LG的Semicon有限公司。
描述
该GM71C (S) - 4400C / CL是新一代
动态RAM举办1,048,576字× 4位。
GM71C (S) - 4400C / CL实现了更高的密度,
更高的性能和各种功能由
采用先进的CMOS工艺技术。该
GM71C (S ) 4400C / CL提供快速页面模式的
高速存取模式。复用地址
输入允许GM71C (S) - 4400C / CL是
封装在一个标准300MIL 20 ( 26 )脚胶
SOJ和标准300MIL 20 ( 26 )脚胶
TSOP II 。封装尺寸提供高系统
位密度,并且与广泛兼容
可自动检测和插入
设备。体系化的特征包括单
5V +/- 10 %容差的电源,直
高性能逻辑接口功能
家庭如肖特基TTL 。
GM71C(S)4400C/CL
1,048,576字× 4BIT
CMOS动态RAM
特点
* 1,048,576字× 4位组织
*快速页模式功能
*单电源( 5V +/- 10 % )
*快速存取时间及放大器;周期
(单位:纳秒)
t
RAC
GM71C(S)4400C/CL-60
GM71C(S)4400C/CL-70
GM71C(S)4400C/CL-80
60
70
80
t
CAC
15
20
20
t
RC
110
130
150
t
PC
40
45
50
引脚配置
20 ( 26 ) SOJ
I/O1
I/O2
WE
RAS
A9
V
SS
I/O4
I/O3
CAS
OE
I/O1
I/O2
WE
RAS
A9
1
2
3
4
5
*低功耗
主动:五百五十零分之六百零五/ 495mW ( MAX)
待机: 5.5MW ( CMOS电平: MAX )
1.1MW (L-版本)
* RAS只刷新,刷新RAS CAS之前,
隐藏刷新功能
*所有的输入和输出TTL兼容
* 1024刷新周期/ 16ms的
* 1024刷新周期/ 128ms的(L-版本)
*电池备份操作( L-版)
20 ( 26 ) TSOP II
20
19
18
17
16
V
SS
I/O4
I/O3
CAS
OE
V
SS
I/O4
I/O3
CAS
OE
20
19
18
17
16
1
2
3
4
5
I/O1
I/O2
WE
RAS
A9
A0
A1
A2
A3
V
CC
6
7
8
9
10
15
14
13
12
11
A8
A7
A6
A5
A4
A0
A1
A2
A3
V
CC
6
7
8
9
10
15
14
13
12
11
A8
A7
A6
A5
A4
A8
A7
A6
A5
A4
15
14
13
12
11
6
7
8
9
10
A0
A1
A2
A3
V
CC
普通型
反向型
( TOP VIEW )
( TOP VIEW )
1
LG的Semicon
GM71C(S)4400C/CL
功能
地址输入
刷新地址输入
数据输入/输出的数据
行地址选通
列地址选通
引脚说明
针
A0-A9
A0-A9
I/O1-I/O4
RAS
CAS
针
WE
OE
V
CC
V
SS
功能
读/写使能
OUTPUT ENABLE
电源(+ 5V)的
地
订购信息
型号
GM71C(S)4400CJ/CLJ-60
GM71C(S)4400CJ/CLJ-70
GM71C(S)4400CJ/CLJ-80
GM71C(S)4400CT/CLT-60
GM71C(S)4400CT/CLT-70
GM71C(S)4400CT/CLT-80
GM71C(S)4400CR/CLR-60
GM71C(S)4400CR/CLR-70
GM71C(S)4400CR/CLR-80
存取时间
60
ns
70
ns
80
ns
60
ns
70
ns
80
ns
60
ns
70
ns
80
ns
包
300英里, 20 ( 26 )脚
塑料SOJ
300英里, 20 ( 26 )脚
塑料TSOP II
(普通型)
300英里, 20 ( 26 )脚
塑料TSOP II
(反式)
绝对最大额定值*
符号
T
A
T
英镑
V
IN
/V
OUT
V
CC
I
OUT
P
D
参数
在偏置环境温度
存储温度(塑料)
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
相对于V
SS
短路输出电流
功耗
等级
0 ~ 70
-55 ~ 125
-1.0 ~ 7.0
-1.0 ~ 7.0
50
1.0
单位
C
C
V
V
mA
W
*注:操作达到或超过绝对最大额定值可以器件的可靠性产生不利影响。
建议的直流工作条件
(T
A
= 0 ~ 70C)
符号
V
CC
V
IH
V
IL
V
IL
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压( I / O引脚)
输入低电压(其他)
民
4.5
2.4
-1.0
-2.0
典型值
5.0
-
-
-
最大
5.5
6.5
0.8
0.8
单位
V
V
V
V
2
LG的Semicon
GM71C(S)4400C/CL
参数
输入电容(地址)
输入电容(时钟)
数据输入,输出电容(数据输入,输出)
电容
(V
CC
= 5V +/- 10% ,T
A
= 25C)
符号
C
I1
C
I2
C
I / O
民
-
-
-
最大
5
7
10
单位
§
§
§
记
1
1
1, 2
注: 1,电容用Boonton的仪表或有效电容测量方法测量。
2. CAS = V
IH
禁用
OUT
.
AC特性
(V
CC
= 5V +/- 10% ,T
A
= 0 70℃ ,注意事项1, 14 , 15 , 16 )
测试条件
输入上升和下降时间: 5ns的
输出负载: 2 TTL门+ C
L
(100§)
输入,输出时序参考电平: 0.8V , 2.4V
(包括范围和夹具)
读,写,读 - 修改 - 写和更新周期
(公用参数)
符号
参数
随机读或写周期时间
RAS预充电时间
RAS脉冲宽度
CAS脉冲宽度
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址建立时间
列地址保持时间
RAS到CAS的延迟时间
RAS到列地址的延迟时间
RAS保持时间
CAS保持时间
CAS到RAS预充电时间
OE到D
IN
延迟时间
从D- OE延迟时间
IN
CAS建立时间从D-
IN
转换时间
(上升和下降)
刷新周期
刷新周期(L -版本)
-
-
GM71C (S ) 4400 GM71C ( S) 4400 GM71C ( S) 4400
C/CL-60
C/CL-70
C/CL-80
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
记
最小值最大值最小值最大值最小值最大值
110
40
60
15
0
10
0
15
20
15
15
60
10
15
0
0
3
-
-
10,000
10,000
t
RC
t
RP
t
RAS
t
CAS
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
RCD
t
拉德
t
RSH
t
CSH
t
CRP
t
ODD
t
DZO
t
DZC
t
T
t
REF
130
50
70
20
0
10
0
15
20
15
20
70
10
20
0
0
3
-
-
-
-
10,000
10,000
150
60
80
20
0
10
0
15
20
15
20
80
10
20
0
0
3
-
-
-
-
10,000
10,000
-
-
-
-
45
30
-
-
-
-
-
-
50
16
128
-
-
-
-
50
35
-
-
-
-
-
-
50
16
128
-
-
-
-
60
40
-
-
-
-
-
-
50
16
128
8
9
7
4
LG的Semicon
GM71C(S)4400C/CL
GM71C (S ) 4400 GM71C ( S) 4400 GM71C ( S) 4400
C/CL-60
C/CL-70
C/CL-80
读周期
符号
参数
从RAS访问时间
从CAS访问时间
从地址访问时间
从OE访问时间
READ命令设置时间
读命令保持时间CAS
读命令保持时间RAS
列地址到RAS交货时间
输出缓冲器关断时间
输出缓冲关断时间从OE
CAS到D
IN
延迟时间
OE脉冲宽度
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
记
2,3,17
3, 4,
13, 17
3, 5,
13, 17
最小值最大值最小值最大值最小值最大值
-
-
-
-
0
0
0
30
0
0
15
15
60
15
30
15
-
-
-
-
15
15
-
-
-
-
-
-
0
0
0
35
0
0
20
20
70
20
35
20
-
-
-
-
15
15
-
-
-
-
-
-
0
0
0
40
0
0
20
20
80
20
40
20
-
-
-
-
15
15
-
-
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
OAC
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
拉尔
t
OFF1
t
OFF2
t
CDD
t
OEP
3,17
18
18
6
6
写周期
符号
参数
写命令设置时间
写命令保持时间
WRITE命令的脉冲宽度
写命令到RAS交货期
写命令到CAS交货期
数据的建立时间
数据保持时间
GM71C (S ) 4400 GM71C ( S) 4400 GM71C ( S) 4400
C/CL-60
C/CL-70
C/CL-80
最小值最大值最小值最大值最小值最大值
0
15
10
15
15
0
15
-
-
-
-
-
-
-
0
15
10
20
20
0
15
-
-
-
-
-
-
-
0
15
10
20
20
0
15
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
记
10
t
WCS
t
WCH
t
WP
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
11
11
5