公司
GM1386
描述
PNP ê PITAX我AL P L ANAR牛逼RANS ISTO
该GM1386是一个外延平面型PNP硅晶体管。
颁发日期： 2004年2月9日
修改日期： 2005/ 08 / 24B
特点
＆放大器;
集电极饱和电压： V
CE （SAT）
= -0.35V （典型值） @我
C
/I
B
=-4A/-0.1A
低
包装尺寸
&Excellent直流电流增益特性。
SOT-89
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
4.4
4.6
4.05
4.25
1.50
1.70
1.30
1.50
2.40
2.60
0.89
1.20
REF 。
G
H
I
J
K
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
3.00参考。
1.50 REF 。
0.40
0.52
1.40
1.60
0.35
0.41
5 Q TYP 。
0.70 REF 。
在Ta绝对最大额定值= 25 ：
参数
结温
储存温度
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
1
集电极电流（脉冲） *
总功耗
符号
Tj
TSTG
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C
P
D
评级
+150
-55~+150
-30
-20
-6
-5
-10
2
0.5 (2.0* )
单位
V
V
V
A
A
W
* 1单脉冲， PW = 10毫秒。
* 2，当安装在一个40 * 40 * 0.7毫米陶瓷板。
电气特性
（ TA = 25 ：
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
*V
CE （ SAT ）
*h
FE
fT
COB
分钟。
-30
-20
-6
-
-
-
82
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
120
60
中，除非另有说明）
马克斯。
单位
测试条件
-
V
I
C
= -50uA ，我
E
=0
-
V
I
C
= -1mA ，我
B
=0
-
V
I
E
= -50uA ，我
C
=0
-0.5
uA
V
CB
= -20V ，我
E
=0
-0.5
uA
V
EB
= -5V ，我
C
=0
-1.0
V
I
C
= -4A ，我
B
=-100mA
390
V
CE
= -2V ，我
C
=-500mA
-
兆赫
V
CE
= -6V ，我
E
= 50mA时F = 30MHz的
-
pF
V
CB
= -20V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
*脉冲测试：脉冲宽度
380 S，占空比
2%
分类h及
FE
秩
范围
P
82 ~ 180
Q
120 ~ 270
R
180 ~ 390
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颁发日期： 2004年2月9日
修改日期： 2005/ 08 / 24B
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