GM5551
描述
1/2
NPN外延平面晶体管
T
他GM5551是专为一般用途的应用要求较高的击穿电压。
包装尺寸
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
4.4
4.6
4.05
4.25
1.50
1.70
1.30
1.50
2.40
2.60
0.89
1.20
REF 。
G
H
I
J
K
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
3.00参考。
1.50 REF 。
0.40
0.52
1.40
1.60
0.35
0.41
5 Q TYP 。
0.70 REF 。
绝对最大额定值
参数
结温
储存温度
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
符号
Tj
TSTG
VCBO
VCES
VEBO
IC
PD
评级
+150
-55 ~ +150
180
160
6.0
600
1.2
V
V
V
mA
W
单位
特征
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE(sat)1
VCE(sat)2
VBE(sat)1
VBE(sat)2
hFE1
hFE2
hFE3
fT
COB
在TA = 25 :
分钟。
180
160
6
-
-
-
-
-
-
80
80
30
100
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
50
50
150
200
1
1
-
250
-
300
6
兆赫
pF
单位
V
V
V
nA
nA
mV
mV
V
V
IC=100uA
IC=1mA
IE=10uA
VCB=120V
VEB=4V
IC = 10毫安, IB = 1毫安
IC = 50mA时IB = 5毫安
IC = 10毫安, IB = 1毫安
IC = 50mA时IB = 5毫安
VCE = 5V , IC = 1毫安
VCE = 5V , IC = 10毫安
VCE = 5V , IE = 50毫安
VCE = 10V , IC = 10毫安中,f = 100MHz的
VCB = 10V , F = 1MHz的
测试条件
2/2
特性曲线
重要通知:
保留所有权利。严禁复制全部或部分不GTM的事先书面批准。
GTM保留随时修改其产品,恕不另行通知。
GTM半导体产品不保证适合于生命支持应用程序或系统。
GTM自行提供客户产品设计,专利侵权,或申请援助的任何后果不承担任何责任。
总公司及工厂:
台湾:
17-1号大同路。傅口新竹工业园区,新竹,台湾, ROC
电话: 886-3-597-7061传真: 886-3-597-9220 , 597-0785
中国:
( 201203 ) 255号,长江财Lueng RD 。 ,浦勇鑫区尚海城,中国
电话: 86-21-5895-7671传真: 86-21-38950165
桂林斯壯微電子有限責任公司
桂林强微电子有限公司。
GM5551
特征
電特性
(T
A
= 25° ,除非另有说明
如無特殊說明,溫度爲
25℃)
■
电动
特征
特性參數
集电极发射极击穿电压( 3 )
集電極-發射極擊穿電壓(Ic=1.0mAdc,I
B
=0)
集电极基极击穿电压
集電極-基極擊穿電壓(Ic=100μAdc,I
E
=0)
发射极 - 基极击穿电压
發射極-基極擊穿電壓(I
E
=10μAdc,Ic=0)
发射Cuto FF电流
發射極截止電流(V
EB
=4.0Vdc,I
c
=0)
收藏家Cuto FF电流
集電極截止電流(V
CB
=120Vdc,I
E
=0)
直流电流增益
直流電流增益
(I
c
=1.0mAdc,V
CE
=5.0Vdc)
(I
c
=10mAdc,V
CE
=5.0Vdc)
(I
c
=50mAdc,V
CE
=5.0Vdc)
集电极 - 发射极饱和电压
集電極-發射極½和壓降
(I
c
= 10mAdc ,我
B
=1.0mAdc)
(I
c
= 50mAdc ,我
B
=5.0mAdc)
基射极饱和电压
基極-發射極½和壓降
(I
c
= 10mAdc ,我
B
=1.0mAdc)
(I
c
= 50mAdc ,我
B
=5.0mAdc)
电流增益带宽积
電流增益-帶寬乘積
(I
c
=-10mAdc,V
CE
=-10Vdc,f=100MHz)
输出电容
輸出電容
(V
CB
= -10.0Vdc ,我
E
= 0 , F = 1.0MHz的)
小信号电流增益
小信號電流增益
(V
CE
= -10VDC ,我
C
= -1.0mAdc , F = 1.0KHz )
噪声系数
噪声係數
(V
CE
= -5.0Vdc ,我
C
=-200μAdc,R
s
=1.0kΩf=1.0KHz)
1.FR-5=1.0×0.75×0.062in.
2.Alumina=0.4×0.3×0.024in.99.5%alumina.
3.ulse
Width<300us ;职务Cycle<2.0 % 。
符号
符號
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
EBO
I
CBO
H
FE
民
最小值
160
180
5.0
—
—
最大
最大值
—
—
—
50
50
单位
單½
VDC
VDC
VDC
NADC
NADC
—
80
80
30
V
CE ( SAT )
—
250
—
VDC
—
—
0.15
0.2
V
BE ( SAT )
—
—
100
—
40
—
1.0
1.0
300
6.0
200
8.0
VDC
f
T
C
敖包
h
fe
NF
兆赫
pF
—
dB