摹-LINK
GLT4160L04
与扩展数据输出4M X 4 CMOS动态RAM
2001年5月（ Rev.3.1 ）
产品特点：
4194304字由4位的组织。
快速的访问时间和周期时间
低功耗。
读 - 修改 - 写，
RAS
- 只有刷新，
CAS
-before-
RAS
刷新页面，隐藏刷新。
说明：
该GLT4160L04是一个高性能的
CMOS动态随机存取存储器
包括组织一个x4 16777216位
配置。该GLT4160L04提供页面
与扩展数据输出周期访问。
该GLT4160L04有11行和11
列地址，并接受2048循环
刷新32毫秒。
该GLT4160L04提供EDO页
模式操作允许进行快速的数据
在一个行地址的访问定义
边界，高达2048 ×4位，循环
时间短至18ns 。
每32ms的2048刷新周期。
提供300万26 （ 24 ） SOJ和TSOPII 。
3.3V ± 0.3V VCC电源电压
.
所有输入和输出都是LVTTL兼容。
扩展数据输出（ EDO ）页面访问
周期。
自刷新功能
。 （ S-版） 。
高性能
马克斯。
RAS
访问时间， （T
RAC
)
马克斯。列地址访问时间（T
AA
)
分钟。扩展数据输出页模式周期时间（T
PC
)
分钟。读/写周期时间， （T
RC
)
马克斯。
CAS
访问时间（吨
CAC
)
40
40纳秒
20纳秒
18纳秒
70纳秒
12纳秒
50
50纳秒
25纳秒
20纳秒
84纳秒
13纳秒
60
60纳秒
30纳秒
25纳秒
70
70纳秒
35纳秒
30纳秒
104 ns的124纳秒
15纳秒
20纳秒
G- LINK技术
2701西北百汇
美国加州圣克拉拉， 95051 ， U.S.A.
G-菱科技股份有限公司，台湾
6F ，号24-2 ，工业东路，四，基础的科学
工业园区，新竹，台湾。
-1-
摹-LINK
GLT4160L04
与扩展数据输出4M X 4 CMOS动态RAM
2001年5月（ Rev.3.1 ）
绝对最大额定值*
电容*
T
A
= 25 ° C，V
CC
=3.3V±0.3V, V
SS
=0V
MAX 。 UNIT
5
7
7
pF
pF
pF
工作温度，T
A
（环境）
符号
参数
............................................. ... 0.0 ℃，对
+70°C
C
IN1
地址输入
扩展温度............... ..- 20 ° C至85°C
C
IN2
RAS ， CAS，WE ， OE
存储温度（塑料） ............- 55 ° C至+ 150°C
电压相对于V
SS
........................- 0.5V至+ 4.6V
C
OUT
数据输入/输出
短路输出电流............................... 20毫安
功耗............................................... 1.0 W
*注：以上操作绝对最大额定值可以
aversely影响器件的可靠性。
*注：电容进行采样，而不是100 ％测试
电气规格
l
l
所有电压都参考GND 。
上电后，等待超过为200ps ，然后，执行8
CAS
-before-
RAS
or
RAS
- 只
刷新周期作为伪周期来初始化内部电路。
框图：
WE
CAS
数据在
卜FF器
4
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
NO.2时钟
发电机
数据输出
卜FF器
4
4
OE
柱分离
地址
BUFFER(11)
11
COLUMN
解码器
2048
刷新
调节器
感测放大器
I / O选通
4
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
11
刷新
计数器
2048
11
ROW
地址
BUFFERS(11)
行解码器
11
2048
2048 x 1024 x 4
内存
ARRAY
RAS
NO.1时钟
发电机
V
DD
V
SS
G- LINK技术
2701西北百汇
美国加州圣克拉拉， 95051 ， U.S.A.
G-菱科技股份有限公司，台湾
6F ，号24-2 ，工业东路，四，基础的科学
工业园区，新竹，台湾。
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与扩展数据输出4M X 4 CMOS动态RAM
2001年5月（ Rev.3.1 ）
DC和操作特性（ 1-2）
T
A
= 0 ° C至70 ° C， -20 ° C至85°C V
CC
=3.3V±0.3V, V
SS
= 0V ，除非另有规定ED 。
符号。
I
LI
参数
输入漏电流
（任何输入引脚）
输出漏电流
（为高阻态）
工作电流，
随机读/写
测试条件
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
+0.3V
（不是在所有其他引脚
test=0V)
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
输出禁止（ HIZ ）
t
RC
= t
RC
（分）
ACCESS
时间
分钟。
-5
典型值
马克斯。
+5
单位注
A
I
LO
I
CC1
-5
t
RAC
= 40ns的
t
RAC
= 50ns的
t
RAC
= 60ns的
t
RAC
= 70ns的
+5
130
120
80
70
1
A
1,2
mA
I
CC2
待机电流（ TTL ）
RAS
,
CAS
在V
IH
其他投入
≥V
SS
mA
2
mA
I
CC3
刷新电流，
RAS
骑自行车，
CAS
在V
IH
t
RC
= t
RC
（分）
RAS
- 只
I
CC4
工作电流，
EDO页模式
RAS
在V
IL
,
CAS
地址
骑自行车：吨
PC
=t
PC
（分）
I
CC5
刷新电流，
RAS
,
CAS
针对循环：
t
RC
=t
RC
（分）
CAS
前
RAS
I
CC6
待机电流（ CMOS ）
t
RAC
= 40ns的
t
RAC
= 50ns的
t
RAC
= 60ns的
t
RAC
= 70ns的
t
RAC
= 40ns的
t
RAC
= 50ns的
t
RAC
= 60ns的
t
RAC
= 70ns的
t
RAC
= 40ns的
t
RAC
= 50ns的
t
RAC
= 60ns的
t
RAC
= 70ns的
130
120
80
70
130
120
80
70
130
120
80
70
1,2
mA
mA
1
RAS
≥V
CC
-0.2V,
CAS
≥V
CC
-0.2V,
其他所有输入V
SS
300
A
1,5
I
CC7
自刷新电流
RAS
=
CAS
=0.2V,
WE = OE = A
0
~A
10
=V
CC
-0.2V或
0.2V
DQ
0
-DQ
3
=V
CC
-0.2V ， 0.2V或
开放
300
A
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
-0.3
2.0
I
OL
= 2毫安
I
OH
= -2mA
2.4
+0.8
V
CC
+0.3
0.4
V
V
V
V
3
4
注意事项：
1. I
CC
依赖于输出负载时被选择的设备输出。指定I
CC
（最大）的测量条件为输出开路。
2. I
CC
是依赖于指定的IC卡（最大）地址转换的数量进行测量，每次最多每个地址周期一个过渡的
在随机读/写和EDO快页模式。
3.指定V
IL
（分钟）是稳定状态的操作。在过渡V
IL
（分钟）可能下冲至-1V ，为期不超过15ns的。所有AC
参数测量采用V
IL
（分钟） ≥V
SS
和V
IH
（最大） = V
CC
.
4.指定V
IH
（最大）是稳定状态的操作。在过渡V
IH
（最大值）可能会过冲至V
CC
+ 1V ，期限不超过15ns的。所有AC
参数测量采用V
IL
（分）
≥
V
SS
和VIH （最大）
≤
V
CC
.
5. S-版本。
G- LINK技术
2701西北百汇
美国加州圣克拉拉， 95051 ， U.S.A.
G-菱科技股份有限公司，台湾
6F ，号24-2 ，工业东路，四，基础的科学
工业园区，新竹，台湾。
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与扩展数据输出4M X 4 CMOS动态RAM
2001年5月（ Rev.3.1 ）
产品特点：
4194304字由4位的组织。
快速的访问时间和周期时间
低功耗。
读 - 修改 - 写，
RAS
- 只有刷新，
CAS
-before-
RAS
刷新页面，隐藏刷新。
说明：
该GLT4160L04是一个高性能的
CMOS动态随机存取存储器
包括组织一个x4 16777216位
配置。该GLT4160L04提供页面
与扩展数据输出周期访问。
该GLT4160L04有11行和11
列地址，并接受2048循环
刷新32毫秒。
该GLT4160L04提供EDO页
模式操作允许进行快速的数据
在一个行地址的访问定义
边界，高达2048 ×4位，循环
时间短至18ns 。
每32ms的2048刷新周期。
提供300万26 （ 24 ） SOJ和TSOPII 。
3.3V ± 0.3V VCC电源电压
.
所有输入和输出都是LVTTL兼容。
扩展数据输出（ EDO ）页面访问
周期。
自刷新功能
。 （ S-版） 。
高性能
马克斯。
RAS
访问时间， （T
RAC
)
马克斯。列地址访问时间（T
AA
)
分钟。扩展数据输出页模式周期时间（T
PC
)
分钟。读/写周期时间， （T
RC
)
马克斯。
CAS
访问时间（吨
CAC
)
40
40纳秒
20纳秒
18纳秒
70纳秒
12纳秒
50
50纳秒
25纳秒
20纳秒
84纳秒
13纳秒
60
60纳秒
30纳秒
25纳秒
70
70纳秒
35纳秒
30纳秒
104 ns的124纳秒
15纳秒
20纳秒
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2701西北百汇
美国加州圣克拉拉， 95051 ， U.S.A.
G-菱科技股份有限公司，台湾
6F ，号24-2 ，工业东路，四，基础的科学
工业园区，新竹，台湾。
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与扩展数据输出4M X 4 CMOS动态RAM
2001年5月（ Rev.3.1 ）
绝对最大额定值*
电容*
T
A
= 25 ° C，V
CC
=3.3V±0.3V, V
SS
=0V
MAX 。 UNIT
5
7
7
pF
pF
pF
工作温度，T
A
（环境）
符号
参数
............................................. ... 0.0 ℃，对
+70°C
C
IN1
地址输入
扩展温度............... ..- 20 ° C至85°C
C
IN2
RAS ， CAS，WE ， OE
存储温度（塑料） ............- 55 ° C至+ 150°C
电压相对于V
SS
........................- 0.5V至+ 4.6V
C
OUT
数据输入/输出
短路输出电流............................... 20毫安
功耗............................................... 1.0 W
*注：以上操作绝对最大额定值可以
aversely影响器件的可靠性。
*注：电容进行采样，而不是100 ％测试
电气规格
l
l
所有电压都参考GND 。
上电后，等待超过为200ps ，然后，执行8
CAS
-before-
RAS
or
RAS
- 只
刷新周期作为伪周期来初始化内部电路。
框图：
WE
CAS
数据在
卜FF器
4
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
NO.2时钟
发电机
数据输出
卜FF器
4
4
OE
柱分离
地址
BUFFER(11)
11
COLUMN
解码器
2048
刷新
调节器
感测放大器
I / O选通
4
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
11
刷新
计数器
2048
11
ROW
地址
BUFFERS(11)
行解码器
11
2048
2048 x 1024 x 4
内存
ARRAY
RAS
NO.1时钟
发电机
V
DD
V
SS
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G-菱科技股份有限公司，台湾
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工业园区，新竹，台湾。
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与扩展数据输出4M X 4 CMOS动态RAM
2001年5月（ Rev.3.1 ）
DC和操作特性（ 1-2）
T
A
= 0 ° C至70 ° C， -20 ° C至85°C V
CC
=3.3V±0.3V, V
SS
= 0V ，除非另有规定ED 。
符号。
I
LI
参数
输入漏电流
（任何输入引脚）
输出漏电流
（为高阻态）
工作电流，
随机读/写
测试条件
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
+0.3V
（不是在所有其他引脚
test=0V)
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
输出禁止（ HIZ ）
t
RC
= t
RC
（分）
ACCESS
时间
分钟。
-5
典型值
马克斯。
+5
单位注
A
I
LO
I
CC1
-5
t
RAC
= 40ns的
t
RAC
= 50ns的
t
RAC
= 60ns的
t
RAC
= 70ns的
+5
130
120
80
70
1
A
1,2
mA
I
CC2
待机电流（ TTL ）
RAS
,
CAS
在V
IH
其他投入
≥V
SS
mA
2
mA
I
CC3
刷新电流，
RAS
骑自行车，
CAS
在V
IH
t
RC
= t
RC
（分）
RAS
- 只
I
CC4
工作电流，
EDO页模式
RAS
在V
IL
,
CAS
地址
骑自行车：吨
PC
=t
PC
（分）
I
CC5
刷新电流，
RAS
,
CAS
针对循环：
t
RC
=t
RC
（分）
CAS
前
RAS
I
CC6
待机电流（ CMOS ）
t
RAC
= 40ns的
t
RAC
= 50ns的
t
RAC
= 60ns的
t
RAC
= 70ns的
t
RAC
= 40ns的
t
RAC
= 50ns的
t
RAC
= 60ns的
t
RAC
= 70ns的
t
RAC
= 40ns的
t
RAC
= 50ns的
t
RAC
= 60ns的
t
RAC
= 70ns的
130
120
80
70
130
120
80
70
130
120
80
70
1,2
mA
mA
1
RAS
≥V
CC
-0.2V,
CAS
≥V
CC
-0.2V,
其他所有输入V
SS
300
A
1,5
I
CC7
自刷新电流
RAS
=
CAS
=0.2V,
WE = OE = A
0
~A
10
=V
CC
-0.2V或
0.2V
DQ
0
-DQ
3
=V
CC
-0.2V ， 0.2V或
开放
300
A
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
-0.3
2.0
I
OL
= 2毫安
I
OH
= -2mA
2.4
+0.8
V
CC
+0.3
0.4
V
V
V
V
3
4
注意事项：
1. I
CC
依赖于输出负载时被选择的设备输出。指定I
CC
（最大）的测量条件为输出开路。
2. I
CC
是依赖于指定的IC卡（最大）地址转换的数量进行测量，每次最多每个地址周期一个过渡的
在随机读/写和EDO快页模式。
3.指定V
IL
（分钟）是稳定状态的操作。在过渡V
IL
（分钟）可能下冲至-1V ，为期不超过15ns的。所有AC
参数测量采用V
IL
（分钟） ≥V
SS
和V
IH
（最大） = V
CC
.
4.指定V
IH
（最大）是稳定状态的操作。在过渡V
IH
（最大值）可能会过冲至V
CC
+ 1V ，期限不超过15ns的。所有AC
参数测量采用V
IL
（分）
≥
V
SS
和VIH （最大）
≤
V
CC
.
5. S-版本。
G- LINK技术
2701西北百汇
美国加州圣克拉拉， 95051 ， U.S.A.
G-菱科技股份有限公司，台湾
6F ，号24-2 ，工业东路，四，基础的科学
工业园区，新竹，台湾。
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