1,048,576 W 0 R D所S X 1 6 B I T
CMOS动态RAM
GM71C16160C
GM71CS16160CL
描述
吨他GM 7 1 C（ S） 1 6 1 6 0 C / CL isthenew
代动态RAM举办1,048,576
×16位。 GM71C （S） - 16160C /
CL实现
更高密度，更高的性能和各种
通过采用先进的CMOS工艺功能
技术。该GM71C （S） - 16160C /
CL报价
快速页模式为高速存取模式。
复用地址输入允许
通用汽车7 1 C（ S） 1 6 1 6 0 C / CL tobepackagedin
标准的400万42引脚塑料SOJ ，并
标准400mil 44 （ 50 ）引脚塑料TSOP II 。该
封装尺寸提供高系统密度的位
并且与广泛使用的兼容
自动化测试和插入设备。
F eatur ES
*
*
*
*
1 ， 048576字× 16位组织
快页模式功能
S英格尔电源（ + 5V /
-10%)
快速访问时间&循环时间
（单位：纳秒）
t
R A
t
C A C
GM71C （S） - 16160C / L-5-
C
GM71C （S） - 16160C / L- 6
C
GM71C （S） - 16160C / L- 7
C
50
60
70
13
15
18
t
R C
90
110
130
t
P·C
35
40
45
*低功耗
主动： 605 /
九分之五百五十5米W（ M A X）
4
S tandby ： 11mW的（ CMOS电平： MAX ）
0.83mW （L -版本： MAX ）
* R A S唯一一句刷新，刷新RAS CAS之前，
隐藏刷新功能
*
*
*
*
*
*
所有输入和输出TTL兼容
4096刷新周期/
64ms
4096刷新周期/
128ms的（L-版本）
自刷新操作（ L-版本）
B attery B应答机操作（ L-版）
2 CAS字节控制
P在Configur一吨离子
4 2 SOJ
V
CC
I/ 0
O
I/ 1
O
I/ 2
O
I/ 3
O
V
CC
I/ 4
O
I/ 5
O
I/ 6
O
I/ 7
O
NC
NC
WE
RAS
A11
A10
A0
A1
A2
A3
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
44 （ 50 ）T S 0 P I I
V
SS
I/ 1 5
O
I/ 1 4
O
I/ 1 3
O
I/ 1 2
O
V
SS
I/ 1 1
O
I/ 1 0
O
I/ 9
O
I/ 8
O
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
NC
NC
WE
RAS
A11
A10
A0
A1
A2
A3
V
CC
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
V
CC
I/ 0
O
I/ 1
O
I/ 2
O
I/ 3
O
V
CC
I/ 4
O
I/ 5
O
I/ 6
O
I/ 7
O
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
V
SS
I/ 1 5
O
I/ 1 4
O
I/ 1 3
O
I/ 1 2
O
V
SS
I/ 1 1
O
I/ 1 0
O
I/ 9
O
I/ 8
O
NC
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
（ TOP VIEW ）
修订版0.1 /月“
01
GM71C16160C
GM71CS16160CL
P在DESCR iption
P在
F油膏
地址输入
刷新地址输入
数据输入/输出数据
RAS
UCAS ， LCAS
行地址选通
列地址选通
P在
WE
OE
CC
F油膏
读/启用仪式
W
OUTPUT ENABLE
电源（+ 5V）的
地
无连接
V
SS
NC
D E 荷兰国际集团的Infor米吨离子
牛逼YPE号
GM71C （S） - 16160CJ / LJ -5
C
GM71C （S） - 16160CJ / LJ -6
C
GM71C （S） - 16160CJ / LJ -7
C
存取时间
5 0纳秒
60ns
70ns
包
4 0 0英里
42针
塑料SOJ
GM71C （S ） 16160CT / LT -5
C
GM71C （S ） 16160CT / LT -6
C
GM71C （S ） 16160CT / LT -7
C
5 0纳秒
60ns
70ns
4 0 0英里
44 （ 50 ）脚
塑料TSOP II
绝对最大额定值*
符号
参数
在B IAS环境温度
S torage温度（塑料）
任何引脚相对于V电压
S S
在V电压
C C
相对于V
S S
短路输出电流
功耗
等级
0 ~
+
7 0
-55 ~
+
1 2 5
-1.0 ~
+
7 . 0 V
-1.0 ~
+
7 . 0 V
50
1.0
单位
C
C
V
V
mA
W
T
A
T
英镑
V
IN / O ü牛逼
V
CC
I
OUT
P
D
注：操作达到或超过绝对最大额定值可以器件的可靠性产生不利影响。
修订版0.1 /月“
01
GM71C16160C
GM71CS16160CL
ecommended DC工作条件
(T
A
= 0 ~
+
70C)
符号
参数
S upply电压
输入高电压
输入低电压
米
4.5
2.4
-1.0
牛逼YP
5.0
-
-
最大
5.5
6.0
0.8
单位
V
V
V
V
CC
V
IH
V
IL
注：简称V SS所有的电压。
吨他提供的电压与所有的引脚VCC必须在同一水平上。所有VSS引脚的电源电压必须
在同一水平上。
牛逼 UTH表
RAS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H到L
H到L
H到L
L
L
LCAS
D
L
H
L
L
H
L
L
H
L
L
H
L
H
L
L
H
UCAS
D
H
L
L
H
L
L
H
L
L
H
L
L
L
H
L
H
WE
D
H
H
H
L
L
L
L
L
L
H到L
H到L
H到L
D
D
D
D
H
OE
D
L
L
L
D
D
D
H
H
H
的LtoH
的LtoH
的LtoH
D
D
D
D
H
产量
开放
有效
有效
有效
开放
开放
开放
未定义
未定义
未定义
有效
有效
有效
开放
开放
开放
开放
手术
S tandby
低字节
高字节
字
低字节
高字节
字
低字节
高字节
字
低字节
高字节
字
字
字
字
字
C B R R é F RESH
or
自刷新
（ L系列）
RAS-只
刷新周期
读 - 修改
-write周期
延迟写入
周期
早期写周期
读周期
笔记
1,3
1,3
1,2,3
1,2,3
1,3
1,3
1,3
1,3
L
L
开放
读周期
（禁止输出）
注意事项： 1， H：高（无效） L：低（有效） D： H或L
2.
t
W （C S）
> =为0ns早期的写周期
t
W （C S）
< =为0ns延迟写入周期
3.模式是通过UCAS和LCAS的OR函数来确定。 （模式由最早的设定
UCAS和LCAS有效边沿，并采用最新的UCAS和LCAS无效边沿的复位。 ）不过
写操作和输出高阻控制独立地由每一个UCAS ， LCAS实现。
前） ，如果RAS = H到L ， UCAS = H， LCAS = L，则CAS先于RAS的刷新周期被选择。
修订版0.1 /月“
01
GM71C16160C
GM71CS16160CL
CC
= 5V+/
-10 ％ ， V SS
A
= 0 ~ 70C)
最大
V
CC
0.4
110
100
mA
1, 2
符号
参数
输出电平
输出"H"电平电压（I
O u那样牛逼
= - 5m的
)
输出电平
输出"L"电平电压（I
O u那样牛逼
=
4.
2米A）
工作电流
（R A S ，U C A S 0内容r L C A S·C C L I N克
:
t
R C
=
t
R C
分）
5 0纳秒
ns
70
米
2.4
0
单位
V
V
记
V
OH
V
OL
I
CC1
-
-
90
2
110
100
2
mA
I
CC2
S tandby电流（ TTL）的
电源的待机电流
（R A S ，U C A S， L C A S = V
I H
,
D
O u那样牛逼
=
高-Z ）
RAS只刷新当前
平均供电电流
RAS仅刷新模式
(t
R C
= t
R C
分）
快页模式电流
快速页模式
(
P·C
= t
P·C
分）
5 0纳秒
ns
70
5 0纳秒
ns
70
I
CC3
-
90
115
105
mA
I
CC4
-
-
-
95
1
150
110
mA
5
I
CC5
S tandby电流（ CMOS）的
电源的待机电流
（R A S ，U C A S 0 - [R L C A S > = V
C C
- 0 。 2 V ，D
O u那样牛逼
=高阻）
CAS先于RAS的刷新电流
(t
R C
= t
R C
分）
5 0纳秒
ns
70
I
CC6
-
-
-
90
mA
（备CBR刷新）
（ = 31.3us
,
＆ LT ;?
0.3
OUT
=
500
uA
I
CC8
U
CAS ， LCAS = V
-
mA
1
D
OUT
I
CC9
（ RAS ， UCAS或LCAS< = 0.2V
OUT
=
-
-10
-10
300
10
10
uA
uA
uA
I
L（ I）的
I
L（ O）
输入漏电流
任何输入（ 0V
＆ LT ;?
V
I N
＆ LT ;?
6 V )
输出漏电流
( D
O u那样牛逼
为残疾人， 0V
＆ LT ;?
V
O u那样牛逼
＆ LT ;?
6 V )
注：1。我
C C
依赖于输出负载条件下，当被选择的设备。
（最大）被指定在输出开状态。
2.地址可以一次或更少的改变，而RAS = V
I L
3.地址可以一次或更少的改变而LCAS和UCAS = V
I H
.
5. L-版本。
修订版0.1 / 4月1日
GM71C16160C
GM71CS16160CL
C时P为C itance
( V
C C
= 5V+/
-10%, T
A
= 25C)
符号
参数
输入电容（地址）
输入电容（时钟）
输出电容（数据输入/
OUT ）
米
-
-
-
最大
5
7
7
单位
pF
pF
pF
记
1
1
1, 2
C
I1
C
I2
C
I / O
注： 1，电容与B oonton仪表或有效电容测量方法测量。
2 。 ü C A S A N D L C A S = V
I H
禁用
O u那样牛逼
.
A C C其特一个C T E istics
( V
C C
= 5V+/
-10%, T
A
= 0 ~
+
70℃ ， VSS = 0V ，注意事项1， 2 ， 3 ， 19 ）
测试条件
输入上升和下降时间： 5ns的
输入时序参考电平： 0.8V ， 2 。 4 V
输出时序参考电平： 0.4V ， 2.4V
输出负载： 2TTL门+ C
L
（ 1 0 0 pF）的
（包括范围和夹具）
EAD ， W R伊特，读 - 修改 - 写读ITE和REFR ESH周期
（公用参数）
符号
参数
随机读或写周期时间
中，R a预充电时间
A S预充电时间
RAS脉冲宽度
CAS脉冲宽度
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址建立时间
列地址保持时间
RAS到CAS的延迟时间
RAS到列地址的延迟时间
RAS保持时间
CAS保持时间
C A S T 中，R a预充电T I M E
（E T） O D用
I N
延迟时间
从D- OE延迟时间
I N
从D- CAS延迟时间
I N
牛逼ransition时间（上升和下降）
GM71C(S)16160
C/CL-5
GM71C （S） - 16160 GM71C （S） - 16160
C/CL-6
C/CL-7
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
记
闵呒一个X
民
110
40
10
60
15
0
10
0
10
20
15
15
60
5
15
0
0
3
最大
-
-
-
10,000
10,000
闵呒一个X
130
50
10
70
18
0
10
0
15
20
15
18
70
5
18
0
0
3
-
-
-
10,000
10,000
t
R C
t
; R P
t
P
t
中，R a
t
A S
t
一个S R
t
R A ^ h
t
A S
t
C A ^ h
t
R C
t
R A
t
R 5 ^ h
t
中文
t
C R P
t
D D
t
t
z对于C
t
T
90
30
7
50
13
0
7
0
7
17
12
13
50
5
13
0
0
3
-
-
-
10,000
10,000
25
-
-
-
-
45
30
-
-
-
-
-
-
50
-
-
-
-
45
30
-
-
-
-
-
-
50
-
-
-
-
52
35
-
-
-
-
-
-
50
22
22
4
5
23
6
7
7
8
修订版0.1 /月“
01
QQ：2880707522 复制
