LG的Semicon有限公司。
描述
该GM71C4403C是新一代动态
RAM举办1,048,576字× 4位。
GM71C4403C实现更高密度，更高的
性能和各种功能，利用
先进的CMOS工艺技术。该
GM71C4403C提供了扩展数据输出（ EDO ）
模式作为一种高速接入方式。复
地址输入允许GM71C4403C是
封装在一个标准300MIL 20 （ 26 ）脚胶
SOJ和标准300MIL 20 （ 26 ）引脚塑料TSOP
II 。封装尺寸提供高系统位
密度，并且与广泛使用的兼容
自动化测试和插入设备。系统
导向功能包括单电源供电
5V +/- 10 ％的容差，直接连接能力
高性能逻辑系列，如
肖特基TTL 。
GM71C4403C
1,048,576字× 4BIT
CMOS动态RAM
特点
* 1,048,576字× 4位组织
*扩展数据输出模式功能
*单电源（ 5V +/- 10 ％ ）
*快速存取时间及放大器;周期
（单位：纳秒）
t
RAC
GM71C4403C-60
GM71C4403C-70
GM71C4403C-80
60
70
80
t
CAC
15
18
20
t
RC
104
124
144
t
HPC
25
30
35
*低功耗
主动：五百五十零分之六百零五/ 495mW （ MAX）
待机： 5.5MW （ CMOS电平： MAX ）
* RAS只刷新，刷新RAS CAS之前，
隐藏刷新功能
*所有的输入和输出TTL兼容
* 1024刷新周期/ 16ms的
引脚配置
20 （ 26 ） SOJ
I/O1
I/O2
WE
RAS
A9
1
2
3
4
5
20
19
18
17
16
20 （ 26 ） TSOP II
V
SS
I/O4
I/O3
CAS
OE
I/O1
I/O2
WE
RAS
A9
1
2
3
4
5
20
19
18
17
16
V
SS
I/O4
I/O3
CAS
OE
V
SS
I/O4
I/O3
CAS
OE
20
19
18
17
16
1
2
3
4
5
I/O1
I/O2
WE
RAS
A9
A0
A1
A2
A3
V
CC
6
7
8
9
10
15
14
13
12
11
A8
A7
A6
A5
A4
A0
A1
A2
A3
V
CC
6
7
8
9
10
15
14
13
12
11
A8
A7
A6
A5
A4
A8
A7
A6
A5
A4
15
14
13
12
11
6
7
8
9
10
A0
A1
A2
A3
V
CC
普通型
反向型
（ TOP VIEW ）
（ TOP VIEW ）
1
LG的Semicon
引脚说明
针
A0-A9
A0-A9
I/O1-I/O4
RAS
CAS
功能
地址输入
刷新地址输入
数据输入/输出的数据
行地址选通
列地址选通
针
WE
OE
V
CC
V
SS
GM71C4403C
功能
读/写使能
OUTPUT ENABLE
电源（+ 5V）的
地
订购信息
型号
GM71C4403CJ-60
GM71C4403CJ-70
GM71C4403CJ-80
GM71C4403CT-60
GM71C4403CT-70
GM71C4403CT-80
GM71C4403CR-60
GM71C4403CR-70
GM71C4403CR-80
存取时间
60ns
70ns
80ns
60ns
70ns
80ns
60ns
70ns
80ns
包
300英里， 20 （ 26 ）脚
塑料SOJ
300英里， 20 （ 26 ）脚
塑料TSOP II
（普通型）
300英里， 20 （ 26 ）脚
塑料TSOP II
（反式）
绝对最大额定值*
符号
T
A
T
英镑
V
IN
/V
OUT
V
CC
I
OUT
P
D
参数
在偏置环境温度
存储温度（塑料）
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
相对于V
SS
短路输出电流
功耗
等级
0 ~ 70
-55 ~ 125
-1.0 ~ 7.0
-1.0 ~ 7.0
50
1.0
单位
C
C
V
V
mA
W
*注：操作达到或超过绝对最大额定值可以器件的可靠性产生不利影响。
建议的直流工作条件
（引用到Vss ，T所有电压
A
= 0 ~ 70C)
符号
V
CC
V
IH
V
IL
2
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
民
4.5
2.4
-1.0
典型值
5.0
-
-
最大
5.5
6.5
0.8
单位
V
V
V
LG的Semicon
电容
(V
CC
= 5V +/- 10％ ，T
A
= 25C)
符号
C
I1
C
I2
C
I / O
¤
GM71C4403C
参数
输入电容（地址）
输入电容（时钟）
数据输入/输出电容（数据输入/输出）
民
-
-
-
最大
5
7
7
单位
§
§
§
记
1
1
1, 2
注： 1，电容用Boonton的仪表或有效电容测量方法测量。
2. CAS = V
IH
禁用
OUT
.
AC特性
(V
CC
= 5V +/- 10％ ，T
A
= 0 70℃ ，注意事项1， 14 ， 15 ， 16 ）
测试条件
输入电平： V
IL
=0V, V
IH
=3.0V
输入上升和下降时间： 2ns的
输入时序参考水平： V
IL
=0.8V, V
IH
=2.4V
输出时序参考水平： V
OL
=0.8V, V
OH
=2.0V
输出负载： 1 TTL门+ C
L
(100§)
（包括范围和夹具）
读，写，读 - 修改 - 写和更新周期
（公用参数）
符号
参数
随机读或写周期时间
RAS预充电时间
RAS脉冲宽度
CAS脉冲宽度
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址建立时间
列地址保持时间
RAS到CAS的延迟时间
RAS到列地址的延迟时间
RAS保持时间
CAS保持时间
CAS到RAS预充电时间
OE到D
IN
延迟时间
从D- OE延迟时间
IN
CAS建立时间从D-
IN
转换时间（上升和下降）
刷新周期
GM71C4403
C-60
GM71C4403
C-70
GM71C4403
C-80
最小值最大值最小值最大值最小值最大值
104
40
-
-
124
50
-
-
144
60
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
记
t
RC
t
RP
t
RAS
t
CAS
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
RCD
t
拉德
t
RSH
t
CSH
t
CRP
t
ODD
t
DZO
t
DZC
t
T
t
REF
60
10,000
70
10,000
10
10,000
0
10
0
10
20
15
15
48
10
15
0
0
2
-
-
-
-
-
45
30
-
-
-
-
-
-
50
16
13
10,000
0
10
0
13
20
15
18
58
10
18
0
0
2
-
-
-
-
-
52
35
-
-
-
-
-
-
50
16
80
10,000
15
10,000
0
10
0
15
20
15
20
68
10
20
0
0
2
-
-
-
-
-
60
40
-
-
-
-
-
-
50
16
19
20
8
9
22
7
4
QQ：2880707522 复制
