桂林斯壯微電子有限責任公司
桂林强微电子有限公司。
GM3838
■
最大
评级
最大額定值
符号
符號
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
Ic
等级
額定值
11
20
3.0
50
单位
單½
VDC
VDC
VDC
MADC
特征
特性參數
集电极 - 发射极电压
集電極發射極電壓
集电极 - 基极电压
集電極基極電壓
发射极 - 基极电压
發射極基極電壓
集电极电流连续
集電極電流-連續
■
热
特征
熱特性
符号
符號
P
D
最大
最大值
225
1.8
P
D
300
2.4
R
Θ
JA
T
J
,
T
英镑
417
单位
單½
mW
毫瓦/ °
mW
毫瓦/ °
℃/W
特征
特性參數
器件总功耗
½耗散功率
FR- 5板（1）
T
A
=
25℃環境溫度爲 25℃
减额above25 ℃
超過
25℃遞減
器件总功耗
½耗散功率
氧化铝基板
氧化鋁襯底,(2)T
A
=
25℃
减免above25 ℃超过25 ℃递减
热阻结到环境
熱阻
结温和存储温度
結溫和儲存溫度
■
设备
-55to+150℃
记号
打標
383
GM3838(2SC3838)=
GM3838(2SC3838)=AD
H
FE
:50-100; 80-150; 120-220; 200-300
0-100 80-150; 120-220; 200-
100;
桂林斯壯微電子有限責任公司
桂林强微电子有限公司。
GM3838
■
电动
特征
電特性
)
(T
A
=25
= 25° ，除非另有说明
如無特殊說明，溫度爲
25℃)
特征
特性參數
发射Cuto FF电流
發射極截止電流(V
EB
=1.0v,I
C
=0)
收藏家Cuto FF电流
集電極截止電流(V
CB
=10v,I
E
=0)
集电极 - 基极击穿电压
集電極基極擊穿電壓(Ic=10uA)
集电极 - 发射极击穿电压
集電極發射極擊穿電壓(Ic=1mA)
发射极 - 基极击穿电压
發射極基極擊穿電壓(I
E
=10uA)
集电极饱和电压
集電極½和壓降(Ic=10mAdc,I
B
=5mA)
直流电流增益
直流電流增益
(V
CE
=10v,I
C
=5mA)
增益带宽积
增益帶寬乘積(V
CE
=10v,I
C
=20mA)
噪声系数
噪声係數
(V
CE
=6V,Ic=2mA,f=500MHz,Rg=50Ω)
输出电容
輸出電容
(V
CB
=10v,I
E
=0,f=1.0MHz)
1， FR - 5 = 1.0 × 0.75 × 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4 × 0.3 × 0.024in.99.5 ％的氧化铝。
符号
符號
I
EBO
I
CBO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CE （ SAT ）
H
FE
f
T
NF
民
最小值
—
—
20
11
3
—
50
—
—
典型值
典型值
—
—
—
—
—
—
—
3200
—
0.8
最大
最大值
1.0
1.0
—
—
—
0.5
300
—
3.5
1.5
兆赫
dB
单位
單½
μ
A
μ
A
V
V
V
VDC
C
ob
—
pF
QQ：2880707522 复制
