LG的Semicon有限公司。
描述
该GM71C4800C / CL是新一代
动态RAM组织524,288 ×8位。
GM71C4800C / CL实现更高密度，更高的
性能和各种功能，利用
先进的CMOS工艺技术。
该
GM71C4800C / CL提供快速页面模式为高
速访问模式。
复用地址输入
允许GM71C4800C / CL在打包
标准的400万28PIN塑料SOJ 。包
尺寸提供高系统位密度，是
与广泛使用的自动化测试兼容
和插入的设备。体系化的特点
包括5V +/- 10 ％容差的单电源供电，
与高性能的直接连接能力
逻辑系列，如肖特基TTL 。
GM71C4800C
GM71CS4800CL
524,288WORDS ×8位
CMOS动态RAM
特点
* 524,288字× 8位组织
*快速页模式功能
*单电源（ 5V +/- 10 ％ ）
*快速存取时间及放大器;周期
（单位：纳秒）
t
RAC
t
CAC
GM71C(S)4800C/CL-60
GM71C(S)4800C/CL-70
60
70
18
20
t
RC
110
130
t
PC
40
45
*低功耗
主动： 660分之715毫瓦（ MAX）
待机： 5.5MW （ CMOS电平： MAX ）
1.1MW （ L系列）
* RAS只刷新，刷新RAS CAS之前，
隐藏刷新功能
*所有的输入和输出TTL兼容
* 1024刷新周期/ 16
§
* 1024刷新周期/ 128
§
（ L系列）
*电池备份操作（ L系列）
*自刷新操作（ GM71C4800C / CL ）
引脚配置
28 SOJ
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
SS
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
NC
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
CAS
OE
NC
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
WE
RAS
A9
A0
A1
A2
A3
V
CC
（ TOP VIEW ）
1
GM71C4800C
GM71CS4800CL
绝对最大额定值*
符号
T
A
T
英镑
V
IN
/V
OUT
V
CC
I
OUT
P
D
参数
在偏置环境温度
存储温度（塑料）
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
相对于V
SS
短路输出电流
功耗
等级
0 ~ 70
-55 ~ 125
-1.0 ~ 7.0
-1.0 ~ 7.0
50
1.0
单位
C
C
V
V
mA
W
*注：操作达到或超过绝对最大额定值可以器件的可靠性产生不利影响。
建议的直流工作条件*
(T
A
= 0 ~ 70C)
符号
V
CC
V
IH
V
IL
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
民
4.5
2.4
-1.0
典型值
5.0
-
-
最大
5.5
6.5
0.8
单位
V
V
V
*注：下文称与Vss的所有电压
真值表
RAS
CAS
H
L
L
H
L
H
L
L
L
L
L
H到L
H到L
H到L
L
L
H
L
L
L
H
L
WE
H
H
H
H
H
L
L
L
H
-
-
-
OE
H
H
L
L
L
H
H
H
H
-
-
-
I/O0-I/O7
高-Z
高-Z
D
OUT
高-Z
D
OUT
D
IN
不关心
D
IN
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
I/O8-I/O15
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
OUT
不关心
D
IN
D
IN
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
手术
待机
刷新
低字节读
高字节读
字读
低字节写入
高字节写
字写
CBR刷新
or
自刷新
3
GM71C4800C
GM71CS4800CL
DC电气特性
(V
CC
= 5V +/- 10％ ，T
A
= 0 ~ 70C)
符号
V
OH
V
OL
I
CC1
参数
输出电平
输出"H"电平电压（I
OUT
= -2mA ）
输出电平
输出"L"电平电压（I
OUT
= 2毫安）
工作电流
平均供电工作电流
（ RAS ， CAS自行车：吨
RC
= t
RC
分）
待机电流（ TTL ）
电源的待机电流
（ RAS ， CAS = V
IH
, D
OUT
=高阻）
RAS仅刷新当前
平均供电电流
(t
RC
= t
RC
分）
60§
70§
60§
70§
60§
70§
民
2.4
0
最大单位注意
V
CC
0.4
V
V
-
-
-
130
mA
120
2
mA
1, 2
I
CC2
I
CC3
-
-
-
-
-
-
130
mA
120
130
mA
120
1
200
130
mA
120
mA
uA
4
4,5
1, 3
2
I
CC4
快页模式电流
平均供电电流
(t
PC
= t
PC
分）
待机电流（ CMOS ）
电源的待机电流
（ RAS ， CAS ， WE ， OE> = V
CC
-0.2V ，D
OUT
=高阻）
CAS先于RAS的刷新电流
(t
RC
= t
RC
分）
I
CC5
I
CC6
60§
70§
-
-
I
CC7
备用电池电流
（备CBR刷新）
(t
RC
=125
ìS
, t
RAS
<=1
ìS
， WE， OE = V
IH
， CAS = V
IL
, D
OUT
=高阻）
待机电流RAS = V
IH
CAS = V
IL
D
OUT
=启用
自刷新模式电流
（ RAS ， CAS< = 0.2V ，D
OUT
=高阻）
输入漏电流
任何输入（ 0V< = V
IN
<=6.5V)
输出漏电流
(D
OUT
为残疾人， 0V< = V
OUT
<=6.5V)
GM71C4800C
GM71CS4800CL
-
300
uA
4, 5
I
CC8
-
-
-
-10
-10
5
1
200
10
10
mA
mA
uA
uA
uA
1
I
CC9
I
I（L）
I
O（ L）
6
注：1。我
CC
依赖于输出负载条件下，当被选择的设备。我
CC
（最大值）是在指定的
输出开路状态。
2.地址可以一次或更少的改变，而RAS = V
IL
.
3.地址可以一次或更少的改变而LCAS和UCAS = V
IH
.
4. V
IH
＆ GT ; = V
CC
-0.2V ， 0< = V
IL
< = 0.2V ，地址可以更改一次或更少，而RAS = V
IL
.
5. L系列。
6.自刷新系列。 （ GM71C （S） - 4800C / CL）的
4
GM71C4800C
GM71CS4800CL
电容
(V
CC
= 5V +/- 10％ ，T
A
= 25C)
符号
C
I1
C
I2
C
I / O
参数
输入电容（地址）
输入电容（时钟）
输出电容（数据输入/输出）
民
-
-
-
最大
5
7
7
单位
§
§
§
记
1
1
1, 2
注： 1，电容用Boonton的仪表或有效电容测量方法测量。
2. OE = V
IH
禁用
OUT
.
AC特性
(V
CC
= 5V +/- 10％ ，T
A
= 0 70℃ ，注意事项1， 14 ， 15 ， 17 ， 18 ）
测试条件
输入上升和下降时间： 5ns的
输入电平： V
IL
= 0V , V
IH
= 3.0V
输入时序参考电平： 0.8V ， 2.4V
输出时序参考电平： 0.8V ， 2.4V
输出负载： 2TTL门+ C
L
(100pF)
（包括范围和夹具）
GM71C(S)4800
C/CL-60
GM71C(S)4800
C/CL-70
读，写，读 - 修改 - 写和更新周期
（公用参数）
符号
参数
随机读或写周期时间
RAS预充电时间
CAS percharge时间
RAS脉冲宽度
CAS脉冲宽度
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址建立时间
列地址保持时间
RAS到CAS的延迟时间
RAS到列地址的延迟时间
RAS保持时间
CAS保持时间
CAS到RAS预充电时间
OE到D
IN
延迟时间
从D- OE延迟时间
IN
从D- CAS建立时间
IN
TransitionTime
（上升和下降）
刷新周期
刷新周期（ L系列）
单位注
§
§
§
§
§
§
§
§
§
§
§
§
§
§
§
§
§
§
§
§
20
24
25
25
7
19
19
8
9
22
民
110
40
10
60
15
0
10
0
15
20
15
15
60
5
15
0
0
3
-
-
最大
130
-
民
最大
-
t
RC
t
RP
t
CP
t
RAS
t
CAS
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
RCD
t
拉德
t
RSH
t
CSH
t
CRP
t
OED
t
DZO
t
DZC
t
T
t
REF
50
10
-
-
10,000
10,000
10,000
70
20
-
-
-
0
10
0
15
-
-
-
-
50
35
-
-
-
-
-
-
50
16
128
45
30
-
-
-
-
-
-
50
16
128
20
15
20
70
5
20
0
0
3
-
-
5
QQ：2881677436 复制
