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GM5551
描述
1/2
NPN外延平面晶体管
T
他GM5551是专为一般用途的应用要求较高的击穿电压。
包装尺寸
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
4.4
4.6
4.05
4.25
1.50
1.70
1.30
1.50
2.40
2.60
0.89
1.20
REF 。
G
H
I
J
K
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
3.00参考。
1.50 REF 。
0.40
0.52
1.40
1.60
0.35
0.41
5 Q TYP 。
0.70 REF 。
绝对最大额定值
参数
结温
储存温度
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
符号
Tj
TSTG
VCBO
VCES
VEBO
IC
PD
评级
+150
-55 ~ +150
180
160
6.0
600
1.2
V
V
V
mA
W
单位
特征
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE(sat)1
VCE(sat)2
VBE(sat)1
VBE(sat)2
hFE1
hFE2
hFE3
fT
COB
在TA = 25 :
分钟。
180
160
6
-
-
-
-
-
-
80
80
30
100
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
50
50
150
200
1
1
-
250
-
300
6
兆赫
pF
单位
V
V
V
nA
nA
mV
mV
V
V
IC=100uA
IC=1mA
IE=10uA
VCB=120V
VEB=4V
IC = 10毫安, IB = 1毫安
IC = 50mA时IB = 5毫安
IC = 10毫安, IB = 1毫安
IC = 50mA时IB = 5毫安
VCE = 5V , IC = 1毫安
VCE = 5V , IC = 10毫安
VCE = 5V , IE = 50毫安
VCE = 10V , IC = 10毫安中,f = 100MHz的
VCB = 10V , F = 1MHz的
测试条件
2/2
特性曲线
重要通知:
保留所有权利。严禁复制全部或部分不GTM的事先书面批准。
GTM保留随时修改其产品,恕不另行通知。
GTM半导体产品不保证适合于生命支持应用程序或系统。
GTM自行提供客户产品设计,专利侵权,或申请援助的任何后果不承担任何责任。
总公司及工厂:
台湾:
17-1号大同路。傅口新竹工业园区,新竹,台湾, ROC
电话: 886-3-597-7061传真: 886-3-597-9220 , 597-0785
中国:
( 201203 ) 255号,长江财Lueng RD 。 ,浦勇鑫区尚海城,中国
电话: 86-21-5895-7671传真: 86-21-38950165
桂林斯壯微電子有限責任公司
桂林强微电子有限公司。
GM5551
最大
评级
评级
最大額定值
符号
符號
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
Ic
等级
額定值
160
180
5.0
600
单位
單½
VDC
VDC
VDC
MADC
特征
特性參數
集电极 - 发射极电压
集電極-發射極電壓
集电极 - 基极电压
集電極-基極電壓
发射极电压
發射極-基極電壓
集电极电流连续
集電極電流-連續
特征
熱特性
符号
符號
P
D
1.8
R
Θ
JA
556
300
P
D
2.4
R
Θ
JA
T
J
,
T
英镑
417
毫瓦/ °
℃/W
毫瓦/ °
℃/W
mW
特征
特性參數
器件总功耗
½耗散功率
FR- 5板(1)
T
A
=
25℃環境溫度爲 25℃
减免above25 ℃超过25 ℃递减
热阻结到环境
熱阻
器件总功耗
½耗散功率
氧化铝基板
氧化鋁襯底,(2)T
A
=
25℃
减额above25 ℃
超過
25℃遞減
热阻结到环境
熱阻
结温和存储温度
結溫和儲存溫度
设备
最大
最大值
225
单位
單½
mW
150
, -
55to+150℃
记号
打標
GM5551=G1
桂林斯壯微電子有限責任公司
桂林强微电子有限公司。
GM5551
特征
電特性
(T
A
= 25° ,除非另有说明
如無特殊說明,溫度爲
25℃)
电动
特征
特性參數
集电极发射极击穿电压( 3 )
集電極-發射極擊穿電壓(Ic=1.0mAdc,I
B
=0)
集电极基极击穿电压
集電極-基極擊穿電壓(Ic=100μAdc,I
E
=0)
发射极 - 基极击穿电压
發射極-基極擊穿電壓(I
E
=10μAdc,Ic=0)
发射Cuto FF电流
發射極截止電流(V
EB
=4.0Vdc,I
c
=0)
收藏家Cuto FF电流
集電極截止電流(V
CB
=120Vdc,I
E
=0)
直流电流增益
直流電流增益
(I
c
=1.0mAdc,V
CE
=5.0Vdc)
(I
c
=10mAdc,V
CE
=5.0Vdc)
(I
c
=50mAdc,V
CE
=5.0Vdc)
集电极 - 发射极饱和电压
集電極-發射極½和壓降
(I
c
= 10mAdc ,我
B
=1.0mAdc)
(I
c
= 50mAdc ,我
B
=5.0mAdc)
基射极饱和电压
基極-發射極½和壓降
(I
c
= 10mAdc ,我
B
=1.0mAdc)
(I
c
= 50mAdc ,我
B
=5.0mAdc)
电流增益带宽积
電流增益-帶寬乘積
(I
c
=-10mAdc,V
CE
=-10Vdc,f=100MHz)
输出电容
輸出電容
(V
CB
= -10.0Vdc ,我
E
= 0 , F = 1.0MHz的)
小信号电流增益
小信號電流增益
(V
CE
= -10VDC ,我
C
= -1.0mAdc , F = 1.0KHz )
噪声系数
噪声係數
(V
CE
= -5.0Vdc ,我
C
=-200μAdc,R
s
=1.0kΩf=1.0KHz)
1.FR-5=1.0×0.75×0.062in.
2.Alumina=0.4×0.3×0.024in.99.5%alumina.
3.ulse
Width<300us ;职务Cycle<2.0 % 。
符号
符號
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
EBO
I
CBO
H
FE
最小值
160
180
5.0
最大
最大值
50
50
单位
單½
VDC
VDC
VDC
NADC
NADC
80
80
30
V
CE ( SAT )
250
VDC
0.15
0.2
V
BE ( SAT )
100
40
1.0
1.0
300
6.0
200
8.0
VDC
f
T
C
敖包
h
fe
NF
兆赫
pF
dB
桂林斯壯微電子有限責任公司
桂林强微电子有限公司。
GM5551
外½封裝尺寸
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    GM5551
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
GM5551
GTM
2024
18000
SOT89
上海原装现货库存,欢迎咨询合作
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
GM5551
GTM
2443+
23000
SOT-89
一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:0755-82723761/82772189
联系人:夏先生 朱小姐
地址:深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2(本公司为一般纳税人,可开增票)
GM5551
GTM
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
GM5551
GTM
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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电话:755-83210909 / 83616256
联系人:夏先生
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