摹-LINK
GLT41316
64K ×16的CMOS动态RAM具有快速页面模式
1998年6月（第2版）
产品特点：
65,536字（16位）的组织。
快速存取时间和周期时间。
WE双输入。
低功耗。
读 - 修改 - 写， RAS - 仅刷新，
说明：
该GLT41316是65,536 ×16位高
性能CMOS动态随机存取
内存。该GLT41316提供快速页面
模式，并具有两个字节写和
通过两个WE WORD写访问周期
销。该GLT41316有对称的地址
而在接受4ms的256周期刷新
间隔。
所有输入为TTL兼容。快
页面模式操作允许随机访问
高达256×16位，页内，与循环
时间短至18ns 。
该GLT41316最适合
图形和DSP应用要求
高性能的回忆。
CAS -Before- RAS刷新，隐藏
刷新和测试模式功能。
每256 4ms的更新周期。
可提供40引脚400密耳SOJ ，和40/44
脚TSOP （II）中。
单5.0V ± 10 ％电源。
所有的输入和输出为TTL
兼容。
快速页模式操作。
高性能
马克斯。 RAS访问时间， （T
RAC
)
马克斯。列地址访问时间（T
AA
)
分钟。快速页模式周期时间， （T
PC
)
分钟。读/写周期时间， （T
RC
)
马克斯。 CAS存取时间（t
CAC
)
30
30纳秒
15纳秒
18纳秒
65纳秒
10纳秒
35
35纳秒
18纳秒
21纳秒
70纳秒
11纳秒
40
40纳秒
20纳秒
23纳秒
75纳秒
12纳秒
45
45纳秒
22纳秒
25纳秒
80纳秒
12纳秒
G-联科技股份有限公司
2701Northwestern百汇
美国加州圣克拉拉， 95051 ， U.S.A.
G- Link技术公司，台湾
2F ， 12号， R&D路。二，科学工业园区，
新竹，台湾，中华民国
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64K ×16的CMOS动态RAM具有快速页面模式
1998年6月（第2版）
引脚配置：
GLT41316
SOJ顶视图
TSOP （类型II）的
顶视图
引脚说明：
名字
A
0
- A
7
RAS
CAS
UW
LW
OE
DQ
0
- DQ
15
V
CC
V
SS
NC
功能
地址输入
行地址选通
列地址选通
读/高字节写使能
读/低字节写使能
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
+ 5V电源
地
无连接
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64K ×16的CMOS动态RAM具有快速页面模式
1998年6月（第2版）
绝对最大额定值*
工作温度，T
A
（环境）
.......................................- 0 ° C至+ 70°C
存储温度（塑料） ....- 55 ° C至+ 150°C
电压相对于V
SS
...............- 1.0V至+ 7.0V
短路输出电流...................... 50毫安
功耗1.0W ......................................
电容*
T
A
= 25 ° C，V
CC
=5V±10%, V
SS
=0V
符号
C
IN1
C
IN2
C
OUT
参数
地址输入
RAS
,
CAS
,
UW
,
LW
,
OE
MAX 。 UNIT
5
7
7
pF
pF
pF
数据输入/输出
*注：以上操作绝对最大额定值*注：电容进行采样，而不是100 ％测试
能器件的可靠性产生不利影响。
电气规格
l
l
l
我们指UW和LW 。
所有电压都参考GND 。
上电后，等待超过100μs的，然后，执行8 CAS -before- RAS或RAS - 只
刷新周期作为伪周期来初始化内部电路。
框图：
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真值表： GLT41316
功能
待机
阅读：字
写：字（早期写）
写：低字节（早）
写：高字节（早）
读写
快速页面 -
READ模式
快速页面 -
模式写
快速页面 -
模式读 -
写
隐
刷新
第二个周期
读
写
RAS - 仅刷新
CBR刷新
L
L→H → L
L→H → L
L
→ L
→ L
L
L
H
L
→ L
H
L
X
X
→ L
H
L
X
X
L-H
L
X
X
X
COL
数据输出，数据输入
1,2
1
2,3
第一个周期
第二个周期
第一个周期
第二个周期
第一个周期
RAS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
CAS
→X
L
L
L
L
L
→ L
→ L
→ L
→ L
→ L
UW
X
H
L
H
L
→ L
H
LW
X
H
L
L
H
→ L
H
H
OE
X
L
X
X
X
L-H
L
L
X
X
L-H
地址
高-Z
的DQ
记
s
行/列数据输出
行/列数据中
行/列低字节，数据输入
高字节，高Z
行/列低字节，高Z
高位字节，数据输入
行/列数据输出，数据输入
行/列数据输出
COL
数据输出
1,2
1
1
2
2
1,2
L
L
→ L
L
L
→ L
行/列数据中
COL
数据在
行/列数据输出，数据输入
行/列数据输出
行/列数据中
ROW
高-Z
高-Z
注意事项：
1.这些读周期总是字的读周期。
2.这些写周期也可能是字节读周期（无论是UW或LW活动） 。
3.早期只写。
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DC和操作特性（ 1-2）
T
A
= 0℃至70℃ ，V
CC
=5V±10%, V
SS
= 0V ，除非另有规定ED 。
符号。
I
LI
参数
输入漏电流
（任何输入引脚）
输出漏电流
（为高阻态）
工作电流，
随机读/写
测试条件
0V
≤
V
IN
≤
5.5V
（不是在所有其他引脚
test=0V)
0V
≤
V
OUT
≤
5.5V
输出禁止（ HIZ ）
t
RC
= t
RC
（分）
ACCESS
时间
分钟。
-10
典型值
马克斯。单位注
+10
A
A
I
LO
I
CC1
-10
t
RAC
= 30ns的
t
RAC
= 35ns的
t
RAC
= 40ns的
t
RAC
=为45nS
+10
180
170
160
150
4
mA
1,2
I
CC2
I
CC3
待机电流（ TTL ）
刷新电流，
RAS-只
RAS
,
CAS
在V
IH
其他投入
≥V
SS
RAS
骑自行车，
CAS
at
mA
mA
2
V
IH
t
RC
= t
RC
（分）
RAS
在V
IL
,
CAS
,
I
CC4
工作电流，
EDO页模式
针对循环：吨
PC
=
t
PC
（分）
RAS
,
CAS
,
I
CC5
刷新电流，
CAS前RAS
针对循环：
t
RC
= t
RC
（分）
RAS
≥V
CC
-0.2V,
CAS
≥V
CC
-0.2V,
t
RAC
= 30ns的
t
RAC
= 35ns的
t
RAC
= 40ns的
t
RAC
=为45nS
t
RAC
= 30ns的
t
RAC
= 35ns的
t
RAC
= 40ns的
t
RAC
=为45nS
t
RAC
= 30ns的
t
RAC
= 35ns的
t
RAC
= 40ns的
t
RAC
=为45nS
180
170
160
150
180
170
160
150
180
170
160
150
2
mA
1,2
mA
1
I
CC6
待机电流（ CMOS ）
mA
所有其它输入
≥V
SS
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
-1
2.4
I
OL
= 4.2毫安
I
OH
= -5mA
2.4
+0.8
V
CC
+1
0.4
V
V
V
V
3
3
注意事项：
1.
I
CC
依赖于输出负载时被选择的设备输出。指定I
CC （最大）
的测量条件为
输出开路。
2. I
CC
是依赖于地址转换指定的I数
CC （最大）
度用最大的
在随机读/写和快速页面模式每个地址周期一个过渡。
3.指定V
白细胞介素（分钟）
是稳态操作。在过渡V
白细胞介素（分钟）
可能下冲至-1.0V期不
超过20ns的。所有AC参数测量V
白细胞介素（分钟）
≥V
SS
和V
IH （ MAX 。 ）
≤V
CC
.
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