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无铅电镀产品
颁发日期： 2006年1月20日
修订日期：
GM2306
N沟道增强型功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
20V
32m
5.3A
该GM2306采用先进的加工技术，以实现尽可能低的导通电阻，极
效率和成本效益的设备。
该GM2306是普遍适用于所有商业工业表面贴装应用。
描述
*有能力2.5V栅极驱动
*低导通电阻
特点
包装尺寸
SOT-89
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
4.4
4.6
4.05
4.25
1.50
1.70
1.30
1.50
2.40
2.60
0.89
1.20
REF 。
G
H
I
J
K
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
3.00参考。
1.50 REF 。
0.40
0.52
1.40
1.60
0.35
0.41
5 ° TYP 。
0.70 REF 。
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
, V
GS
@4.5V
连续漏电流
3
, V
GS
@4.5V
漏电流脉冲
1,2
功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25 :
I
D
@T
A
=70 :
I
DM
P
D
@T
A
=25 :
TJ ， TSTG
符号
Rthj -A
评级
20
±12
5.3
4.3
10
1.5
0.012
-55 ~ +150
价值
83.3
单位
V
V
A
A
A
W
W/ :
:
单位
:
/W
热数据
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
GM2306
页次： 1/4
颁发日期： 2006年1月20日
修订日期：
电气特性（ TJ = 25 ：除非另有说明）
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
符号
BV
DSS
BV
DSS
/
Tj
分钟。
20
-
0.5
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.1
-
13
-
-
-
-
-
-
-
8.7
1.5
3.6
6
14
18.4
2.8
603
144
111
马克斯。
-
-
1.2
-
±100
1
10
30
35
50
90
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
V/ :
V
S
nA
uA
uA
测试条件
V
GS
=0, I
D
=250uA
参考25 ：我
D
=1mA
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 5V ，我
D
=5.3A
V
GS
= ±12V
V
DS
=20V, V
GS
=0
V
DS
=16V, V
GS
=0
V
GS
= 10V ，我
D
=5.5A
栅极阈值电压
正向跨导
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 25 ： ）
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 55 ： ）
V
GS （ TH）
g
fs
I
GSS
I
DSS
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
-
-
-
m
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5.3A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=2.6A
V
GS
= 1.8V ，我
D
=1.0A
I
D
=5.3A
V
DS
=10V
V
GS
=4.5V
V
DS
=15V
I
D
=1A
V
GS
=10V
R
G
=2
R
D
=15
V
GS
=0V
V
DS
=15V
f=1.0MHz
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）变更
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
nC
ns
pF
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
符号
V
SD
T
rr
Q
rr
分钟。
-
-
-
典型值。
-
16.8
11
马克斯。
1.2
-
-
单位
V
ns
nC
测试条件
I
S
= 1.2A ，V
GS
=0V
I
S
= 5A ，V
GS
=0V
的di / dt = 100A / S
反向恢复时间
2
反向恢复电荷
注意事项： 1，脉冲宽度有限的最大结温。
2.脉宽300US ，占空比2 ％ 。
3.表面安装在FR4板，T
10sec.
GM2306
页次：2/4
颁发日期： 2006年1月20日
修订日期：
特性曲线
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
图5.正向特性
反向二极管
GM2306
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
页次： 3/4
颁发日期： 2006年1月20日
修订日期：
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
重要通知：
保留所有权利。严禁复制全部或部分不GTM的事先书面批准。
GTM保留随时修改其产品，恕不另行通知。
GTM半导体产品不保证适合于生命支持应用程序或系统。
GTM自行提供客户产品设计，专利侵权，或申请援助的任何后果不承担任何责任。
总公司及工厂：
台湾：
17-1号大同路。傅口新竹工业园区，新竹，台湾， ROC
电话： 886-3-597-7061传真： 886-3-597-9220 ， 597-0785
中国：
（ 201203 ） 255号，长江财Lueng RD 。 ，浦勇鑫区尚海城，中国
电话： 86-21-5895-7671 4传真： 86-21-38950165
GM2306
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