摹-LINK
GLT7256L08
超高性能3.3V 32K ×8位CMOS静态RAM
2000年3月（ REV 。 2.0 ）
产品特点：
32K ×8位的组织。
超高速 - 8,10,12,15纳秒。
低待机功耗。
说明：
GLT7256L08是高性能256K位的静态
随机存取存储器由8位， 32K
和工作在一个3.3伏的电源。制造
以G -Link技术的非常先进的CMOS分
最大2毫安的GLT7256L08 。
美光科技GLT7256L08提供的组合
全静态操作
特点：非常高的速度和非常低的待机
3.3V ± 5 ％电源供电。
电流。此外，该器件还支持方便
TTL兼容的I / O 。
内存扩展与低电平有效芯片使能
三态输出。
（ CE） ，以及一个低电平有效输出使能（ OE ）
芯片使能进行简单的内存扩展。三态输出。
采用28引脚300密耳SOJ和TSOP
包。
引脚配置：
功能框图：
GLT7256L08
G-联科技股份有限公司
2701西北百汇
美国加州圣克拉拉， 95051 ， U.S.A.
G-菱科技股份有限公司，台湾
2F ， 12号， R&D路。二，科学工业园区，
新竹，台湾，中华民国
-1-
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GLT7256L08
超高性能3.3V 32K ×8位CMOS静态RAM
2000年3月（ REV 。 2.0 ）
引脚说明：
名字
A
0
- A
14
CE
OE
WE
I / O
O
- I / O
7
V
CC
GND
功能
地址输入
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
数据输入和数据输出
+ 3.3V电源
地
事实表：
模式
未选择
（断电）
输出禁用
读
写
绝对最大额定值：
WE
X
H
H
L
CE
H
L
L
L
OE
X
H
L
X
I / O操作
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
V
CC
当前
I
CCSB
,I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
经营范围：
范围
广告
温度
0
o
C至+ 70
o
C
V
CC
3.3V±5%
环境温度
在偏置...................................- 10 ° C至+ 80°C
存储温度（塑料） ....- 55 ° C至+ 125°C
电容
(1)
T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的：
°
电压相对于GND .............- 0.5V至+ 4.6V
数据输出电流.................................. 50毫安
参数
条件最大。单位
功耗1.0W ......................................符号。
1.
应力大于绝对下所列
最大额定值可能会造成永久性损坏
该设备。这是一个额定值只和功能
该器件在这些或任何其他条件操作
以上这些在这个业务部门所标明
特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会
影响可靠性。
C
IN
C
I / O
输入电容
输入/输出
电容
V
IN
=0V
V
I / O
=0V
8
10
pF
pF
G-联科技股份有限公司
2701西北百汇
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G-菱科技股份有限公司，台湾
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新竹，台湾，中华民国
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超高性能3.3V 32K ×8位CMOS静态RAM
2000年3月（ REV 。 2.0 ）
DC特性
符号。
V
IL
V
IH
I
LI
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
I
CCSB
参数
测试条件
分钟。典型值
-0.3
2.0
-5
-5
-
2.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
(1)
马克斯。
+0.8
V
CC
+0.3
5
5
0.4
-
-8 -10 -12 -15
110 100 90 90
15
单位
V
V
A
A
V
V
mA
mA
mA
保证输入低
电压
(2)
保证输入高
电压
(2)
输入漏电流
V
CC
=最大，V
IN
= 0V至V
CC
输出漏电流V
CC
=最大值， CE
≥V
IH
输出低电压
V
CC
=最小值，我
OL
=8mA
输出高电压
V
CC
=最小值，我
OH
=-4mA
工作电源V
CC
=最大值， CE
≤V
IL
,
(3)
当前
I
I / O
= 0毫安。 ，女）= F（
最大
备用电源
当前
V
CC
=最大值， CE
≥V
IH
,
I
I / O
= 0毫安。 ，女）= F（
max(3)
V
CC
=最大值， CE
≥V
CC
.-0.2V,
V
IN
≥V
CC
。 -0.2V或
I
CCSB1
掉电电源
电源电流
-
2
1.典型的特点是在V
CC
= 3.3V ，T
A
=25°C.
2.这些是重复的，以设备接地绝对值和所有因系统或过冲
测试仪噪声都包括在内。
3. F
最大
=1/t
RC
.
数据保留
（只有L型）
符号。
V
DR
参数
V
CC
数据保留
测试条件
CE
≥V
CC
-0.2V,
V
IN
≥V
CC
-0.2V或V
IN
≤0.2V
V
DR
=2.0V
保留波形
分钟。
2.0
典型值
(1)
-
马克斯。
3.6
30
-
-
单位
V
A
ns
ns
I
CCDR(1)
数据保持电流
t
CDR
芯片取消到数据
保留时间
t
R
营业恢复时间
0
t
RC(2)
-
-
1. CE
≥V
DR
-0.2V, V
IN
≥V
DR
-0.2V或V
IN
≤0.2V.
2. t
RC
=读周期时间。
G-联科技股份有限公司
2701西北百汇
美国加州圣克拉拉， 95051 ， U.S.A.
G-菱科技股份有限公司，台湾
2F ， 12号， R&D路。二，科学工业园区，
新竹，台湾，中华民国
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2000年3月（ REV 。 2.0 ）
低V
CC
数据保存波形（ CE控制）
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
时序参考电平
0V至3.0V
3纳秒
1.5V
交流测试负载和波形
AC电气特性
（在商业经营范围）
读周期
参数
名字
-8
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间，
输出使能到输出有效
片选到输出低Z，
CE
输出使能到输出中低Z
芯片取消选择到输出高Z，
CE
输出禁止到输出中高Z
从地址变更输出保持
3
民
8
最大
8
8
5
3
0
4
4
3
0
0
0
3
5
5
民
10
-10
最大
10
10
6
3
0
0
0
3
6
6
民
12
-12
最大
12
12
7
3
0
0
0
3
6
6
民
15
-15
最大
15
15
8
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
RC
t
AA
t
ACS
t
OE
t
CLZ
t
OLZ
t
CHZ
t
OHZ
t
OH
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开关波形（读周期）
读CYCLE1
(1,2,4)
读周期2
(1,3,4)
阅读CYCL E 3
(1)
注意事项：
1.我们是高读周期。
2.设备不断选择CE
≤V
IL
.
3.地址有效之前或重合CE过渡低和/或过渡高。
4. OE
≤V
IL
.
5.转变是从稳定状态下测得为200mV
L
=5pF.
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超高性能3.3V 32K ×8位CMOS静态RAM
2000年3月（ REV 。 2.0 ）
产品特点：
32K ×8位的组织。
超高速 - 8,10,12,15纳秒。
低待机功耗。
说明：
GLT7256L08是高性能256K位的静态
随机存取存储器由8位， 32K
和工作在一个3.3伏的电源。制造
以G -Link技术的非常先进的CMOS分
最大2毫安的GLT7256L08 。
美光科技GLT7256L08提供的组合
全静态操作
特点：非常高的速度和非常低的待机
3.3V ± 5 ％电源供电。
电流。此外，该器件还支持方便
TTL兼容的I / O 。
内存扩展与低电平有效芯片使能
三态输出。
（ CE） ，以及一个低电平有效输出使能（ OE ）
芯片使能进行简单的内存扩展。三态输出。
采用28引脚300密耳SOJ和TSOP
包。
引脚配置：
功能框图：
GLT7256L08
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2000年3月（ REV 。 2.0 ）
引脚说明：
名字
A
0
- A
14
CE
OE
WE
I / O
O
- I / O
7
V
CC
GND
功能
地址输入
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
数据输入和数据输出
+ 3.3V电源
地
事实表：
模式
未选择
（断电）
输出禁用
读
写
绝对最大额定值：
WE
X
H
H
L
CE
H
L
L
L
OE
X
H
L
X
I / O操作
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
V
CC
当前
I
CCSB
,I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
经营范围：
范围
广告
温度
0
o
C至+ 70
o
C
V
CC
3.3V±5%
环境温度
在偏置...................................- 10 ° C至+ 80°C
存储温度（塑料） ....- 55 ° C至+ 125°C
电容
(1)
T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的：
°
电压相对于GND .............- 0.5V至+ 4.6V
数据输出电流.................................. 50毫安
参数
条件最大。单位
功耗1.0W ......................................符号。
1.
应力大于绝对下所列
最大额定值可能会造成永久性损坏
该设备。这是一个额定值只和功能
该器件在这些或任何其他条件操作
以上这些在这个业务部门所标明
特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会
影响可靠性。
C
IN
C
I / O
输入电容
输入/输出
电容
V
IN
=0V
V
I / O
=0V
8
10
pF
pF
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2701西北百汇
美国加州圣克拉拉， 95051 ， U.S.A.
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2000年3月（ REV 。 2.0 ）
DC特性
符号。
V
IL
V
IH
I
LI
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
I
CCSB
参数
测试条件
分钟。典型值
-0.3
2.0
-5
-5
-
2.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
(1)
马克斯。
+0.8
V
CC
+0.3
5
5
0.4
-
-8 -10 -12 -15
110 100 90 90
15
单位
V
V
A
A
V
V
mA
mA
mA
保证输入低
电压
(2)
保证输入高
电压
(2)
输入漏电流
V
CC
=最大，V
IN
= 0V至V
CC
输出漏电流V
CC
=最大值， CE
≥V
IH
输出低电压
V
CC
=最小值，我
OL
=8mA
输出高电压
V
CC
=最小值，我
OH
=-4mA
工作电源V
CC
=最大值， CE
≤V
IL
,
(3)
当前
I
I / O
= 0毫安。 ，女）= F（
最大
备用电源
当前
V
CC
=最大值， CE
≥V
IH
,
I
I / O
= 0毫安。 ，女）= F（
max(3)
V
CC
=最大值， CE
≥V
CC
.-0.2V,
V
IN
≥V
CC
。 -0.2V或
I
CCSB1
掉电电源
电源电流
-
2
1.典型的特点是在V
CC
= 3.3V ，T
A
=25°C.
2.这些是重复的，以设备接地绝对值和所有因系统或过冲
测试仪噪声都包括在内。
3. F
最大
=1/t
RC
.
数据保留
（只有L型）
符号。
V
DR
参数
V
CC
数据保留
测试条件
CE
≥V
CC
-0.2V,
V
IN
≥V
CC
-0.2V或V
IN
≤0.2V
V
DR
=2.0V
保留波形
分钟。
2.0
典型值
(1)
-
马克斯。
3.6
30
-
-
单位
V
A
ns
ns
I
CCDR(1)
数据保持电流
t
CDR
芯片取消到数据
保留时间
t
R
营业恢复时间
0
t
RC(2)
-
-
1. CE
≥V
DR
-0.2V, V
IN
≥V
DR
-0.2V或V
IN
≤0.2V.
2. t
RC
=读周期时间。
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超高性能3.3V 32K ×8位CMOS静态RAM
2000年3月（ REV 。 2.0 ）
低V
CC
数据保存波形（ CE控制）
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
时序参考电平
0V至3.0V
3纳秒
1.5V
交流测试负载和波形
AC电气特性
（在商业经营范围）
读周期
参数
名字
-8
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间，
输出使能到输出有效
片选到输出低Z，
CE
输出使能到输出中低Z
芯片取消选择到输出高Z，
CE
输出禁止到输出中高Z
从地址变更输出保持
3
民
8
最大
8
8
5
3
0
4
4
3
0
0
0
3
5
5
民
10
-10
最大
10
10
6
3
0
0
0
3
6
6
民
12
-12
最大
12
12
7
3
0
0
0
3
6
6
民
15
-15
最大
15
15
8
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
RC
t
AA
t
ACS
t
OE
t
CLZ
t
OLZ
t
CHZ
t
OHZ
t
OH
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超高性能3.3V 32K ×8位CMOS静态RAM
2000年3月（ REV 。 2.0 ）
开关波形（读周期）
读CYCLE1
(1,2,4)
读周期2
(1,3,4)
阅读CYCL E 3
(1)
注意事项：
1.我们是高读周期。
2.设备不断选择CE
≤V
IL
.
3.地址有效之前或重合CE过渡低和/或过渡高。
4. OE
≤V
IL
.
5.转变是从稳定状态下测得为200mV
L
=5pF.
G-联科技股份有限公司
2701西北百汇
美国加州圣克拉拉， 95051 ， U.S.A.
G-菱科技股份有限公司，台湾
2F ， 12号， R&D路。二，科学工业园区，
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