【1,048,576字× 16位CMOS动态RAMGM71C18163CGM71CS18163CL描述】,IC型号GM71CS18163CLT-6,GM71CS18163CLT-6 PDF资料,GM71CS18163CLT-6经销商,ic,电子元器件-51电子网

1,048,576字× 16位

CMOS动态RAM

GM71C18163C

GM71CS18163CL

描述

该GM71C （S） - 18163C / CL是新

代动态RAM举办1,048,576

×16位。 GM71C （S ） 18163C / CL实现

更高密度，更高的性能和各种

通过采用先进的CMOS工艺功能

技术。该GM71C （ S） 18163C / CL报价

扩展数据输出（EDO ）方式作为高速

访问模式。复用地址输入许可证

该GM71C （S） - 18163C / CL在被包装

标准的400万42pin塑料SOJ和标准

400mil 44 （ 50 ）引脚塑料TSOP II 。包

尺寸提供高系统位密度，是

与广泛使用的自动化兼容

检测和插入设备。

特点

* 1,048,576字× 16位组织

*扩展数据输出模式功能

*单电源（ 5V +/- 10 ％）

*快速存取时间及放大器;周期

（单位：纳秒）

t

RAC

t

CAC

GM71C(S)18163C/CL-5

GM71C(S)18163C/CL-6

GM71C(S)18163C/CL-7

50

60

70

13

15

18

t

RC

84

104

124

t

HPC

20

25

30

引脚配置

42 SOJ

V

CC

I/O0

I/O1

I/O2

I/O3

V

CC

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

NC

WE

RAS

NC

A0

A1

A2

A3

V

CC

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

42

41

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

*低功耗

主动： 935分之1045 / 825mW （ MAX）

待机： 11mW的（ CMOS电平： MAX ）

0.83mW （L -版本： MAX ）

* RAS只刷新，刷新RAS CAS之前，

隐藏刷新功能

*所有的输入和输出TTL兼容

* 1024刷新周期/ 16ms的

* 1024刷新周期/ 128ms的（L-版本）

*自刷新操作（ L-版）

*电池备份操作（ L-版）

* 2 CAS字节控制

44 （ 50 ） TSOP II

V

SS

I/O15

I/O14

I/O13

I/O12

V

SS

I/O11

I/O10

I/O9

I/O8

NC

LCAS

UCAS

OE

A9

A8

A7

A6

A5

A4

V

SS

NC

WE

RAS

A11

A10

A0

A1

A2

A3

V

CC

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

V

CC

I/O0

I/O1

I/O2

I/O3

V

CC

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

NC

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

50

49

48

47

46

45

44

43

42

41

40

V

SS

I/O15

I/O14

I/O13

I/O12

V

SS

I/O11

I/O10

I/O9

I/O8

NC

LCAS

UCAS

OE

A9

A8

A7

A6

A5

A4

V

SS

（ TOP VIEW ）

修订版0.1 / Apr'01

GM71C18163C

GM71CS18163CL

引脚说明

针

A0-A9

I/O0-I/O15

RAS

UCAS ， LCAS

功能

地址输入

刷新地址输入

数据输入/输出的数据

行地址选通

列地址选通

针

WE

OE

V

CC

V

SS

NC

功能

读/写使能

OUTPUT ENABLE

电源（+ 5V）的

地

无连接

订购信息

型号

GM71C （S ） 18163CJ / CLJ -5

GM71C （S ） 18163CJ / CLJ -6

GM71C （S ） 18163CJ / CLJ -7

存取时间

50ns

60ns

70ns

包

400万

42针

塑料SOJ

GM71C （S ） 18163CT / CLT -5

GM71C （S ） 18163CT / CLT -6

GM71C （S ） 18163CT / CLT -7

50ns

60ns

70ns

400万

44 （ 50 ）脚

塑料TSOP II

绝对最大额定值*

符号

T

A

T

英镑

V

IN / OUT

V

CC

I

OUT

P

D

参数

在偏置环境温度

储存温度

任何引脚相对于V电压

SS

电源电压相对于V

SS

短路输出电流

功耗

等级

0 ~

+

70

-55 ~

+

125

-1.0 ~

+

7.0V

-1.0 ~

+

7.0V

50

1.0

单位

C

V

mA

W

注：操作达到或超过绝对最大额定值可以器件的可靠性产生不利影响。

修订版0.1 / Apr'01

GM71C18163C

GM71CS18163CL

建议的直流工作条件

(T

A

= 0 ~

+

70C)

符号

V

CC

V

IH

V

IL

参数

电源电压

输入高电压

输入低电压

民

4.5

2.4

-1.0

典型值

5.0

-

最大

5.5

6.0

0.8

单位

V

注意：称为Vss的全部电压。

与所有的VCC管脚的电源电压必须在相同的水平。所有VSS引脚的电源电压必须

在同一水平上。

真值表

RAS

H

L

H到L

L

LCAS

D

L

H

L

H

L

H

L

H

L

H

L

H

L

UCAS

D

H

L

H

L

H

L

H

L

H

L

H

L

WE

D

H

L

H到L

D

H

OE

D

L

D

H

的LtoH

D

H

产量

开放

有效

开放

未定义

有效

开放

手术

待机

低字节

高字节

字

低字节

高字节

字

低字节

高字节

字

低字节

高字节

字

CBR刷新

or

自刷新

（ L系列）

RAS-只

刷新周期

读 - 修改

-write周期

延迟写入

周期

早期写周期

读周期

笔记

1,3

1,2,3

1,3

读周期

（禁止输出）

注意事项： 1， H：高（无效） L：低（有效） D： H或L

2.

t

WCS

> =为0ns早期的写周期

t

WCS

< =为0ns延迟写入周期

3.模式是通过UCAS和LCAS的OR函数来确定。（模式由最早的设定

UCAS和LCAS有效边沿，并采用最新的UCAS和LCAS无效边沿的复位。）不过

写操作和输出高阻控制独立地由每一个UCAS ， LCAS实现。

前），如果RAS = H到L ， UCAS = H， LCAS = L，则CAS先于RAS的刷新周期被选择。

修订版0.1 / Apr'01

GM71C18163C

GM71CS18163CL

DC电气特性

(V

CC

= 5V +/- 10 ％， VSS = 0V ，T

A

= 0 ~ 70C)

符号

V

OH

V

OL

I

CC1

参数

输出电平

输出"H"电平电压（I

OUT

= -2mA

)

输出电平

输出"L"电平电压（I

OUT

=

2

毫安）

工作电流

平均供电工作电流

（ RAS ， UCAS或LCAS自行车

:

t

RC

=

t

RC

分）

待机电流（ TTL ）

电源的待机电流

（ RAS ， UCAS ， LCAS = V

IH

,

D

OUT

=

高-Z ）

RAS只刷新当前

平均供电电流

RAS仅刷新模式

(t

RC

= t

RC

分）

EDO页面模式电流

平均供电电流

EDO页模式

(t

HPC

= t

HPC

分）

待机电流（ CMOS ）

电源的待机电流

（ RAS ， UCAS或LCAS

＆ GT ; `

V

CC

- 0.2V ，D

OUT

=高阻）

CAS先于RAS的刷新电流

(t

RC

= t

RC

分）

50ns

60ns

70ns

50ns

60ns

70ns

50ns

60ns

70ns

50ns

60ns

70ns

民

2.4

0

-

最大

V

CC

0.4

190

170

150

2

190

170

150

185

165

145

1

150

190

170

150

500

单位

V

记

mA

1, 2

I

CC2

mA

I

CC3

mA

2

I

CC4

mA

1, 3

I

CC5

mA

uA

5

I

CC6

mA

I

CC7

I

CC8

I

CC9

I

L（ I）的

I

L（ O）

备用电池工作电流（待机与CBR参考。）

（ CBR刷新，T

RC

=125us

,

t

RAS

＆ LT ;?

0.3

我们，

D

OUT

=

高-Z ， CMOS接口）

待机电流RAS = V

IH

UCAS ， LCAS = V

IL

D

OUT

=

启用

自刷新模式电流

（ RAS ， UCAS或LCAS < = 0.2V

,

D

OUT

=

高-Z ， CMOS接口）

输入漏电流

任何输入（ 0V

＆ LT ;?

V

IN

＆ LT ;?

6V)

输出漏电流

(D

OUT

为残疾人， 0V

＆ LT ;?

V

OUT

＆ LT ;?

6V)

uA

4,5

-

5

mA

1

-

-10

300

10

uA

5

注：1。我

CC

依赖于输出负载条件下，当被选择的设备。

I

CC

（最大）被指定在输出开状态。

2.地址可以一次或更少的改变，而RAS = V

IL

.

3.地址可以一次或更少的改变而UCAS和LCAS = V

IH

.

4， CAS = L （

＆ LT ;?

0.2V ），而RAS = L（

＆ LT ;?

0.2V).

5. L-版本。

修订版0.1 / Apr'01

GM71C18163C

GM71CS18163CL

电容

(V

CC

= 5V +/- 10％，T

A

= 25C)

符号

C

I1

C

I2

C

I / O

参数

输入电容（地址）

输入电容（时钟）

输出电容（数据输入/输出）

民

-

最大

5

7

单位

pF

记

1

1, 2

注： 1，电容用Boonton的仪表或有效电容测量方法测量。

2， LCAS和UCAS = V

IH

禁用

OUT

.

AC特性

(V

CC

= 5V +/- 10％，T

A

= 0 ~

+

70 ，注意事项1， 2 ， 18 ， 19 ， 20 ）

测试条件

输入上升和下降时间： 2纳秒

输入电平： V

IL

= 0V, V

IH

= 3V

输入时序参考电平： 0.8V ， 2.4V

输出时序参考电平： 0.8V ， 2.0V

输出负载： 1TTL门+ C

L

（ 100 pF的）

（包括范围和夹具）

读，写，读 - 修改 - 写和更新周期

（公用参数）

符号

参数

随机读或写周期时间

RAS预充电时间

CAS预充电时间

RAS脉冲宽度

CAS脉冲宽度

行地址建立时间

行地址保持时间

列地址建立时间

列地址保持时间

RAS到CAS的延迟时间

RAS到列地址的延迟时间

RAS保持时间

CAS保持时间

CAS到RAS预充电时间

OE到D

IN

延迟时间

从D- OE延迟时间

IN

从D- CAS延迟时间

IN

转换时间（上升和下降）

GM71C （S） - 18163 GM71C （S） - 18163 GM71C （S） - 18163

C/CL-6

C/CL-7

C/CL-5

单位

ns

记

最小值最大值最小值最大值最小值最大值

t

RC

t

RP

t

CP

t

RAS

t

CAS

t

ASR

t

RAH

t

ASC

t

CAH

t

RCD

t

拉德

t

RSH

t

CSH

t

CRP

t

ODD

t

DZO

t

DZC

t

T

84

30

7

-

104

40

10

-

124

50

13

-

50

10,000

7

10,000

0

7

0

7

11

9

10

35

5

13

0

2

-

37

25

-

50

60

10,000

10

10,000

0

10

0

10

14

12

13

40

5

15

0

2

-

45

30

-

50

70

10,000

13

10,000

0

10

0

13

14

12

13

45

5

18

0

2

-

52

35

-

50

21

3

4

23

22

5

6

7

修订版0.1 / Apr'01