【G- LINK先进GLT5640L32CMOS同步DRAM2M ×32 SDRAM512K X 32】,IC型号GLT5640L32,GLT5640L32 PDF资料,GLT5640L32经销商,ic,电子元器件-51电子网

G- LINK

先进

GLT5640L32

CMOS同步DRAM

2M ×32 SDRAM

512K X 32位X 4Banks

同步DRAM

G-联科技股份有限公司

G-菱科技股份有限公司， TaiwanWeb ：

www.glink.com.tw

电子邮件：

sales@glink.com.tw

电话： 886-2-26599658

GLINK保留更改产品或规格，恕不另行通知。

G- LINK技术

CORP 。

DEC

2003

Rev.0.3

G- LINK

设备描述&功能

引脚分配

引脚说明

绝对最大额定值

电容

DC特性&工作条件

交流工作条件下

DC特性

AC特性-I

AC特性-II

器件工作表选项

命令真值表

功能框图

简化的状态图

功能说明

初始化

注册德网络nition

模式寄存器

突发长度

突发类型

CAS延迟

经营模式

写突发模式

COMMANDS

COMMAND INHIBIT

无操作（ NOP ）

加载模式寄存器

活跃

读

写

预充电

自动预充电

BURST TERMINATE

自动刷新

自刷新

… 17

… 18

… 2

… 3

… 4

… 5

… 6

… 7

… 8

… 9

… 10

… 11

… 12

… 13

… 14

… 15

… 16

操作

先进

GLT5640L32

CMOS同步DRAM

银行/行激活

读操作

写操作

预充电

掉电

时钟暂停

突发读/写单

并发自动预充电

阅读与自动预充电

写带自动预充电

时序波形

初始化和加载模式寄存器

掉电模式

时钟挂起模式

自动刷新模式

自刷新模式

读操作

单次读取无自动预充电

阅读没有自动预充电

阅读与自动预充电

交变BANK读访问

阅读全页突发

读操作DQM

写操作

单不写自动预充电

乱写自动预充电

写带自动预充电

交变BANK写访问

写全页突发

写操作DQM

显存部分编号

包装尺寸

… 19

… 20

… 26

… 28

… 29

… 30

… 31

… 32

… 33

… 34

… 35

… 36

… 37

… 38

… 39

… 40

… 41

… 42

… 43

… 44

… 45

… 46

… 47

… 48

… 49

G- LINK技术

CORP 。

DEC

2003

Rev.0.3

G- LINK

先进

GLT5640L32

CMOS同步DRAM

描述

对G -Link的GLT5640L32是一种高速67,108,864bits CMOS同步DRAM被划分为4银行524,288字×

32位。

GLT5640L32是提供完全同步的动作，是参照时钟的正边缘。所有的输入和输出

与时钟输入的上升沿同步。的数据通路内部流水线，以达到非常高的带宽。所有

输入和输出电压电平与LVTTL兼容。

特点

JEDEC标准的3.3V电源。

自动刷新和自刷新。

所有器件引脚与LVTTL接口兼容。

4096刷新周期/ 64ms的。

JEDEC标准的86pin 400mil TSOP- II与引脚0.5mm的

间距。

可编程突发长度和突发型。

- 1 ， 2 ， 4 ， 8或整页的顺序突发。

- 4或8的交织突发。

可编程CAS延时： 2,3时钟。

所有输入和输出参考的正边缘

系统时钟。

通过DQM0,1,2和3数据屏蔽功能。

内部四家银行的操作。

突发读取单一写操作。

自动预充电，主要包括并发汽车

预充电模式和控制预充电

订购信息

产品型号

GLT5640L32-5

GLT5640L32 -5.5

GLT5640L32 -6

GLT5640L32 -7

GLT5640L32 -8

GLT5640L32 -10

时钟频率。

200MHz

183MHz

166MHz

143MHz

125MHz

100MHz

动力

组织

接口

包

普通电源

4银行

X 512K位

x 32

LVTTL

86pin

400mil

TSOP -II

G- LINK技术

CORP 。

DEC

2003

Rev.0.3

G- LINK

引脚配置（顶视图）

VDD

DQ0

VDDQ

DQ1

DQ2

VSSQ

DQ3

DQ4

VDDQ

DQ5

DQ6

VSSQ

DQ7

N.C

VDD

DQM0

/ WE

/ CAS

/ RAS

/ CS

N.C

BA0

BA1

A10/AP

DQM2

VDD

N.C

DQ16

VSSQ

DQ17

DQ18

VDDQ

DQ19

DQ20

VSSQ

DQ21

DQ22

VDDQ

DQ23

VDD

先进

GLT5640L32

CMOS同步DRAM

VSS

DQ15

VSSQ

DQ14

DQ13

VDDQ

DQ12

DQ11

VSSQ

DQ10

DQ9

VDDQ

DQ8

N.C

VSS

DQM1

N.C

CLK

CKE

DQM3

VSS

N.C

DQ31

VDDQ

DQ30

DQ29

VSSQ

DQ28

DQ27

VDDQ

DQ26

DQ25

VSSQ

DQ24

VSS

86Pin TSOP （II）的

0.5毫米引脚间距

（ 400mil X 875mil ）

G- LINK技术

CORP 。

DEC

2003

Rev.0.3

G- LINK

先进

GLT5640L32

CMOS同步DRAM

引脚说明

针

CLK

引脚名称

系统时钟

说明

系统时钟输入。所有其它输入都被注册到

SDRAM上的优势CLK上升沿

控制内部时钟信号和去激活时，该

SDRAM将跻身断电的国家之一，

暂停或自刷新

启用或禁用除CLK ， CKE和DQM所有输入

选择银行RAS活动期间激活

CAS活动期间选择银行进行读/写

行地址

列地址

自动预充电标志

： RA0 RA10 ，

： CA0 CA7 ，

: A10

CKE

时钟使能

BA0 ， BA1

芯片选择

银行地址

A0~A10/AP

地址

行地址选通，

列地址选通，

写使能

数据输入/输出面膜

数据输入/输出

电源/接地

数据输出电源/接地

无连接

RAS ， CAS ， WE

RAS ， CAS和WE定义操作

请参阅功能真值表细节

控制输出缓冲器中读取模式和口罩的输入数据

写模式

复用的数据输入/输出引脚

电源为内部电路和输入缓冲器

电源，输出缓冲器

无连接

DQM0~3

DQ0~DQ31

VDD / VSS

VDDQ / VSSQ

绝对最大额定值

参数

环境温度

储存温度

任何引脚相对于VSS的电压

在VDD相对于VSS的电压

短路输出电流

功耗

符号

TSTG

VIN，VOUT

VDD ， VDDQ

IOS

等级

0~70

-55~125

-1.0~4.6

单位

°C

G- LINK技术

CORP 。

DEC

2003

Rev.0.3

G- LINK

先进

GLT5640L32

CMOS同步DRAM

2M ×32 SDRAM

512K X 32位X 4Banks

同步DRAM

G-联科技股份有限公司

G-菱科技股份有限公司， TaiwanWeb ：

www.glink.com.tw

电子邮件：

sales@glink.com.tw

电话： 886-2-26599658

GLINK保留更改产品或规格，恕不另行通知。

G- LINK技术

CORP 。

DEC

2003

Rev.0.3

G- LINK

设备描述&功能

引脚分配

引脚说明

绝对最大额定值

电容

DC特性&工作条件

交流工作条件下

DC特性

AC特性-I

AC特性-II

器件工作表选项

命令真值表

功能框图

简化的状态图

功能说明

初始化

注册德网络nition

模式寄存器

突发长度

突发类型

CAS延迟

经营模式

写突发模式

COMMANDS

COMMAND INHIBIT

无操作（ NOP ）

加载模式寄存器

活跃

读

写

预充电

自动预充电

BURST TERMINATE

自动刷新

自刷新

… 17

… 18

… 2

… 3

… 4

… 5

… 6

… 7

… 8

… 9

… 10

… 11

… 12

… 13

… 14

… 15

… 16

操作

先进

GLT5640L32

CMOS同步DRAM

银行/行激活

读操作

写操作

预充电

掉电

时钟暂停

突发读/写单

并发自动预充电

阅读与自动预充电

写带自动预充电

时序波形

初始化和加载模式寄存器

掉电模式

时钟挂起模式

自动刷新模式

自刷新模式

读操作

单次读取无自动预充电

阅读没有自动预充电

阅读与自动预充电

交变BANK读访问

阅读全页突发

读操作DQM

写操作

单不写自动预充电

乱写自动预充电

写带自动预充电

交变BANK写访问

写全页突发

写操作DQM

显存部分编号

包装尺寸

… 19

… 20

… 26

… 28

… 29

… 30

… 31

… 32

… 33

… 34

… 35

… 36

… 37

… 38

… 39

… 40

… 41

… 42

… 43

… 44

… 45

… 46

… 47

… 48

… 49

G- LINK技术

CORP 。

DEC

2003

Rev.0.3

G- LINK

先进

GLT5640L32

CMOS同步DRAM

描述

对G -Link的GLT5640L32是一种高速67,108,864bits CMOS同步DRAM被划分为4银行524,288字×

32位。

GLT5640L32是提供完全同步的动作，是参照时钟的正边缘。所有的输入和输出

与时钟输入的上升沿同步。的数据通路内部流水线，以达到非常高的带宽。所有

输入和输出电压电平与LVTTL兼容。

特点

JEDEC标准的3.3V电源。

自动刷新和自刷新。

所有器件引脚与LVTTL接口兼容。

4096刷新周期/ 64ms的。

JEDEC标准的86pin 400mil TSOP- II与引脚0.5mm的

间距。

可编程突发长度和突发型。

- 1 ， 2 ， 4 ， 8或整页的顺序突发。

- 4或8的交织突发。

可编程CAS延时： 2,3时钟。

所有输入和输出参考的正边缘

系统时钟。

通过DQM0,1,2和3数据屏蔽功能。

内部四家银行的操作。

突发读取单一写操作。

自动预充电，主要包括并发汽车

预充电模式和控制预充电

订购信息

产品型号

GLT5640L32-5

GLT5640L32 -5.5

GLT5640L32 -6

GLT5640L32 -7

GLT5640L32 -8

GLT5640L32 -10

时钟频率。

200MHz

183MHz

166MHz

143MHz

125MHz

100MHz

动力

组织

接口

包

普通电源

4银行

X 512K位

x 32

LVTTL

86pin

400mil

TSOP -II

G- LINK技术

CORP 。

DEC

2003

Rev.0.3

G- LINK

引脚配置（顶视图）

VDD

DQ0

VDDQ

DQ1

DQ2

VSSQ

DQ3

DQ4

VDDQ

DQ5

DQ6

VSSQ

DQ7

N.C

VDD

DQM0

/ WE

/ CAS

/ RAS

/ CS

N.C

BA0

BA1

A10/AP

DQM2

VDD

N.C

DQ16

VSSQ

DQ17

DQ18

VDDQ

DQ19

DQ20

VSSQ

DQ21

DQ22

VDDQ

DQ23

VDD

先进

GLT5640L32

CMOS同步DRAM

VSS

DQ15

VSSQ

DQ14

DQ13

VDDQ

DQ12

DQ11

VSSQ

DQ10

DQ9

VDDQ

DQ8

N.C

VSS

DQM1

N.C

CLK

CKE

DQM3

VSS

N.C

DQ31

VDDQ

DQ30

DQ29

VSSQ

DQ28

DQ27

VDDQ

DQ26

DQ25

VSSQ

DQ24

VSS

86Pin TSOP （II）的

0.5毫米引脚间距

（ 400mil X 875mil ）

G- LINK技术

CORP 。

DEC

2003

Rev.0.3

G- LINK

先进

GLT5640L32

CMOS同步DRAM

引脚说明

针

CLK

引脚名称

系统时钟

说明

系统时钟输入。所有其它输入都被注册到

SDRAM上的优势CLK上升沿

控制内部时钟信号和去激活时，该

SDRAM将跻身断电的国家之一，

暂停或自刷新

启用或禁用除CLK ， CKE和DQM所有输入

选择银行RAS活动期间激活

CAS活动期间选择银行进行读/写

行地址

列地址

自动预充电标志

： RA0 RA10 ，

： CA0 CA7 ，

: A10

CKE

时钟使能

BA0 ， BA1

芯片选择

银行地址

A0~A10/AP

地址

行地址选通，

列地址选通，

写使能

数据输入/输出面膜

数据输入/输出

电源/接地

数据输出电源/接地

无连接

RAS ， CAS ， WE

RAS ， CAS和WE定义操作

请参阅功能真值表细节

控制输出缓冲器中读取模式和口罩的输入数据

写模式

复用的数据输入/输出引脚

电源为内部电路和输入缓冲器

电源，输出缓冲器

无连接

DQM0~3

DQ0~DQ31

VDD / VSS

VDDQ / VSSQ

绝对最大额定值

参数

环境温度

储存温度

任何引脚相对于VSS的电压

在VDD相对于VSS的电压

短路输出电流

功耗

符号

TSTG

VIN，VOUT

VDD ， VDDQ

IOS

等级

0~70

-55~125

-1.0~4.6

单位

°C

G- LINK技术

CORP 。

DEC

2003

Rev.0.3