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公司
GM4132
描述
NPN外延平面牛逼RANSISTOR
该GM4132是专为功率放大器的应用程序。
颁发日期: 2006/02/09
修订日期:
特点
&放大器;
击穿电压( BV
首席执行官
=120V)
包装尺寸
&Low集电极输出电容(典型值20pF的在V
CB
=10V)
&High过渡频率(f
T
=80MHz)
SOT-89
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
4.4
4.6
4.05
4.25
1.50
1.70
1.30
1.50
2.40
2.60
0.89
1.20
REF 。
G
H
I
J
K
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
3.00参考。
1.50 REF 。
0.40
0.52
1.40
1.60
0.35
0.41
5 ° TYP 。
0.70 REF 。
在Ta绝对最大额定值= 25 :
参数
结温
储存温度
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流
(脉冲为10ms )
总功耗
符号
Tj
TSTG
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C
P
D
评级
+150
-55~+150
120
120
5
2
3
1.2
单位
:
:
V
V
V
A
A
W
电气特性
( TA = 25 :
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
*V
CE ( SAT )
*h
FE
fT
COB
分钟。
120
120
5
-
-
-
82
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
80
20
除非另有说明)
马克斯。
单位
测试条件
-
V
I
C
= 50uA的,我
E
=0
-
V
I
C
= 1mA时,我
B
=0
-
V
I
E
= 50uA的,我
C
=0
1
uA
V
CB
= 100V ,我
E
=0
1
uA
V
EB
= 4V ,我
C
=0
400
mV
I
C
= 1A ,我
B
=100mA
390
V
CE
= 5V ,我
C
=100mA
-
兆赫
V
CE
= 5V ,我
E
= -100mA , F = 30MHz的
-
pF
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
*脉冲测试:脉冲宽度
380 S,占空比
2%
分类h及
FE
范围
P
82 ~ 180
Q
120 ~ 270
R
180 ~ 390
GM4132
页次: 1/2
公司
特性曲线
颁发日期: 2006/02/09
修订日期:
重要通知:
保留所有权利。严禁复制全部或部分不GTM的事先书面批准。
GTM保留随时修改其产品,恕不另行通知。
GTM半导体产品不保证适合于生命支持应用程序或系统。
GTM自行提供客户产品设计,专利侵权,或申请援助的任何后果不承担任何责任。
总公司及工厂:
台湾:
17-1号大同路。傅口新竹工业园区,新竹,台湾, ROC
电话: 886-3-597-7061传真: 886-3-597-9220 , 597-0785
中国:
( 201203 ) 255号,长江财Lueng RD 。 ,浦勇鑫区尚海城,中国
电话: 86-21-5895-7671 4传真: 86-21-38950165
GM4132
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    GM4132
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
GM4132
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