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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符G型号页 > 首字符G的型号第288页 > GM71S4400CLJ-60
LG的Semicon有限公司。
描述
该GM71C (S) - 4400C / CL是新一代
动态RAM举办1,048,576字× 4位。
GM71C (S) - 4400C / CL实现了更高的密度,
更高的性能和各种功能由
采用先进的CMOS工艺技术。该
GM71C (S ) 4400C / CL提供快速页面模式的
高速存取模式。复用地址
输入允许GM71C (S) - 4400C / CL是
封装在一个标准300MIL 20 ( 26 )脚胶
SOJ和标准300MIL 20 ( 26 )脚胶
TSOP II 。封装尺寸提供高系统
位密度,并且与广泛兼容
可自动检测和插入
设备。体系化的特征包括单
5V +/- 10 %容差的电源,直
高性能逻辑接口功能
家庭如肖特基TTL 。
GM71C(S)4400C/CL
1,048,576字× 4BIT
CMOS动态RAM
特点
* 1,048,576字× 4位组织
*快速页模式功能
*单电源( 5V +/- 10 % )
*快速存取时间及放大器;周期
(单位:纳秒)
t
RAC
GM71C(S)4400C/CL-60
GM71C(S)4400C/CL-70
GM71C(S)4400C/CL-80
60
70
80
t
CAC
15
20
20
t
RC
110
130
150
t
PC
40
45
50
引脚配置
20 ( 26 ) SOJ
I/O1
I/O2
WE
RAS
A9
V
SS
I/O4
I/O3
CAS
OE
I/O1
I/O2
WE
RAS
A9
1
2
3
4
5
*低功耗
主动:五百五十零分之六百零五/ 495mW ( MAX)
待机: 5.5MW ( CMOS电平: MAX )
1.1MW (L-版本)
* RAS只刷新,刷新RAS CAS之前,
隐藏刷新功能
*所有的输入和输出TTL兼容
* 1024刷新周期/ 16ms的
* 1024刷新周期/ 128ms的(L-版本)
*电池备份操作( L-版)
20 ( 26 ) TSOP II
20
19
18
17
16
V
SS
I/O4
I/O3
CAS
OE
V
SS
I/O4
I/O3
CAS
OE
20
19
18
17
16
1
2
3
4
5
I/O1
I/O2
WE
RAS
A9
A0
A1
A2
A3
V
CC
6
7
8
9
10
15
14
13
12
11
A8
A7
A6
A5
A4
A0
A1
A2
A3
V
CC
6
7
8
9
10
15
14
13
12
11
A8
A7
A6
A5
A4
A8
A7
A6
A5
A4
15
14
13
12
11
6
7
8
9
10
A0
A1
A2
A3
V
CC
普通型
反向型
( TOP VIEW )
( TOP VIEW )
1
LG的Semicon
GM71C(S)4400C/CL
功能
地址输入
刷新地址输入
数据输入/输出的数据
行地址选通
列地址选通
引脚说明
A0-A9
A0-A9
I/O1-I/O4
RAS
CAS
WE
OE
V
CC
V
SS
功能
读/写使能
OUTPUT ENABLE
电源(+ 5V)的
订购信息
型号
GM71C(S)4400CJ/CLJ-60
GM71C(S)4400CJ/CLJ-70
GM71C(S)4400CJ/CLJ-80
GM71C(S)4400CT/CLT-60
GM71C(S)4400CT/CLT-70
GM71C(S)4400CT/CLT-80
GM71C(S)4400CR/CLR-60
GM71C(S)4400CR/CLR-70
GM71C(S)4400CR/CLR-80
存取时间
60
ns
70
ns
80
ns
60
ns
70
ns
80
ns
60
ns
70
ns
80
ns
300英里, 20 ( 26 )脚
塑料SOJ
300英里, 20 ( 26 )脚
塑料TSOP II
(普通型)
300英里, 20 ( 26 )脚
塑料TSOP II
(反式)
绝对最大额定值*
符号
T
A
T
英镑
V
IN
/V
OUT
V
CC
I
OUT
P
D
参数
在偏置环境温度
存储温度(塑料)
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
相对于V
SS
短路输出电流
功耗
等级
0 ~ 70
-55 ~ 125
-1.0 ~ 7.0
-1.0 ~ 7.0
50
1.0
单位
C
C
V
V
mA
W
*注:操作达到或超过绝对最大额定值可以器件的可靠性产生不利影响。
建议的直流工作条件
(T
A
= 0 ~ 70C)
符号
V
CC
V
IH
V
IL
V
IL
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压( I / O引脚)
输入低电压(其他)
4.5
2.4
-1.0
-2.0
典型值
5.0
-
-
-
最大
5.5
6.5
0.8
0.8
单位
V
V
V
V
2
LG的Semicon
GM71C(S)4400C/CL
DC电气特性
(V
CC
= 5V +/- 10% ,T
A
= 0 ~ 70C)
符号
V
OH
V
OL
I
CC1
参数
输出电平
产量
“H”
电平电压(I
OUT
= -5mA )
输出电平
产量
“L”
电平电压(I
OUT
= 4.2毫安)
工作电流
平均供电工作电流
( RAS , CAS ,地址自行车:吨
RC
= t
RC
分)
待机电流( TTL )
电源的待机电流
( RAS , CAS = V
IH
, D
OUT
=高阻)
RAS仅刷新当前
平均供电电流
RAS仅刷新模式
( RAS骑自行车, CAS = V
IH
, t
RC
= t
RC
分)
快页模式电流
平均供电电流
快速页模式
( RAS = V
IL
中国科学院,地址单车:吨
PC
= t
PC
分)
待机电流( CMOS )
电源的待机电流
( RAS , CAS > = V
CC
- 0.2V ,D
OUT
=高阻)
CAS先于RAS的刷新电流
(t
RC
= t
RC
分)
60ns
70ns
80ns
60ns
70ns
80ns
60ns
70ns
80ns
最小值最大值单位注释
2.4
0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
60ns
70ns
80ns
-
-
-
-
V
CC
0.4
110
100
90
2
110
100
90
110
100
90
1
200
110
100
90
300
uA
4, 5
mA
mA
uA
5
4, 5
mA
1, 3
mA
2
mA
mA
1, 2
V
V
I
CC2
I
CC3
I
CC4
I
CC5
I
CC6
I
CC7
备用电池电流(待机与CBR刷新)
(t
RC
= 125us ,T
RAS
< = 1us的,我们= V
IH
, CAS = V
IL
,
OE ,地址和D
IN
=V
IH
或V
IL
, D
OUT
=高阻)
待机电流RAS = V
IH
CAS = V
IL
D
OUT
=启用
输入漏电流
任何输入( 0V< = V
IN
<=7V)
输出漏电流
(D
OUT
为残疾人, 0V< = V
OUT
<=7V)
I
CC8
-
-10
-10
5
10
10
mA
uA
uA
1
I
I(L)
I
O( L)
注:1。我
CC
依赖于输出负载条件下,当被选择的设备。我
CC
(最大值)是在输出指定
开放的条件。
2.地址可以一次或更少的改变,而RAS = V
IL
.
3.地址可以一次或更少的改变,而CAS = V
IH
.
4. L-版本。
5. V
CC
-0.2V<=V
IH
< = 6.5V , 0V< = V
IL
<=0.2V.
3
LG的Semicon
GM71C(S)4400C/CL
参数
输入电容(地址)
输入电容(时钟)
数据输入,输出电容(数据输入,输出)
电容
(V
CC
= 5V +/- 10% ,T
A
= 25C)
符号
C
I1
C
I2
C
I / O
-
-
-
最大
5
7
10
单位
§
§
§
1
1
1, 2
注: 1,电容用Boonton的仪表或有效电容测量方法测量。
2. CAS = V
IH
禁用
OUT
.
AC特性
(V
CC
= 5V +/- 10% ,T
A
= 0 70℃ ,注意事项1, 14 , 15 , 16 )
测试条件
输入上升和下降时间: 5ns的
输出负载: 2 TTL门+ C
L
(100§)
输入,输出时序参考电平: 0.8V , 2.4V
(包括范围和夹具)
读,写,读 - 修改 - 写和更新周期
(公用参数)
符号
参数
随机读或写周期时间
RAS预充电时间
RAS脉冲宽度
CAS脉冲宽度
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址建立时间
列地址保持时间
RAS到CAS的延迟时间
RAS到列地址的延迟时间
RAS保持时间
CAS保持时间
CAS到RAS预充电时间
OE到D
IN
延迟时间
从D- OE延迟时间
IN
CAS建立时间从D-
IN
转换时间
(上升和下降)
刷新周期
刷新周期(L -版本)
-
-
GM71C (S ) 4400 GM71C ( S) 4400 GM71C ( S) 4400
C/CL-60
C/CL-70
C/CL-80
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
最小值最大值最小值最大值最小值最大值
110
40
60
15
0
10
0
15
20
15
15
60
10
15
0
0
3
-
-
10,000
10,000
t
RC
t
RP
t
RAS
t
CAS
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
RCD
t
拉德
t
RSH
t
CSH
t
CRP
t
ODD
t
DZO
t
DZC
t
T
t
REF
130
50
70
20
0
10
0
15
20
15
20
70
10
20
0
0
3
-
-
-
-
10,000
10,000
150
60
80
20
0
10
0
15
20
15
20
80
10
20
0
0
3
-
-
-
-
10,000
10,000
-
-
-
-
45
30
-
-
-
-
-
-
50
16
128
-
-
-
-
50
35
-
-
-
-
-
-
50
16
128
-
-
-
-
60
40
-
-
-
-
-
-
50
16
128
8
9
7
4
LG的Semicon
GM71C(S)4400C/CL
GM71C (S ) 4400 GM71C ( S) 4400 GM71C ( S) 4400
C/CL-60
C/CL-70
C/CL-80
读周期
符号
参数
从RAS访问时间
从CAS访问时间
从地址访问时间
从OE访问时间
READ命令设置时间
读命令保持时间CAS
读命令保持时间RAS
列地址到RAS交货时间
输出缓冲器关断时间
输出缓冲关断时间从OE
CAS到D
IN
延迟时间
OE脉冲宽度
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2,3,17
3, 4,
13, 17
3, 5,
13, 17
最小值最大值最小值最大值最小值最大值
-
-
-
-
0
0
0
30
0
0
15
15
60
15
30
15
-
-
-
-
15
15
-
-
-
-
-
-
0
0
0
35
0
0
20
20
70
20
35
20
-
-
-
-
15
15
-
-
-
-
-
-
0
0
0
40
0
0
20
20
80
20
40
20
-
-
-
-
15
15
-
-
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
OAC
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
拉尔
t
OFF1
t
OFF2
t
CDD
t
OEP
3,17
18
18
6
6
写周期
符号
参数
写命令设置时间
写命令保持时间
WRITE命令的脉冲宽度
写命令到RAS交货期
写命令到CAS交货期
数据的建立时间
数据保持时间
GM71C (S ) 4400 GM71C ( S) 4400 GM71C ( S) 4400
C/CL-60
C/CL-70
C/CL-80
最小值最大值最小值最大值最小值最大值
0
15
10
15
15
0
15
-
-
-
-
-
-
-
0
15
10
20
20
0
15
-
-
-
-
-
-
-
0
15
10
20
20
0
15
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10
t
WCS
t
WCH
t
WP
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
11
11
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    GM71S4400CLJ-60
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
GM71S4400CLJ-60
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