
＆ LT ;?
0.3
我们，
D
OUT
=
高-Z ， CMOS接口）
待机电流/ RAS = V
IH
/U
CAS ， / LCAS = V
IL
D
OUT
=
启用
自刷新模式电流
（ / RAS ， / UCAS或/LCAS<=0.2V
,
D
OUT
=
高-Z ）
输入漏电流
任何输入（ 0V
＆ LT ;?
V
IN
＆ LT ;?
4.6V)
输出漏电流
(D
OUT
为残疾人， 0V
＆ LT ;?
V
OUT
< = 4 。
6V)
-
400
uA
4,5
I
CC8
I
CC9
I
L（ I）的
I
L（ O）
-
-
-10
-10
5
250
10
10
mA
uA
uA
uA
1
5
注：1。我
CC
依赖于输出负载条件下，当被选择的设备。
I
CC
（最大）被指定在输出开状态。
2.地址可以一次或更少的改变，而/ RAS = V
IL
.
3.地址可以一次或更少的改变，而/ LCAS和/ UCAS = V
IH
.
4 / UCAS = L （ < = 0.2）和/ LCAS = L （ < = 0.2 ），而/ RAS = L （ < = 0.2） 。
修订版0.1 / Apr'01
GM71V18163CJ-6E
电容
符号
C
I1
C
I2
C
I / O
（ VCC = 3.3V +/- 0.3V ， TA = 25℃）
参数
输入电容（地址）
输入电容（时钟）
输出电容（数据输入/输出）
民
-
-
-
最大
5
7
7
单位
pF
pF
pF
记
1
1
1, 2
注： 1，电容用Boonton的仪表或有效电容测量方法测量。
2 / UCAS和/ LCAS = V
IH
禁用
OUT
.
AC特性
测试条件
（ VCC = 3.3V +/- 0.3V ， TA = -30 + 85℃ ，注意事项1， 2 ， 18 ， 19 ， 20 ）
输入上升和下降时间： 2纳秒
输入电平： V
IL
= 0V, V
IH
= 3V
输入时序参考电平： 0.8V ， 2.0V
输出时序参考电平： 0.8V ， 2.0V
输出负载： 1TTL门+ C
L
（ 100 pF的）
（包括范围和夹具）
读，写，读 - 修改 - 写和更新周期
（公用参数）
GM71V18163CJ-6E
符号
参数
民
最大
-
-
-
10,000
10,000
单位
104
40
10
60
10
0
10
0
10
14
12
13
40
5
15
0
0
2
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
记
t
RC
t
RP
t
CP
t
RAS
t
CAS
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
RCD
t
拉德
t
RSH
t
CSH
t
CRP
t
ODD
t
DZO
t
DZC
t
T
随机读或写周期时间
/ RAS预充电时间
/ CAS预充电时间
/ RAS脉冲宽度
/ CAS脉冲宽度
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址建立时间
列地址保持时间
/ RAS到/ CAS的延迟时间
/ RAS到列地址的延迟时间
/ RAS保持时间
/ CAS保持时间
/ CAS到/ RAS预充电时间
/ OE到D
IN
延迟时间
/ OE延迟从D-时间
IN
/ CAS延迟从D-时间
IN
转换时间（上升和下降）
-
-
-
-
45
30
-
-
-
-
-
-
50
21
21
3
4
23
22
5
6
6
7
修订版0.1 / Apr'01
QQ：2880707522 复制
