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GLT625608
32K ×8低速CMOS静态RAM
二月， 2001年（修订版1.1 ）
产品特点：
说明：
GLT625608是262144位的静态随机存取
可提供70 / 100纳秒（ MAX 。 ）
当芯片禁用内存由8位和组织为32,768词自动断电
采用单5伏电源。输入
低功耗：
GLT625608
-467.5mW （最大）工作
-500W(Max.)Standby
TTL兼容接口电平
单5V电源
全静态操作
三态输出
256K位的EPROM引脚兼容
数据保留低至2V
工业级（ -40 ° C 85°C ）提供。
三态输出为TTL电平兼容，并允许
直接接口与系统I / O总线。该
GLT625608可在一个标准的330万SOP
包。其他的包也将可根据
请求。
引脚配置：
GLT625608
功能框图：
G-联科技股份有限公司
2701西北百汇
美国加州圣克拉拉， 95051 ， U.S.A.
G-菱科技股份有限公司，台湾
6F ，没有。 24-2 ，产业E. RD 。四，基础的科学
工业园区，新竹， Tawian 。
-1-
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32K ×8低速CMOS静态RAM
二月， 2001年（修订版1.1 ）
引脚说明：
名字
A
0
- A
14
WE
OE
CE
功能
地址输入
写使能
OUTPUT ENABLE
芯片使能
数据输入/输出
电源（+ 5V）
地
I / O
0
-I / O
7
V
cc
GND
事实表：
模式
未选择
（POWER DOWN ）
输出禁用
读
写
WE
X
H
H
L
CE
H
L
L
L
OE
X
H
L
X
I / O操作
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
电源电流
I
SB
,I
SB1
I
SB
,I
SB1
I
CC
I
CC
I
CC
注：X ： H或L
绝对最大额定值：
环境温度
在偏置...................................- 10 ° C至+ 80°C
存储温度（塑料） ....- 55 ° C至+ 125°C
电压相对于GND .............- 0.5V至+ 7.0V
数据输出电流.................................. 50毫安
功耗1.0W ......................................
1.Stresses大于上述绝对上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或以上的任何其他条件
在业务部门所标明的本规范是
不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
经营范围：
范围
广告
产业
环境
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至85°C
VCC
5V
±
10%
5V
±
10%
Capaccitance
(1)
(T
A
=25°C
,
F=1.0MH
Z
)
°
符号
CIN
干熄焦
参数
输入
电容
输入/输出
电容
康迪特
离子
VIN=0V
VI/O=0
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
1，本参数保证和测试。
G-联科技股份有限公司
2701西北百汇
美国加州圣克拉拉， 95051 ， U.S.A.
G-菱科技股份有限公司，台湾
6F ，没有。 24-2 ，产业E. RD 。四，基础的科学
工业园区，新竹， Tawian 。
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二月， 2001年（修订版1.1 ）
DC特性
符号。
参数
V
IL
V
IH
I
LI
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
测试条件
分钟。典型值
(1)
-0.3
2.2
-5
-5
-
2.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
+0.8
V
CC
+0.3
5
5
0.4
-
100
20
单位
V
V
A
A
V
V
mA
mA
保证输入低
电压
(2)(3)
保证输入高
电压
(2)
输入漏电流
V
CC
=最大，V
IN
= 0V至V
CC
输出漏电流V =最大，
CE
≥V
CC
IH
输出低电压
V
CC
=最小值，我
OL
=8mA
输出高电压
V
CC
=最小值，我
OH
=-4mA
工作电源V =最大，
CE
≤V
,
CC
IL
(3)
当前
I = 0毫安。 ，女= F
I / O
最大
I
CCSB
备用电源
当前
I
CCSB1
掉电电源
电源电流
V
CC
=最大，
CE
≥V
IH
,
I
I / O
= 0毫安。 ，女）= F（
max(3)
-
10
10
mA
V
CC
=最大，
CE
≥V
CC
.-0.2V,
V
IN
≥V
CC
。 -0.2V或
1.典型的特点是在V
CC
= 5V ，T
A
=25°C.
2.这些是重复的，以设备接地绝对值和所有因系统或过冲
测试仪噪声都包括在内。
3. F
最大
=1/t
RC
.
数据保留
符号。
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
参数
测试条件
分钟。典型值最大值。单位
2.0
-
0
t
RC
(2)
V
CC
数据保留
CE
≥
V -0.2V
CC
V
IN
≥
V
CC
-0.2V或V
IN
≤
0.2V
数据保留
CE
≥
V - 0.2V
DR
-
2
-
-
-
50
-
-
V
A
)
(1)
当前
V
IN
≥
V
DR
- 0.2V或V
IN
≤
0.2V
芯片取消到数据
保留时间
见保留波形
工作恢复
时间
ns
ns
1. V
DR
= 3V ，T
A
=指定
2. t
RC
=读周期时间
G-联科技股份有限公司
2701西北百汇
美国加州圣克拉拉， 95051 ， U.S.A.
G-菱科技股份有限公司，台湾
6F ，没有。 24-2 ，产业E. RD 。四，基础的科学
工业园区，新竹， Tawian 。
-3-
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32K ×8低速CMOS静态RAM
二月， 2001年（修订版1.1 ）
低V
CC
数据保存波形（ CE控制）
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
参考电平
0V至3.0V
3ns
1.5V
交流测试负载和波形
G-联科技股份有限公司
2701西北百汇
美国加州圣克拉拉， 95051 ， U.S.A.
G-菱科技股份有限公司，台湾
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二月， 2001年（修订版1.1 ）
AC电气特性
读周期
JEDEC
参数
名字
625608-70
参数
名字
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
芯片取消选择到输出中低Z
输出使能到输出中低Z
芯片取消在高Z输出
输出禁止到输出中高Z
从地址变更输出保持
分钟。
马克斯。
625608-10
分钟。
马克斯。
单位
t
AVAX
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
ELQZ
t
GLQX
t
EHQZ
t
GHQZ
t
AXQX
t
RC
t
AA
t
ACS
t
OE
t
CLZ
t
OLZ
t
CHZ
t
OHZ
t
OH
70
-
-
-
5
5
0
0
5
-
70
70
40
-
-
30
30
-
100
-
-
-
10
5
0
0
10
-
100
100
50
-
-
35
35
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
G-联科技股份有限公司
2701西北百汇
美国加州圣克拉拉， 95051 ， U.S.A.
G-菱科技股份有限公司，台湾
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工业园区，新竹， Tawian 。
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二月， 2001年（修订版1.1 ）
产品特点：
说明：
GLT625608是262144位的静态随机存取
可提供70 / 100纳秒（ MAX 。 ）
当芯片禁用内存由8位和组织为32,768词自动断电
采用单5伏电源。输入
低功耗：
GLT625608
-467.5mW （最大）工作
-500W(Max.)Standby
TTL兼容接口电平
单5V电源
全静态操作
三态输出
256K位的EPROM引脚兼容
数据保留低至2V
工业级（ -40 ° C 85°C ）提供。
三态输出为TTL电平兼容，并允许
直接接口与系统I / O总线。该
GLT625608可在一个标准的330万SOP
包。其他的包也将可根据
请求。
引脚配置：
GLT625608
功能框图：
G-联科技股份有限公司
2701西北百汇
美国加州圣克拉拉， 95051 ， U.S.A.
G-菱科技股份有限公司，台湾
6F ，没有。 24-2 ，产业E. RD 。四，基础的科学
工业园区，新竹， Tawian 。
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二月， 2001年（修订版1.1 ）
引脚说明：
名字
A
0
- A
14
WE
OE
CE
功能
地址输入
写使能
OUTPUT ENABLE
芯片使能
数据输入/输出
电源（+ 5V）
地
I / O
0
-I / O
7
V
cc
GND
事实表：
模式
未选择
（POWER DOWN ）
输出禁用
读
写
WE
X
H
H
L
CE
H
L
L
L
OE
X
H
L
X
I / O操作
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
电源电流
I
SB
,I
SB1
I
SB
,I
SB1
I
CC
I
CC
I
CC
注：X ： H或L
绝对最大额定值：
环境温度
在偏置...................................- 10 ° C至+ 80°C
存储温度（塑料） ....- 55 ° C至+ 125°C
电压相对于GND .............- 0.5V至+ 7.0V
数据输出电流.................................. 50毫安
功耗1.0W ......................................
1.Stresses大于上述绝对上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或以上的任何其他条件
在业务部门所标明的本规范是
不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
经营范围：
范围
广告
产业
环境
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至85°C
VCC
5V
±
10%
5V
±
10%
Capaccitance
(1)
(T
A
=25°C
,
F=1.0MH
Z
)
°
符号
CIN
干熄焦
参数
输入
电容
输入/输出
电容
康迪特
离子
VIN=0V
VI/O=0
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
1，本参数保证和测试。
G-联科技股份有限公司
2701西北百汇
美国加州圣克拉拉， 95051 ， U.S.A.
G-菱科技股份有限公司，台湾
6F ，没有。 24-2 ，产业E. RD 。四，基础的科学
工业园区，新竹， Tawian 。
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二月， 2001年（修订版1.1 ）
DC特性
符号。
参数
V
IL
V
IH
I
LI
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
测试条件
分钟。典型值
(1)
-0.3
2.2
-5
-5
-
2.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
+0.8
V
CC
+0.3
5
5
0.4
-
100
20
单位
V
V
A
A
V
V
mA
mA
保证输入低
电压
(2)(3)
保证输入高
电压
(2)
输入漏电流
V
CC
=最大，V
IN
= 0V至V
CC
输出漏电流V =最大，
CE
≥V
CC
IH
输出低电压
V
CC
=最小值，我
OL
=8mA
输出高电压
V
CC
=最小值，我
OH
=-4mA
工作电源V =最大，
CE
≤V
,
CC
IL
(3)
当前
I = 0毫安。 ，女= F
I / O
最大
I
CCSB
备用电源
当前
I
CCSB1
掉电电源
电源电流
V
CC
=最大，
CE
≥V
IH
,
I
I / O
= 0毫安。 ，女）= F（
max(3)
-
10
10
mA
V
CC
=最大，
CE
≥V
CC
.-0.2V,
V
IN
≥V
CC
。 -0.2V或
1.典型的特点是在V
CC
= 5V ，T
A
=25°C.
2.这些是重复的，以设备接地绝对值和所有因系统或过冲
测试仪噪声都包括在内。
3. F
最大
=1/t
RC
.
数据保留
符号。
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
参数
测试条件
分钟。典型值最大值。单位
2.0
-
0
t
RC
(2)
V
CC
数据保留
CE
≥
V -0.2V
CC
V
IN
≥
V
CC
-0.2V或V
IN
≤
0.2V
数据保留
CE
≥
V - 0.2V
DR
-
2
-
-
-
50
-
-
V
A
)
(1)
当前
V
IN
≥
V
DR
- 0.2V或V
IN
≤
0.2V
芯片取消到数据
保留时间
见保留波形
工作恢复
时间
ns
ns
1. V
DR
= 3V ，T
A
=指定
2. t
RC
=读周期时间
G-联科技股份有限公司
2701西北百汇
美国加州圣克拉拉， 95051 ， U.S.A.
G-菱科技股份有限公司，台湾
6F ，没有。 24-2 ，产业E. RD 。四，基础的科学
工业园区，新竹， Tawian 。
-3-
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二月， 2001年（修订版1.1 ）
低V
CC
数据保存波形（ CE控制）
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
参考电平
0V至3.0V
3ns
1.5V
交流测试负载和波形
G-联科技股份有限公司
2701西北百汇
美国加州圣克拉拉， 95051 ， U.S.A.
G-菱科技股份有限公司，台湾
6F ，没有。 24-2 ，产业E. RD 。四，基础的科学
工业园区，新竹， Tawian 。
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32K ×8低速CMOS静态RAM
二月， 2001年（修订版1.1 ）
AC电气特性
读周期
JEDEC
参数
名字
625608-70
参数
名字
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
芯片取消选择到输出中低Z
输出使能到输出中低Z
芯片取消在高Z输出
输出禁止到输出中高Z
从地址变更输出保持
分钟。
马克斯。
625608-10
分钟。
马克斯。
单位
t
AVAX
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
ELQZ
t
GLQX
t
EHQZ
t
GHQZ
t
AXQX
t
RC
t
AA
t
ACS
t
OE
t
CLZ
t
OLZ
t
CHZ
t
OHZ
t
OH
70
-
-
-
5
5
0
0
5
-
70
70
40
-
-
30
30
-
100
-
-
-
10
5
0
0
10
-
100
100
50
-
-
35
35
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
G-联科技股份有限公司
2701西北百汇
美国加州圣克拉拉， 95051 ， U.S.A.
G-菱科技股份有限公司，台湾
6F ，没有。 24-2 ，产业E. RD 。四，基础的科学
工业园区，新竹， Tawian 。
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QQ：2881677436 复制
