GLT5160L16
16M （ 2 - X银行524288字×16位）同步DRAM
先进
F
EATURES
U单3.3 V± 0.3 V电源供电
ü时钟频率100兆赫/ 125兆赫/ 143兆赫/
166兆赫
参考时钟上升沿ü完全同步操作
ü由BA控制的双行操作（银行地址）
ü CAS延时： 2月3日（可编程）
ü突发长度 - 1/2/ 4/8 &全页（可编程）
ü突发类型 - 顺序/交错（可编程）
ü工业级可用
u
u
u
u
u
u
u
通过DQMU和DQML字节控制
列存取 - 随机
自动预充电/所有银行预充电用A来控制[ 10 ]
自动刷新和自刷新
4096刷新周期/ 64毫秒
LVTTL接口
400万， 50引脚薄型小尺寸封装（ TSOP II ）与
0.8毫米引线间距
ü 60球， 6.4mmx10.1mm VFBGA封装0.65毫米球
球场& 0.35毫米球的直径。
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该GLT5160L16是2 X银行524288字×16位同步的
理性的DRAM ，与LVTTL接口。所有的输入和输出
参考CLK的上升沿。该GLT5160L16实现
非常高速的数据速率高达166兆赫，并且是适合于主
存储器或图形存储器中的计算机系统。
十二月2003 （ Rev.2.4 ）
1
F
UNCTIONAL
B
LOCK
D
IAGRAM
A[10:0]
BA
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
DQML
DQMU
控制
信号缓冲器
地址缓冲器
模式
注册
存储阵列
银行＃ 0
I / O缓冲器
存储阵列
银行＃ 1
DQ [15：0 ]
时钟缓冲器
图1： 16M （ 2 - X银行524288字×16位）同步DRAM
信号说明
信号
CLK
CKE
TYPE
输入
输入
描述
主时钟：所有其他输入参考CLK的上升沿。
时钟使能： CKE控制的内部时钟。当CKE为低电平时，对于下一个周期的内部时钟就停止。
CKE也可以用来选择自动/自刷新。之后，开始自刷新模式时， CKE变成异步
输入。只要CKE是低自刷新保持。
芯片选择：当CS为高电平时，任何命令意味着任何操作。
RAS结合， CAS ，我们定义了基本的命令。
A [ 10 ： 0 ]指定与BA相结合的行/列地址。该行地址由指定的[ 10 ： 0 ] 。
列地址由指定的[ 7 ： 0 ] 。 A [ 10]也可以用来表示预充电选项。当A [10]
高，在一个读/写命令时，自动预充电被执行。当A [10]高在预充电命令，
两家银行预充电。
银行地址： BA不是简单的[ 11 ] 。 BA指定该命令适用的银行。 BA必须设置
与ACT ， PRE ，读取，写入命令。
数据在与数据输出被引用到CLK的上升沿。
下部DIN [ 7 ： 0 ]面膜/低输出[ 7 ： 0 ]禁用：当DQML是高突发写，下部DIN [ 7 ： 0 ]为
当前周期被屏蔽。当DQML是高突发读取，降低Dout的[ 7 ： 0]在接下来的只有一个禁用
周期。
上锭[15 ： 8 ]面膜/上输出[ 15 ： 8]禁用：当DQMU是高突发写入，上锭（ 8-15 ）的
当前周期被屏蔽。当DQMU是高突发读取，上面的Dout [15 ： 8]在接下来的禁止，但
一个周期。
电源，用于在存储器阵列和外围电路。
V
DDQ
和V
SSQ
被提供给唯一的输出缓冲器。
CS
RAS ， CAS ， WE
A[10:0]
输入
输入
输入
BA
DQ [15：0 ]
DQML
输入
输入/输出
输入
DQMU
输入
V
DD
, V
SS
V
DDQ
, V
SSQ
电源
电源
2
G- LINK技术
十二月2003 （修订版2.4 ）
控制电路
F
UNCTIONAL
D
ESCRIPTION
该GLT5160L16提供了基本的功能，银行（行）激活，
突发读/写，银行（行）预充电和自动/自刷新。
每一个命令是由RAS ， CAS和WE控制信号定义
在CLK的上升沿。除了3个信号， CS ， CKE和A [ 10]
用作芯片选择，刷新选项，和预充电的选项，
分别。
要知道命令的详细定义，请参见的COM
命令真值表。
CLK
CS
RAS
CAS
WE
CKE
A[10]
芯片选择： L =选择， H =取消
COM-
COM-
COM-
刷新选项@refresh命令
预充电选@预充电或读/写
命令
定义基本的COM
读（READ ） [ RAS = H ， CAS = 1， WE = H ]
READ命令启动突发由指定的银行主动阅读
BA 。 CAS延迟时间后第一个输出数据出现。当A [ 10] = H在
此命令后，银行突发读取（自动预后停用
充电， READA ） 。
写（写） [ RAS = H ， CAS = WE = L]
写命令启动突发写入由指定的银行活跃
BA 。要写入的总数据长度是由脉冲串长度设置。当
A [ 10] = H在此命令中，银行是一阵后停用
写（自动预充电， WRITEA ） 。
预充电（PRE）
[ RAS = L ， CAS = H ， WE = L]
PRE命令将停用由BA表示活动的银行。这
命令还终止突发的读/写操作。当A [ 10 ]
= H在此命令中，两家银行被停用（预充电所有，
PREA ） 。
激活（ ACT ） [ RAS = L ， CAS = WE = H ]
ACT命令激活一排由BA表示闲置银行。
自动刷新（ REFA ）
[ RAS CAS = = L ， WE = CKE = H ]
REFA命令启动自动刷新周期。刷新地址includ-
ING银行地址是内部产生。这个命令后，
银行会自动预充电。如果任何其他的命令
不能断言，直到吨
RC
得到满足。
命令真值表
[1]
命令
DESELECT
无操作
行地址输入&银行激活
单个组预充电
预充电所有银行
列地址输入&写
列地址输入&写带自动预充电
列地址输入&读
列地址输入&阅读与自动预充电
自动刷新
自刷新进入
自刷新退出
助记符
DESEL
NOP
法案
PRE
PREA
写
WRITEA
读
READA
REFA
REFS
REFSX
CKE正
1
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
L
BURST TERMINATE
模式寄存器设置
TBST
太太
H
H
CKE
X
X
X
X
X
X
X
X
X
H
L
H
H
X
X
CS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
RAS
X
H
L
L
L
H
H
H
H
L
L
X
H
H
L
CAS
X
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
X
H
H
L
WE
X
H
H
L
L
L
L
H
H
H
H
X
H
L
L
BA
X
X
V
V
V
V
V
V
V
X
X
X
X
X
X
A[10
]
X
X
V
L
H
L
H
L
H
X
X
X
X
X
L
A[9:
0]
X
X
V
X
X
V
V
V
V
X
X
X
X
X
V
1. H =高电平， L =低的水平， V =有效， X =无所谓， N = CLK周期数
G- LINK技术
十二月2003 （ Rev.2.4 ）
3
GLT5160L16
16M （ 2 - X银行524288字×16位）同步DRAM
先进
F
EATURES
U单3.3 V± 0.3 V电源供电
ü时钟频率100兆赫/ 125兆赫/ 143兆赫/
166兆赫
参考时钟上升沿ü完全同步操作
ü由BA控制的双行操作（银行地址）
ü CAS延时： 2月3日（可编程）
ü突发长度 - 1/2/ 4/8 &全页（可编程）
ü突发类型 - 顺序/交错（可编程）
ü工业级可用
u
u
u
u
u
u
u
通过DQMU和DQML字节控制
列存取 - 随机
自动预充电/所有银行预充电用A来控制[ 10 ]
自动刷新和自刷新
4096刷新周期/ 64毫秒
LVTTL接口
400万， 50引脚薄型小尺寸封装（ TSOP II ）与
0.8毫米引线间距
ü 60球， 6.4mmx10.1mm VFBGA封装0.65毫米球
球场& 0.35毫米球的直径。
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该GLT5160L16是2 X银行524288字×16位同步的
理性的DRAM ，与LVTTL接口。所有的输入和输出
参考CLK的上升沿。该GLT5160L16实现
非常高速的数据速率高达166兆赫，并且是适合于主
存储器或图形存储器中的计算机系统。
十二月2003 （ Rev.2.4 ）
1
F
UNCTIONAL
B
LOCK
D
IAGRAM
A[10:0]
BA
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
DQML
DQMU
控制
信号缓冲器
地址缓冲器
模式
注册
存储阵列
银行＃ 0
I / O缓冲器
存储阵列
银行＃ 1
DQ [15：0 ]
时钟缓冲器
图1： 16M （ 2 - X银行524288字×16位）同步DRAM
信号说明
信号
CLK
CKE
TYPE
输入
输入
描述
主时钟：所有其他输入参考CLK的上升沿。
时钟使能： CKE控制的内部时钟。当CKE为低电平时，对于下一个周期的内部时钟就停止。
CKE也可以用来选择自动/自刷新。之后，开始自刷新模式时， CKE变成异步
输入。只要CKE是低自刷新保持。
芯片选择：当CS为高电平时，任何命令意味着任何操作。
RAS结合， CAS ，我们定义了基本的命令。
A [ 10 ： 0 ]指定与BA相结合的行/列地址。该行地址由指定的[ 10 ： 0 ] 。
列地址由指定的[ 7 ： 0 ] 。 A [ 10]也可以用来表示预充电选项。当A [10]
高，在一个读/写命令时，自动预充电被执行。当A [10]高在预充电命令，
两家银行预充电。
银行地址： BA不是简单的[ 11 ] 。 BA指定该命令适用的银行。 BA必须设置
与ACT ， PRE ，读取，写入命令。
数据在与数据输出被引用到CLK的上升沿。
下部DIN [ 7 ： 0 ]面膜/低输出[ 7 ： 0 ]禁用：当DQML是高突发写，下部DIN [ 7 ： 0 ]为
当前周期被屏蔽。当DQML是高突发读取，降低Dout的[ 7 ： 0]在接下来的只有一个禁用
周期。
上锭[15 ： 8 ]面膜/上输出[ 15 ： 8]禁用：当DQMU是高突发写入，上锭（ 8-15 ）的
当前周期被屏蔽。当DQMU是高突发读取，上面的Dout [15 ： 8]在接下来的禁止，但
一个周期。
电源，用于在存储器阵列和外围电路。
V
DDQ
和V
SSQ
被提供给唯一的输出缓冲器。
CS
RAS ， CAS ， WE
A[10:0]
输入
输入
输入
BA
DQ [15：0 ]
DQML
输入
输入/输出
输入
DQMU
输入
V
DD
, V
SS
V
DDQ
, V
SSQ
电源
电源
2
G- LINK技术
十二月2003 （修订版2.4 ）
控制电路
F
UNCTIONAL
D
ESCRIPTION
该GLT5160L16提供了基本的功能，银行（行）激活，
突发读/写，银行（行）预充电和自动/自刷新。
每一个命令是由RAS ， CAS和WE控制信号定义
在CLK的上升沿。除了3个信号， CS ， CKE和A [ 10]
用作芯片选择，刷新选项，和预充电的选项，
分别。
要知道命令的详细定义，请参见的COM
命令真值表。
CLK
CS
RAS
CAS
WE
CKE
A[10]
芯片选择： L =选择， H =取消
COM-
COM-
COM-
刷新选项@refresh命令
预充电选@预充电或读/写
命令
定义基本的COM
读（READ ） [ RAS = H ， CAS = 1， WE = H ]
READ命令启动突发由指定的银行主动阅读
BA 。 CAS延迟时间后第一个输出数据出现。当A [ 10] = H在
此命令后，银行突发读取（自动预后停用
充电， READA ） 。
写（写） [ RAS = H ， CAS = WE = L]
写命令启动突发写入由指定的银行活跃
BA 。要写入的总数据长度是由脉冲串长度设置。当
A [ 10] = H在此命令中，银行是一阵后停用
写（自动预充电， WRITEA ） 。
预充电（PRE）
[ RAS = L ， CAS = H ， WE = L]
PRE命令将停用由BA表示活动的银行。这
命令还终止突发的读/写操作。当A [ 10 ]
= H在此命令中，两家银行被停用（预充电所有，
PREA ） 。
激活（ ACT ） [ RAS = L ， CAS = WE = H ]
ACT命令激活一排由BA表示闲置银行。
自动刷新（ REFA ）
[ RAS CAS = = L ， WE = CKE = H ]
REFA命令启动自动刷新周期。刷新地址includ-
ING银行地址是内部产生。这个命令后，
银行会自动预充电。如果任何其他的命令
不能断言，直到吨
RC
得到满足。
命令真值表
[1]
命令
DESELECT
无操作
行地址输入&银行激活
单个组预充电
预充电所有银行
列地址输入&写
列地址输入&写带自动预充电
列地址输入&读
列地址输入&阅读与自动预充电
自动刷新
自刷新进入
自刷新退出
助记符
DESEL
NOP
法案
PRE
PREA
写
WRITEA
读
READA
REFA
REFS
REFSX
CKE正
1
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
L
BURST TERMINATE
模式寄存器设置
TBST
太太
H
H
CKE
X
X
X
X
X
X
X
X
X
H
L
H
H
X
X
CS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
RAS
X
H
L
L
L
H
H
H
H
L
L
X
H
H
L
CAS
X
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
X
H
H
L
WE
X
H
H
L
L
L
L
H
H
H
H
X
H
L
L
BA
X
X
V
V
V
V
V
V
V
X
X
X
X
X
X
A[10
]
X
X
V
L
H
L
H
L
H
X
X
X
X
X
L
A[9:
0]
X
X
V
X
X
V
V
V
V
X
X
X
X
X
V
1. H =高电平， L =低的水平， V =有效， X =无所谓， N = CLK周期数
G- LINK技术
十二月2003 （ Rev.2.4 ）
3
QQ：2881677436 复制
