【摹-LINKGLT4101664K ×16的CMOS动态的，扩展数据输出内存1998年12月（版本2】,IC型号GLT2216,GLT2216 PDF资料,GLT2216经销商,ic,电子元器件-51电子网

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GLT41016

64K ×16的CMOS动态的，扩展数据输出内存

1998年12月（版本2.1 ）

产品特点：

65,536字（16位）的组织。

快速存取时间和周期时间。

CAS双输入。

低功耗。

读 - 修改 - 写， RAS - 仅刷新，

说明：

该GLT41016是65,536 ×16位高

性能CMOS动态随机存取

内存。该GLT41016提供快速页面

模式扩展数据输出，并具有

这两个字节写和写WORD

通过两个CAS引脚存取周期。该

GLT41016在接受4ms的256周期刷新

间隔。

所有输入为TTL兼容。 EDO

页面模式操作允许随机访问

高达256 ×16位，在页面内，用周期

时间短为12ns 。

该GLT41016最适合

图形和DSP应用要求

高性能的回忆。

CAS -Before- RAS刷新，隐藏

刷新和测试模式功能。

每256 4ms的更新周期。

可提供40引脚400密耳SOJ和40/44

脚TSOP （II）中。

单5.0V ± 10 ％电源。

所有的输入和输出为TTL

兼容。

扩展数据输出（ EDO ）页面模式

操作。

高性能

马克斯。 RAS访问时间，（T

RAC

)

马克斯。列地址访问时间（T

)

分钟。扩展数据输出页模式周期时间（T

)

分钟。读/写周期时间，（T

)

马克斯。 CAS存取时间（t

CAC

)

30纳秒

15纳秒

12纳秒

65纳秒

10纳秒

35纳秒

18纳秒

13纳秒

70纳秒

11纳秒

40纳秒

20纳秒

15纳秒

75纳秒

12纳秒

45纳秒

22纳秒

18纳秒

80纳秒

12纳秒

G-联科技股份有限公司

2701Northwestern百汇

美国加州圣克拉拉， 95051 ， U.S.A.

G- Link技术公司，台湾

2F ， 12号， R&D路。二，科学工业园区，

新竹，台湾，中华民国

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64K ×16的CMOS动态的，扩展数据输出内存

1998年12月（版本2.1 ）

引脚配置：

GLT41016

SOJ顶视图

TSOP （类型II）的

顶视图

引脚说明：

名字

- A

RAS

UCAS

LCAS

- DQ

功能

地址输入

行地址选通

列地址选通/高字节控制

列地址选通/低字节控制

写使能

OUTPUT ENABLE

数据输入/输出

+ 5V电源

地

无连接

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64K ×16的CMOS动态的，扩展数据输出内存

1998年12月（版本2.1 ）

绝对最大额定值*

工作温度，T

（环境）

电容*

= 25 ° C，V

=5V±10%, V

=0V

单位

马克斯。

参数

符号

.......................................- 0 ° C至+ 70°C

地址输入

存储温度（塑料） ....- 55 ° C至+ 150 ° CC

IN1

电压相对于V

...............- 1.0V至+ 7.0V

IN2

RAS ， LCAS ， UCAS ， WE， OE

短路输出电流...................... 50毫安

数据输入/输出

功耗...................................... 1.0WC

OUT

*注：以上操作绝对最大额定值*注：电容进行采样，而不是100 ％测试

能器件的可靠性产生不利影响。

电气规格

CAS是指UCAS和LCAS 。

所有电压都参考GND 。

上电后，等待超过100μs的，然后，执行8 CAS -before- RAS或RAS - 只

刷新周期作为伪周期来初始化内部电路。

框图：

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扩展数据输出（ EDO ）页面模式

江户时代页面模式是一种页面模式与增强功能。两大特点

的EDO页面方式如下所示。

1.数据输出时间被延长。

在EDO页面模式时，输出数据被保持到下一个CAS周期的下降沿，

而不是上升沿触发。出于这个原因，在EDO页模式的有效数据输出时间是

扩展用快速页面模式进行比较（ =数据扩展功能）。在快速页面模式，

的数据输出时间变短的CAS周期时间变短。因此，在

该EDO页模式，在读周期的时序裕度比的快速页面模式大

即使在CAS周期时间变短。

2.在EDO页模式的CAS周期时间比在快速页面模式短。

在EDO页模式中，由于数据扩展功能，在CAS周期时间可以是

比如果定时余量是相同的快速页面模式短。

以一个设备，其吨

RAC

是60ns的，例如，在CAS周期时间在EDO页

模式为25ns ，而在快速页面模式是为40ns 。

在EDO页模式下，读取（数据输出）和write（数据）的周期可以执行

反复在一个RAS周期。江户时代页面模式允许同时读取和写入

在一个周期内的操作，但性能相当于的快速页模式

在这种情况下。

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64K ×16的CMOS动态的，扩展数据输出内存

1998年12月（版本2.1 ）

真值表： GLT41016

功能

待机

阅读：字

阅读：低字节

RAS

CASL现金

→ x高→X

地址

高-Z

的DQ

笔记

行/列数据输出

ROW / COL低字节数据 -

OUT

高字节，高Z

行/列低字节，高Z

高位字节，数据 -

OUT

行/列数据中

行/列低字节，数据输入

高字节，高Z

行/列低字节，高Z

高位字节，数据输入

行/列数据输出，数据输入

行/列数据输出

COL

数据输出

阅读：高字节

写：字（早期写）

写：低字节（早）

写：高字节（早）

读写

EDO - PAGE-

READ模式

EDO - PAGE-

模式写

EDO - PAGE-

模式读 -

写

隐

刷新

第二个周期

读

写

RAS - 仅刷新

CBR刷新

第一个周期

第二个周期

第一个周期

第二个周期

第一个周期

→ L

L-H

1,2

行/列数据中

COL

数据在

行/列数据输出，数据输入

L→H → L

→ L

L-H

COL

数据输出，数据输入

1,2

2,3

行/列数据输出

行/列数据中

ROW

高-Z

注意事项：

1.这些读周期也可能是字节读周期（无论是UCAS或LCAS有效）。

2.这些写周期也可能是字节读周期（无论是UCAS或LCAS有效）。

3.早期只写。

4.至少一个两个CAS信号必须是活动的（UCAS或LCAS）。

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