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GLT5640AL16
4M ×16的CMOS同步动态RAM
2004年2月（ Rev.0.1 ）
描述
该GLT5640AL16是高速67,108,864位同步动态随机存取存储器，组织成
1,048,576 ×16× 4 （字X位x行） ，分别。
同步DRAM的实现的高速数据传输使用流水线架构和时钟频率高达
到183MHz 。所有输入和输出都与时钟的上升沿同步。该同步DRAM是
低电压TTL （ LVTTL ）。这些产品兼容封装在54引脚TSOPII 。
特点
单3.3V （ （ ± 0.3V ）电源
高速时钟周期-5.5 ： 183MHz<3-3-3> ， -6： 166MHz<3-3-3> ， -7 ： 143MHz<3-3-3> ， -8 ： 125MHz<3-3-3>
-10 ： 100MHz<3-3-3>
完全同步操作参考时钟上升沿
可以断言在每一个周期中的随机接入列
四银行内部由BA0 & BA1控制（银行选择）
通过 LDQM和UDQM的字节控制
可编程的缠绕顺序（顺序/交织）
可编程突发长度（1， 2 ，4，8和全页）
可编程/ CAS延迟（ 2和3 ）
自动预充电和预充电控制
CBR （自动）刷新和自刷新
X16组织
?? LVTTL兼容的输入和输出
4096刷新周期/ 64ms的
突发终止突发停止和预充电命令
G- Link技术公司，台湾
网址： www.glink.com.tw
电子邮件： sales@glink.com.tw
电话： 886-2-27968078
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GLT5640AL16
4M ×16的CMOS同步动态RAM
2004年2月（ Rev.0.1 ）
引脚功能
符号
CLK
CKE
输入
输入
输入
功能
主时钟：其它输入信号被引用到CLK上升沿
时钟使能： CKE高激活，并且CKE低停用内部时钟信号，装置
输入缓冲器和输出驱动器。停用时钟提供了预充电掉电
和自刷新操作（所有银行闲置） ，或ACTIVE POWER- DOWN （行活跃于任何
银行） 。
片选：
CS
启用（注册LOW ）和禁用（注册HIGH ）命令
解码器。所有的命令都被屏蔽时，
CS
注册HIGH 。
CS
提供了使用外部
在与多家银行系统，银行的选择。
CS
被认为是命令代码的一部分。
RAS
,
CAS
,
WE
A0 - A13
输入
输入命令：
RAS
,
CAS
和
WE
（随着
CS
）定义所输入的命令。
地址输入：提供行地址为ACTIVE命令，和列地址，
自动预充电位为读/写命令，以选择一个位置从存储器中
阵列中的各行。行地址由A0 -A11指定。列地址是
由A0 -A7指定
银行地址输入： BA0和BA1确定哪个银行的积极，读，写或
预充电命令被应用。
嚣面膜/输出禁止：当DQM是高突发写入，DIN当前周期
蒙面。当DQM是高突发读取， Dout为禁用（ 2 - 时钟延迟） 。
数据输入/输出：数据总线
电源为内存阵列和外围电路
电源被提供到输出缓冲器只
CS
输入
输入
BA0,BA1
DQM ， UDQM ，
LDQM
DQ0 - DQ15
VDD ， VSS
VDDQ ， VSSQ
输入
输入
I / O
供应
供应
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4M ×16的CMOS同步动态RAM
2004年2月（ Rev.0.1 ）
绝对最大额定值
参数
电源电压
电源电压输出
输入电压
输出电压
短路输出电流
功耗
工作温度
储存温度
符号
VDD
VDDQ
VI
VO
IO
PD
TOPT
TSTG
条件
相对于VSS
相对于VSSQ
相对于VSS
相对于VSSQ
TA = 25℃
价值
-0.5到4.6
-0.5到4.6
-0.5 VDD + 0.5
-0.5到VDDQ + 0.5
50
1
0到70
-65到150
单位
V
V
V
V
mA
W
°C
°C
小心
该设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能会造成永久性的损害。该装置并不意味着是
在本说明书中的操作部分中所述的限制之外的条件下操作。长期在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
推荐工作条件（大= 0 70°C ，除非另有说明）
参数
电源电压
电源电压DQ
地
地面DQ
高电平输入电压（所有输入）
低电平输入电压（所有输入）
符号
VDD
VDDQ
VSS
VSSQ
VIH
VIL
分钟。
3.0
3.0
0
0
2.0
-0.3
范围
典型值。
3.3
3.3
0
0
单位
马克斯。
3.6
3.6
0
0
VDD + 0.3
0.8
V
V
V
V
V
V
注意：
1.所有电压参考VSS = 0V 。
2.VIH （max）是可接受的5.6V的交流脉冲宽度与
≤
持续时间为3ns 。
3.VIL （分钟）是可以接受的-2.0V交流脉冲宽度
≤
持续时间为3ns 。
引脚电容（钽= 0 70 ° C，V
DD
= V
DDQ
= 3.3±0.3V , V
SS
= V
SSQ
= 0V时，除非另有说明）
±
参数
输入电容，地址&控制引脚
输入电容， CLK引脚
数据输入/输出电容
符号
CIN
CCLK
CI / O
民
2.5
2.5
4.0
最大
3.8
3.5
6.5
单位
pF
pF
pF
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4M ×16的CMOS同步动态RAM
2004年2月（ Rev.0.1 ）
描述
该GLT5640AL16是高速67,108,864位同步动态随机存取存储器，组织成
1,048,576 ×16× 4 （字X位x行） ，分别。
同步DRAM的实现的高速数据传输使用流水线架构和时钟频率高达
到183MHz 。所有输入和输出都与时钟的上升沿同步。该同步DRAM是
低电压TTL （ LVTTL ）。这些产品兼容封装在54引脚TSOPII 。
特点
单3.3V （ （ ± 0.3V ）电源
高速时钟周期-5.5 ： 183MHz<3-3-3> ， -6： 166MHz<3-3-3> ， -7 ： 143MHz<3-3-3> ， -8 ： 125MHz<3-3-3>
-10 ： 100MHz<3-3-3>
完全同步操作参考时钟上升沿
可以断言在每一个周期中的随机接入列
四银行内部由BA0 & BA1控制（银行选择）
通过 LDQM和UDQM的字节控制
可编程的缠绕顺序（顺序/交织）
可编程突发长度（1， 2 ，4，8和全页）
可编程/ CAS延迟（ 2和3 ）
自动预充电和预充电控制
CBR （自动）刷新和自刷新
X16组织
?? LVTTL兼容的输入和输出
4096刷新周期/ 64ms的
突发终止突发停止和预充电命令
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2004年2月（ Rev.0.1 ）
引脚功能
符号
CLK
CKE
输入
输入
输入
功能
主时钟：其它输入信号被引用到CLK上升沿
时钟使能： CKE高激活，并且CKE低停用内部时钟信号，装置
输入缓冲器和输出驱动器。停用时钟提供了预充电掉电
和自刷新操作（所有银行闲置） ，或ACTIVE POWER- DOWN （行活跃于任何
银行） 。
片选：
CS
启用（注册LOW ）和禁用（注册HIGH ）命令
解码器。所有的命令都被屏蔽时，
CS
注册HIGH 。
CS
提供了使用外部
在与多家银行系统，银行的选择。
CS
被认为是命令代码的一部分。
RAS
,
CAS
,
WE
A0 - A13
输入
输入命令：
RAS
,
CAS
和
WE
（随着
CS
）定义所输入的命令。
地址输入：提供行地址为ACTIVE命令，和列地址，
自动预充电位为读/写命令，以选择一个位置从存储器中
阵列中的各行。行地址由A0 -A11指定。列地址是
由A0 -A7指定
银行地址输入： BA0和BA1确定哪个银行的积极，读，写或
预充电命令被应用。
嚣面膜/输出禁止：当DQM是高突发写入，DIN当前周期
蒙面。当DQM是高突发读取， Dout为禁用（ 2 - 时钟延迟） 。
数据输入/输出：数据总线
电源为内存阵列和外围电路
电源被提供到输出缓冲器只
CS
输入
输入
BA0,BA1
DQM ， UDQM ，
LDQM
DQ0 - DQ15
VDD ， VSS
VDDQ ， VSSQ
输入
输入
I / O
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4M ×16的CMOS同步动态RAM
2004年2月（ Rev.0.1 ）
绝对最大额定值
参数
电源电压
电源电压输出
输入电压
输出电压
短路输出电流
功耗
工作温度
储存温度
符号
VDD
VDDQ
VI
VO
IO
PD
TOPT
TSTG
条件
相对于VSS
相对于VSSQ
相对于VSS
相对于VSSQ
TA = 25℃
价值
-0.5到4.6
-0.5到4.6
-0.5 VDD + 0.5
-0.5到VDDQ + 0.5
50
1
0到70
-65到150
单位
V
V
V
V
mA
W
°C
°C
小心
该设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能会造成永久性的损害。该装置并不意味着是
在本说明书中的操作部分中所述的限制之外的条件下操作。长期在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
推荐工作条件（大= 0 70°C ，除非另有说明）
参数
电源电压
电源电压DQ
地
地面DQ
高电平输入电压（所有输入）
低电平输入电压（所有输入）
符号
VDD
VDDQ
VSS
VSSQ
VIH
VIL
分钟。
3.0
3.0
0
0
2.0
-0.3
范围
典型值。
3.3
3.3
0
0
单位
马克斯。
3.6
3.6
0
0
VDD + 0.3
0.8
V
V
V
V
V
V
注意：
1.所有电压参考VSS = 0V 。
2.VIH （max）是可接受的5.6V的交流脉冲宽度与
≤
持续时间为3ns 。
3.VIL （分钟）是可以接受的-2.0V交流脉冲宽度
≤
持续时间为3ns 。
引脚电容（钽= 0 70 ° C，V
DD
= V
DDQ
= 3.3±0.3V , V
SS
= V
SSQ
= 0V时，除非另有说明）
±
参数
输入电容，地址&控制引脚
输入电容， CLK引脚
数据输入/输出电容
符号
CIN
CCLK
CI / O
民
2.5
2.5
4.0
最大
3.8
3.5
6.5
单位
pF
pF
pF
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