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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符G型号页 > 首字符G的型号第33页 > GM71C4100CLT-70
LG的Semicon有限公司。
描述
该GM71C (S) - 4100C / CL是新一代
动态RAM举办4,194,304字× 1位。
GM71C (S) - 4100C / CL实现了更高的密度,
更高的性能和各种功能由
采用先进的CMOS工艺技术。该
GM71C (S ) 4100C / CL提供快速页面模式的
高速存取模式。复用地址
输入允许GM71C (S) - 4100C / CL到
封装在一个标准300MIL 20 ( 26 )脚胶
SOJ和标准300MIL 20 ( 26 )引脚塑料TSOP
II 。封装尺寸提供高系统位
密度,并且与广泛使用的兼容
自动化测试和插入设备。系统
导向功能包括单电源供电
5V +/- 10 %的容差,直接连接能力
高性能逻辑系列,如
肖特基TTL 。
GM71C(S)4100C/CL
4,194,304字× 1BIT
CMOS动态RAM
特点
* 4,194,304字× 1位组织
*快速页模式功能
*单电源( 5V +/- 10 % )
*快速存取时间及放大器;周期
(单位:纳秒)
t
RAC
GM71C(S)4100C/CL-60
GM71C(S)4100C/CL-70
GM71C(S)4100C/CL-80
60
70
80
t
CAC
15
20
20
t
RC
110
130
150
t
PC
40
45
50
引脚配置
20 ( 26 ) SOJ
D
IN
WE
RAS
NC
A10
1
2
3
4
5
20
19
18
17
16
*低功耗
主动:五百五十零分之六百零五/ 495mW ( MAX)
待机: 5.5MW ( CMOS电平: MAX )
1.1MW (L-版本)
* RAS只刷新,刷新RAS CAS之前,
隐藏刷新功能
*所有的输入和输出TTL兼容
* 1024刷新周期/ 16ms的
* 1024刷新周期/ 128ms的(L-版本)
*电池备份操作( L-版)
20 ( 26 ) TSOP II
V
SS
D
OUT
CAS
NC
A9
D
IN
WE
RAS
NC
A10
1
2
3
4
5
20
19
18
17
16
V
SS
D
OUT
CAS
NC
A9
V
SS
D
OUT
CAS
NC
A9
20
19
18
17
16
1
2
3
4
5
D
IN
WE
RAS
NC
A10
A0
A1
A2
A3
V
CC
6
7
8
9
10
15
14
13
12
11
A8
A7
A6
A5
A4
A0
A1
A2
A3
V
CC
6
7
8
9
10
15
14
13
12
11
A8
A7
A6
A5
A4
A8
A7
A6
A5
A4
15
14
13
12
11
6
7
8
9
10
A0
A1
A2
A3
V
CC
普通型
反向型
( TOP VIEW )
( TOP VIEW )
1
LG的Semicon
GM71C(S)4100C/CL
功能
地址输入
刷新地址输入
数据输入
数据输出
行地址选通
引脚说明
A0-A10
A0-A9
D
IN
D
OUT
RAS
CAS
WE
V
CC
V
SS
NC
功能
列地址选通
读/写使能
电源(+ 5V)的
无连接
订购信息
型号
GM71C(S)4100CJ/CLJ-60
GM71C(S)4100CJ/CLJ-70
GM71C(S)4100CJ/CLJ-80
GM71C(S)4100CT/CLT-60
GM71C(S)4100CT/CLT-70
GM71C(S)4100CT/CLT-80
GM71C(S)4100CR/CLR-60
GM71C(S)4100CR/CLR-70
GM71C(S)4100CR/CLR-80
存取时间
60ns
70ns
80ns
60ns
70ns
80ns
60ns
70ns
80ns
300英里, 20 ( 26 )脚
塑料SOJ
300英里, 20 ( 26 )脚
塑料TSOP II
(普通型)
300英里, 20 ( 26 )脚
塑料TSOP II
(反式)
绝对最大额定值*
符号
T
A
T
英镑
V
IN
/V
OUT
V
CC
I
OUT
P
D
参数
在偏置环境温度
存储温度(塑料)
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
相对于V
SS
短路输出电流
功耗
等级
0 ~ 70
-55 ~ 125
-1.0 ~ 7.0
-1.0 ~ 7.0
50
1.0
单位
C
C
V
V
mA
W
*注:操作达到或超过绝对最大额定值可以器件的可靠性产生不利影响。
建议的直流工作条件
(T
A
= 0 ~ 70C)
符号
V
CC
V
IH
V
IL
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
4.5
2.4
-1.0
典型值
5.0
-
-
最大
5.5
6.5
0.8
单位
V
V
V
2
LG的Semicon
GM71C(S)4100C/CL
DC电气特性
(V
CC
= 5V +/- 10% ,T
A
= 0 ~ 70C)
符号
V
OH
V
OL
I
CC1
参数
输出电平
输出电平电压(I
OUT
= -5mA )
输出电平
输出电平电压(I
OUT
= 4.2毫安)
工作电流
平均供电工作电流
( RAS , CAS ,地址自行车:吨
RC
= t
RC
分)
待机电流( TTL )
电源的待机电流
( RAS , CAS = V
IH
, D
OUT
=高阻)
RAS仅刷新当前
平均供电电流
RAS仅刷新模式
( RAS骑自行车, CAS = V
IH
, t
RC
= t
RC
分)
快页模式电流
平均供电电流
快速页模式
( RAS = V
IL
中国科学院,地址单车:吨
PC
= t
PC
分)
待机电流( CMOS )
电源的待机电流
( RAS , CAS > = V
CC
- 0.2V)
CAS先于RAS的刷新电流
(t
RC
= t
RC
分)
60ns
70ns
80ns
60ns
70ns
80ns
60ns
70ns
80ns
最小值最大值单位注释
2.4
0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
60ns
70ns
80ns
-
-
-
-
V
CC
0.4
110
100
90
2
110
100
90
110
100
90
1
200
110
100
90
300
uA
4, 5
mA
mA
uA
5
4, 5
mA
1, 3
mA
2
mA
mA
1, 2
V
V
I
CC2
I
CC3
I
CC4
I
CC5
I
CC6
I
CC7
备用电池电流(待机与CBR刷新)
(t
RC
= 125us ,T
RAS
< = 1us的,我们= V
IH
, CAS = V
IL
,
OE ,地址和D
IN
=V
IH
或V
IL
, D
OUT
=高阻)
待机电流RAS = V
IH
CAS = V
IL
D
OUT
=启用
输入漏电流
任何输入( 0V< = V
IN
<=7V)
输出漏电流
(D
OUT
为残疾人, 0V< = V
OUT
<=7V)
I
CC8
-
-10
-10
5
10
10
mA
uA
uA
1
I
I(L)
I
O( L)
注:1。我
CC
依赖于输出负载条件下,当被选择的设备。我
CC
(最大值)是在输出指定
开放的条件。
2.地址可以一次或更少的改变,而RAS = V
IL
.
3.地址可以一次或更少的改变,而CAS = V
IH
.
4. L-版本。
5. V
CC
-0.2V<=V
IH
< = 6.5V , 0V< = V
IL
<=0.2V.
3
LG的Semicon
GM71C(S)4100C/CL
参数
输入电容(地址,
D
IN
)
输入电容(时钟)
输出电容(
D
OUT
)
电容
(V
CC
= 5V +/- 10% ,T
A
= 25C)
符号
C
I1
C
I2
C
O
-
-
-
最大
5
7
7
单位
§
§
§
1
1
1, 2
注: 1,电容用Boonton的仪表或有效电容测量方法测量。
2. CAS = V
IH
禁用
OUT
.
AC特性
(V
CC
= 5V +/- 10% ,T
A
= 0 70℃ ,注意事项1, 2 , 15 )
测试条件
输入上升和下降时间: 5ns的
输出负载: 2 TTL门+ C
L
(100§)
输入,输出时序参考电平: 0.8V , 2.4V
(包括范围和夹具)
读,写,读 - 修改 - 写和更新周期
(公用参数)
符号
参数
随机读或写周期时间
RAS预充电时间
RAS脉冲宽度
CAS脉冲宽度
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址建立时间
列地址保持时间
RAS到CAS的延迟时间
RAS到列地址的延迟时间
RAS保持时间
CAS保持时间
CAS到RAS预充电时间
转换时间
(上升和下降)
刷新周期
刷新周期(L -版本)
-
-
GM71C (S) - 4100 GM71C (S) - 4100 GM71C (S) 4100
C/CL-60
C/CL-70
C/CL-80
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
最小值最大值最小值最大值最小值最大值
110
40
60
15
0
10
0
15
20
15
15
60
10
3
-
-
10,000
10,000
t
RC
t
RP
t
RAS
t
CAS
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
RCD
t
拉德
t
RSH
t
CSH
t
CRP
t
T
t
REF
130
50
70
20
0
10
0
15
20
15
20
70
10
3
-
-
-
-
10,000
10,000
150
60
80
20
0
10
0
15
20
15
20
80
10
3
-
-
-
-
10,000
10,000
-
-
-
-
45
30
-
-
-
50
16
128
-
-
-
-
50
35
-
-
-
50
16
128
-
-
-
-
60
40
-
-
-
50
16
128
8
9
7
4
LG的Semicon
GM71C(S)4100C/CL
GM71C (S) - 4100 GM71C (S) - 4100 GM71C (S) 4100
C/CL-60
C/CL-70
C/CL-80
读周期
符号
参数
从RAS访问时间
从CAS访问时间
从地址访问时间
READ命令设置时间
读命令保持时间CAS
读命令保持时间RAS
列地址到RAS交货时间
输出缓冲器关断时间
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2,3,16
3, 4,
14, 16
3, 5,
14, 16
最小值最大值最小值最大值最小值最大值
-
-
-
0
0
0
30
0
60
15
30
-
-
-
-
15
-
-
-
0
0
0
35
0
70
20
35
-
-
-
-
20
-
-
-
0
0
0
40
0
80
20
40
-
-
-
-
20
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
拉尔
t
关闭
6
写周期
符号
参数
写命令设置时间
写命令保持时间
WRITE命令的脉冲宽度
写命令到RAS交货期
写命令到CAS交货期
数据的建立时间
数据保持时间
GM71C (S) - 4100 GM71C (S) - 4100 GM71C (S) 4100
C/CL-60
C/CL-70
C/CL-80
最小值最大值最小值最大值最小值最大值
0
15
10
15
15
0
15
-
-
-
-
-
-
-
0
15
10
20
20
0
15
-
-
-
-
-
-
-
0
15
10
20
20
0
15
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10
t
WCS
t
WCH
t
WP
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
11
11
读 - 修改 - 写周期
符号
参数
读 - 修改 - 写周期时间
RAS以拖延时间
CAS以拖延时间
列地址来拖延时间
GM71C (S) - 4100 GM71C (S) - 4100 GM71C (S) 4100
C/CL-60
C/CL-70
C/CL-80
单位
ns
ns
ns
ns
最小值最大值最小值最大值最小值最大值
130
60
15
30
-
-
-
-
155
70
20
35
-
-
-
-
175
80
20
40
-
-
-
-
t
RWC
t
RWD
t
CWD
t
AWD
10
10
10
5
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    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    GM71C4100CLT-70
    -
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    -
    -
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