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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符G型号页 > 首字符G的型号第273页 > GM5511C-1.8ST23R
描述
该GM5511系列是高精度和低功率变
消费电压检测器。检测电压非常AC-
策展以最小的温度漂移。无论CMOS和N
沟道开漏输出配置可供选择。
特点
高精确度: ± 2 %
低功耗:典型值0.7μA
[V
IN
= 1.5V]
检测电压范围: 1.6V至6.0V的0.1V
增量
工作电压范围: 0.7 10.0V
检测电压温度特性:
TYP ±100 PPM / ℃,
输出配置: CMOS或N沟道
漏极开路
SOT- 23 ( 150毫瓦)小模
SOT- 89 ( 500mW的)小功率模
的" MAX809"备用
应用
电脑
控制器
智能仪表
关键μP和uC电源监控
便携式/电池供电设备
汽车
典型应用电路
GM5511C
VIN
VIN
VOUT
VIN
GM5511N
VIN
VOUT
R
100kW
VSS
VSS
CMOS输出
N沟道开漏输出
www.gammamicro.com
GM5511
V0.1
1
标识信息&引脚配置
( TOP VIEW )
SOT-23
V
IN
3
SOT-89
XXVYW
1
2
GM5511T
VVAYWW
1
2
3
V
SS
V
OUT
V
OUT
V
IN
V
SS
XX
V
Y
WW
=设备代码( GD = GM5511C , GC = GM5511N )
=检测电压(参见"Voltage Suffix" )
= YEAR
※周刊
T
VV
A
Y
WW
=输出配置。 ( C = CMOS , N = N沟道,漏极开路)
=检测电压( 27 = 2.7V , 30 = 3.0V )
=大会地点
= YEAR
=每周
订购信息
订购数量
输出配置。检测电压
电压
后缀: V
航运
GM5511C-1.8ST23R
GM5511C-2.0ST23R
GM5511C-2.7ST23R
GM5511C-2.9ST23R
GM5511C-3.0ST23R
GM5511C-3.3ST23R
GM5511C-3.6ST23R
GM5511C-4.0ST23R
GM5511C-4.1ST23R
GM5511C-4.2ST23R
GM5511C-1.8ST89R
GM5511C-2.0ST89R
GM5511C-2.7ST89R
GM5511C-2.9ST89R
GM5511C-3.0ST89R
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
1.8V
2.0V
2.7V
2.9V
3.0V
3.3V
3.6V
4.0V
4.1V
4.2V
1.8V
2.0V
2.7V
2.9V
3.0V
3.3V
3.6V
4.0V
4.1V
4.2V
C
E
K
M
N
Q
T
X
Y
Z
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-89
SOT-89
SOT-89
SOT-89
SOT-89
SOT-89
SOT-89
SOT-89
SOT-89
SOT-89
3000单位/带卷&
3000单位/带卷&
3000单位/带卷&
3000单位/带卷&
3000单位/带卷&
3000单位/带卷&
3000单位/带卷&
3000单位/带卷&
3000单位/带卷&
3000单位/带卷&
1000单位/带卷&
1000单位/带卷&
1000单位/带卷&
1000单位/带卷&
1000单位/带卷&
1000单位/带卷&
1000单位/带卷&
1000单位/带卷&
1000单位/带卷&
1000单位/带卷&
GM5511
2
GM5511C-3.3ST89R
GM5511C-3.6ST89R
GM5511C-4.0ST89R
GM5511C-4.1ST89R
GM5511C-4.2ST89R
*对于详细订购号码识别,请参阅最后一页。
订购信息
订购数量
输出配置。检测电压
电压
后缀: V
航运
GM5511N - 1.8ST23R N沟道开漏
GM5511N - 2.0ST23R N沟道开漏
GM5511N - 2.7ST23R N沟道开漏
GM5511N - 2.9ST23R N沟道开漏
GM5511N - 3.0ST23R N沟道开漏
GM5511N - 3.3ST23R N沟道开漏
GM5511N - 3.6ST23R N沟道开漏
GM5511N - 4.0ST23R N沟道开漏
GM5511N - 4.1ST23R N沟道开漏
GM5511N - 4.2ST23R N沟道开漏
GM5511N - 1.8ST89R N沟道开漏
GM5511N - 2.0ST89R N沟道开漏
GM5511N - 2.7ST89R N沟道开漏
GM5511N - 2.9ST89R N沟道开漏
GM5511N - 3.0ST89R N沟道开漏
GM5511N - 3.3ST89R N沟道开漏
GM5511N - 3.6ST89R N沟道开漏
GM5511N - 4.0ST89R N沟道开漏
GM5511N - 4.1ST89R N沟道开漏
GM5511N - 4.2ST89R N沟道开漏
1.8V
2.0V
2.7V
2.9V
3.0V
3.3V
3.6V
4.0V
4.1V
4.2V
1.8V
2.0V
2.7V
2.9V
3.0V
3.3V
3.6V
4.0V
4.1V
4.2V
C
E
K
M
N
Q
T
X
Y
Z
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-89
SOT-89
SOT-89
SOT-89
SOT-89
SOT-89
SOT-89
SOT-89
SOT-89
SOT-89
3000单位/带卷&
3000单位/带卷&
3000单位/带卷&
3000单位/带卷&
3000单位/带卷&
3000单位/带卷&
3000单位/带卷&
3000单位/带卷&
3000单位/带卷&
3000单位/带卷&
1000单位/带卷&
1000单位/带卷&
1000单位/带卷&
1000单位/带卷&
1000单位/带卷&
1000单位/带卷&
1000单位/带卷&
1000单位/带卷&
1000单位/带卷&
1000单位/带卷&
*对于详细订购号码识别,请参阅最后一页。
绝对最大额定值
(T
A
= 25°C)
参数
输入电压
输出电流
输出电压
CMOS
N沟道开漏
功耗
SOT-23
SOT-89
工作环境温度
储存温度
P
D
TOPR
TSTG
150
500
-40+ 85
-40到+125
mW
V
OUT
符号
V
IN
I
OUT
评级
12
50
V
SS
- 0.3 V
IN
+ 0.3
V
SS
- 0.3 12
单位
V
mA
°C
°C
GM5511
3
V
框图
( 1 ) CMOS输出
( 2 ) N沟道开漏输出
V
IN
V
IN
V
OUT
+
-
VREF
+
-
VREF
V
OUT
V
SS
V
SS
电气特性
[V
DF
(T)= 1.6至6.0V ±2% ]
T
A
= 25°C
参数
检测电压
迟滞范围
符号
V
DF
V
HYS
条件
V
DF
X 0.98
典型值
V
DF
最大
V
DF
X 1.02
单位
V
V
电路
1
1
V
DF
X 0.02 V
DF
X 0.05 V
DF
X 0.08
V
IN
= 1.5V
V
IN
= 2.0V
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
0.7
2.3
2.7
3.0
3.2
3.6
10.0
电源电流
I
SS
V
IN
= 3.0V
V
IN
= 4.0V
V
IN
= 5.0V
A
2
工作电压
V
IN
V
DF
( T) = 1.6V至6.0V
NCH
V
DS
= 0.5V
V
IN
= 1.0V
V
IN
= 2.0V
V
IN
= 3.0V
V
1
1.0
3.0
5.0
6.0
7.0
2.2
7.7
3
10.1
11.5
13.0
-10.0
-2.0
4
mA
输出电流
I
OUT
V
IN
= 4.0V
V
IN
= 5.0V
PCH
V
DS
= 2.1V
V
IN
= 8.0V
(与CMOS输出)
温度
特征
DV
DF
DTopr
-V
DF
t
DLY
-40°C
TOPR
85°C
± 100
PPM /°C的
-
GM5511
延迟时间
(V
DR
& QUOT ; V
OUT
反转)
0.2
mS
5
2
注意:
V
DF
(T ) :建立检测电压值
释放电压: V
DR
=
V
DF
+ V
HYS
4
功能说明( CMOS输出)
1
当输入电压(V
IN
)高于检测电压(V
DF
) ,输出电压(V
OUT
)将等于V
IN
.
(高阻抗的状态存在着N沟道开漏输出配置。 )
2
当输入电压(V
IN
)低于检测电压(V
DF
) ,输出电压(V
OUT
)将等于地电压
(V
SS
)的水平。
3
当输入电压(V
IN
)下降到低于最小工作电压的电平(V
) ,输出将变得不稳定。
在这种条件下,V
IN
将等于拉到输出(输出应该是拉到) 。
当输入电压(V
IN
)上升到高于接地电压(V
SS
)电平时,输出将是不稳定的,在低于最低水平
工作电压(V
) 。在V之间
检测释放电压(V
DR
)的水平,接地电压(V
SS
)水平
4
来维持。
5
当输入电压(V
IN
)高于检测释放电压(V
DR
) ,输出电压(V
OUT
)将等于V
IN
.
(高阻抗的条件与N沟道开漏输出配置存在) 。
6
V之间的差
DR
和V
DF
表示滞后范围。
时序图
6
输入电压(V
IN
)
检测释放电压(V
DR
)
检测电压(V
DF
)
分钟。工作电压(V
)
接地电压(V
DF
)
输出电压(V
OUT
)
1
2
3
4
5
GM5511
5
接地电压(V
SS
)
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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