1,048,576字× 16位
CMOS动态RAM
GM71V16163C
GM71VS16163CL
描述
该GM71V （S） - 16163C / CL是新一代
动态RAM举办1,048,576 ×16位。
GM71V （S） - 16163C / CL实现了更高的密度，
更高的性能和各种功能，利用
先进的CMOS工艺技术。该
GM71V （S ） 16163C / CL提供了扩展数据
输出（EDO ）方式作为高速存取模式。
Multplexed地址输入允许
GM71V （S） - 16163C / CL在标准包装
400万42pin塑料SOJ和标准400mil
44 （ 50 ）引脚塑料TSOP II 。封装尺寸提供
系统的高密度位，并与兼容
广泛使用的自动化测试和插入
设备。
特点
* 1,048,576字× 16位组织
*扩展数据输出模式功能
*单电源供电（ 3.3V +/- 0.3V ）
*快速存取时间及放大器;周期
（单位：纳秒）
t
RAC
t
CAC
t
RC
GM71V(S)16163C/CL-5
GM71V(S)16163C/CL-6
GM71V(S)16163C/CL-7
GM71V(S)16163C/CL-8
50
60
70
80
13
15
18
20
84
104
124
144
t
HPC
20
25
30
35
引脚配置
42 SOJ
V
CC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
CC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
WE
RAS
A11
A10
A0
A1
A2
A3
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
*低功耗
活跃的396 /三百二十四分之三百六/ 288mW的（ MAX）
待机： 7.2MW （ MAX）
0.83mW （ L系列： MAX ）
* RAS只刷新，刷新RAS CAS之前，
隐藏刷新功能
*所有的输入和输出TTL兼容
* 4096刷新周期/ 64ms的
* 4096刷新周期数/ 128毫秒（ L系列）
*自刷新操作（ L-版）
*电池备份操作（ L系列）
* 2 CAS字节控制
44 （ 50 ） TSOP II
V
SS
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
V
SS
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
NC
NC
WE
RAS
A11
A10
A0
A1
A2
A3
V
CC
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
V
CC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
CC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
V
SS
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
V
SS
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
（ TOP VIEW ）
修订版0.1 / Apr'01
GM71V16163C
GM71VS16163CL
引脚说明
针
A0-A11
A0-A11
I/O0-I/O15
RAS
CAS
功能
地址输入
刷新地址输入
数据输入/输出
行地址选通
列地址选通
针
WE
OE
V
CC
V
SS
NC
功能
写使能
OUTPUT ENABLE
电源（ + 3.3V ）
地
无连接
订购信息
型号
GM71V （S ） 16163CJ / CLJ -5
GM71V （S ） 16163CJ / CLJ -6
GM71V （S ） 16163CJ / CLJ -7
GM71V （S ） 16163CJ / CLJ -8
GM71V （S ） 16163CT / CLT -5
GM71V （S ） 16163CT / CLT -6
GM71V （S ） 16163CT / CLT -7
GM71V （S ） 16163CT / CLT -8
存取时间
50ns
60ns
70ns
80ns
50ns
60ns
70ns
80ns
包
400万
42针
塑料SOJ
400万
44 （ 50 ）脚
塑料TSOP II
（普通型）
绝对最大额定值*
符号
T
A
T
英镑
V
T
V
CC
I
OUT
P
T
参数
在偏置环境温度
储存温度
任何引脚相对于V电压
SS
电源电压相对于V
SS
短路输出电流
功耗
等级
0 ~ 70
-55 ~ 125
-0.5 VCC + 0.5
(<=4.6V(MAX))
-0.5 ~ 4.6
50
1.0
单位
C
C
V
V
mA
W
建议的直流工作条件
(T
A
= 0 ~ 70C)
符号
V
CC
V
IH
V
IL
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
民
3.0
2.0
-0.3
典型值
3.3
-
-
最大
3.6
V
CC
+ 0.3
0.8
单位
V
V
V
*注：称为Vss的全部电压。
修订版0.1 / Apr'01
GM71V16163C
GM71VS16163CL
真值表
RAS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H到L
H到L
H到L
L
L
LCAS
D
L
H
L
L
H
L
L
H
L
L
H
L
H
L
L
H
L
UCAS
D
H
L
L
H
L
L
H
L
L
H
L
L
L
H
L
H
L
WE
D
H
H
H
L
L
L
L
L
L
H到L
H到L
H到L
D
D
D
D
H
OE
D
L
L
L
D
D
D
H
H
H
的LtoH
的LtoH
的LtoH
D
D
D
D
H
产量
开放
有效
有效
有效
开放
开放
开放
未定义
未定义
未定义
有效
有效
有效
开放
开放
开放
开放
开放
手术
待机
低字节
高字节
字
低字节
高字节
字
低字节
高字节
字
低字节
高字节
字
字
字
字
字
CBR刷新
or
自刷新
（ L系列）
LAS-只
刷新周期
读 - 修改
-write周期
延迟写入
周期
早期写周期
读周期
笔记
1,3
1,3
1,2,3
1,2,3
1,3
1,3
1,3
1,3
读周期
（禁止输出）
注意事项： 1， H：高（无效） L：低（有效） D： H或L
2. t
WCS
> =为0ns
早期写周期
t
WCS
<为0ns
延迟写入周期
3.模式是通过UCAS和LCAS的或机能的决定。 （模式由最早的设定
UCAS和LCAS有效边沿和最新的UCAS和LCAS不活跃讨论组复位。 ）不过
写操作和输出HIZ控制由每个UACS ， LCAS独立完成。
恩。如果RAS = H到L ， UCAS = H， LCAS = L，则CAS先于RAS的刷新周期被选择。
修订版0.1 / Apr'01
GM71V16163C
GM71VS16163CL
DC电气特性
(V
CC
= 3.3V +/- 0.3V ， VSS = 0V ，T
A
= 0 ~ 70C)
符号
V
OH
V
OL
I
CC1
参数
输出电平
输出"H"电平电压（I
OUT
= -2mA
)
输出电平
输出"L"电平电压（I
OUT
=
2
毫安）
工作电流
平均供电工作电流
（ RAS ， CAS自行车
:
t
RC
=
t
RC
分）
待机电流（ TTL ）
电源的待机电流
（ RAS ， CAS = V
IH
,
D
OUT
=
高-Z ）
RAS只刷新当前
平均供电电流
RAS仅刷新模式
(t
RC
= t
RC
分）
EDO页面模式电流
平均供电电流
EDO页模式
(t
HPC
= t
HPC
分）
待机电流（ CMOS ）
电源的待机电流
（ RAS ， CAS
＆ GT ;
V
CC
- 0.2V ，状态DOUT =高阻）
CAS先于RAS的刷新电流
(t
RC
= t
RC
分）
50ns
60ns
70ns
80ns
I
CC7
I
CC8
待机电流RAS = V
IH
CAS = V
IL
D
OUT
=
启用
备用电池工作电流（待机与CBR参考。 ）
（ CBR刷新，T
RC
=31.3us
,
t
RAS
＆ LT ;?
0.3
我们，
D
OUT
=
高-Z ， CMOS接口）
自刷新模式电流
（ RAS ， CAS< = 0.2V
,
D
OUT
=
高-Z ， CMOS接口）
输入漏电流
任何输入（ 0V
＆ LT ;?
V
IN
＆ LT ;?
4.6V)
输出漏电流
(D
OUT
为残疾人， 0V
＆ LT ;?
V
OUT
< = 4 。
6V)
-
-
50ns
60ns
70ns
80ns
50ns
60ns
70ns
80ns
50ns
60ns
70ns
80ns
民
2.4
0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
V
CC
0.4
110
100
90
80
2
110
100
90
80
105
95
85
75
1
150
110
100
90
80
5
400
单位
V
V
记
mA
1, 2
I
CC2
mA
I
CC3
mA
2
I
CC4
mA
1, 3
I
CC5
mA
uA
5
I
CC6
mA
mA
uA
1
4,5
I
CC9
I
LI
I
LO
-
-10
-10
250
10
10
uA
uA
uA
5
注：1。我
CC
依赖于输出负载条件下，当被选择的设备。我
CC
（max）是在输出开路规定
条件。
2.地址可以一次或更少的改变，而RAS = V
IL
.
3.地址可以一次或更少的改变，而CAS = V
IH
.
4， CAS = L （
＆ LT ;?
0.2V ），而RAS = L（
＆ LT ;?
0.2V).
5. L - 系列。
修订版0.1 / Apr'01
GM71V16163C
GM71VS16163CL
电容
(V
CC
= 3.3V +/- 0.3V ，T
A
= 25C)
符号
C
I1
C
I2
C
I / O
参数
输入电容（地址）
输入电容（时钟）
输出电容（数据输入/输出）
民
-
-
-
最大
5
7
7
单位
pF
pF
pF
记
1
1
1, 2
注： 1，电容用Boonton的仪表或有效电容测量方法测量。
2. CAS = V
IH
禁用
OUT
.
AC特性
(V
CC
= 3.3V +/- 0.3V ，T
A
= 0 ~
+
70℃ ， VSS = 0V）
注1 ， 2 ， 18 ， 19 ， 20
测试条件
输入上升和下降时间： 2纳秒
输入时序参考电平： 0.8V ， 2.0V
输出时序参考电平： 0.8V ， 2.0V
输出负载： 1TTL门+ C
L
（ 100 pF的）
（包括范围和夹具）
读，写，读 - 修改 - 写和更新周期
（公用参数）
符号
参数
随机读或写周期时间
RAS预充电时间
CAS预充电时间
RAS脉冲宽度
CAS脉冲宽度
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址建立时间
列地址保持时间
RAS到CAS的延迟时间
RAS到列地址的延迟时间
RAS保持时间
CAS保持时间
CAS到RAS预充电时间
OE到D
IN
延迟时间
从D- OE延迟时间
IN
从D- CAS延迟时间
IN
TransitionTime （上升和下降）
GM71V （S ） 16163 GM71V （ S） 16163 GM71V （ S） 16163 GM71V （ S） 16163
C/CL-6
C/CL-7
C/CL-5
C/CL-8
单位注
ns
ns
ns
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
t
RC
t
RP
t
CP
t
RAS
t
CAS
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
RCD
t
拉德
t
RSH
t
CSH
t
CRP
t
OED
t
DZO
t
DZC
t
T
84
30
8
-
-
-
104
40
10
-
-
-
124
50
13
-
-
-
144
60
15
-
-
-
50
10,000
8
10,000
0
8
0
8
12
10
10
35
5
13
0
0
2
-
-
-
-
37
25
-
-
-
-
-
-
50
60
10,000
10
10,000
0
10
0
10
14
12
13
40
5
15
0
0
2
-
-
-
-
45
30
-
-
-
-
-
-
50
70
10,000
13
10,000
0
10
0
13
14
12
13
45
5
18
0
0
2
-
-
-
-
52
35
-
-
-
-
-
-
50
80
10,000
ns
15
10,000
ns
0
10
0
15
20
15
18
50
5
20
0
0
2
-
-
-
-
60
40
-
-
-
-
-
-
50
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
23
22
5
6
6
7
21
21
3
4
修订版0.1 / Apr'01
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