GLL4735到GLL4763A
威世半导体
齐纳二极管
特点
塑料包装有保险商实验室
可燃性分类94 V- 0
对于表面安装应用程序
玻璃钝化结
低阻抗齐纳
低调节因子
高温焊接保证：
250℃ / 10秒的终端
18267
机械数据
案例：
MELF塑料模压塑料多玻璃passi-
氧基团结
终端：
焊接镀，每MIL -STD-焊
750 ，方法2026
极性：
红乐队表示齐纳二极管和积极的
端（阴极）
安装位置：
任何
重量：
0.0046盎司， 116毫克
包装代码/选项：
五分之二十六每13 "卷（12毫米磁带） ， 60 K /盒
46 / 1.5 7 "卷（12毫米磁带） ， 30 K /盒
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
齐纳电流（见表
"Characteristics" ）
功耗
P
合计
1.0
3)
W
测试条件
符号
价值
单位
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到
环境空气
结温
储存温度
测试条件
符号
R
thJA
T
j
T
S
价值
170
150
- 65至+ 150
单位
° C / W
°C
°C
文档编号85781
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GLL4735到GLL4763A
威世半导体
电气特性
部分号码
公称
齐纳
电压
1)
V
Z
@ I
ZT
V
GLL4735
GLL4736
GLL4737
GLL4738
GLL4739
GLL4740
GLL4741
GLL4742
GLL4743
GLL4744
GLL4745
GLL4746
GLL4747
GLL4748
GLL4749
GLL4750
GLL4751
GLL4752
GLL4753
GLL4754
GLL4755
GLL4756
GLL4757
GLL4758
GLL4759
GLL4760
GLL4761
GLL4762
GLL4763
(1)
(2)
(3)
TEST
当前
I
ZT1
mA
41
37
34
31
28
25
23
21
19
17
15.5
14
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.5
7
6.5
6
5.5
5
4.5
4
3.7
3.3
3
2.8
最大动态阻抗
最大直流反接
漏电流
I
R
A
50
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
V
R
V
3
4
5
6
7
7.6
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
56
62.2
69.2
最大
齐纳
当前
(2)
I
ZM
mA
pk
730
660
605
550
500
454
414
380
344
305
285
250
225
205
190
170
150
135
125
115
110
95
90
80
70
65
60
55
50
最大
前锋
电压
V
F
@ 200毫安
V
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
Z
ZT
@ I
ZT
2
3.5
4
4.5
5
7
8
9
10
14
16
20
22
23
25
35
40
45
50
60
70
80
95
110
125
150
175
200
250
Z
ZK
@ I
ZK
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
1500
2000
2000
2000
2000
3000
3000
I
ZK
mA
1
1
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
标准电压容差为± 10 ％ ，说明A = ± 5 ％
浪涌电流是一个非重复的， 8.3毫秒脉冲宽度的方波或等效正弦波叠加在我
ZT
根据JEDEC的方法
最大稳态功耗为1.0瓦特在T
T
= 75 °C
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GLL4735到GLL4763A
威世半导体
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
P
M（ AV） -
平均功耗（ W）
1.0
1,000
0.75
Z
Z
- 动态齐纳阻抗（ Ω ）
60Hz
电阻或
感性负载
T
J
= 25°C
100
V
Z
= 91V
V
Z
= 56V
0.5
10
V
Z
= 30V
0.25
P.C.B.安装在
0.31 X 0.31 X 0.08 （ 8 ×8× 2毫米）
铜焊盘区
0
25
18210
V
Z
= 6.2V
1
0.5
1
10
100
500
50
75
100
125
150
175
18213
端子温度（ ℃）
I
ZT
- 齐纳测试电流（mA ）
图1.最大连续功率耗散
图4.典型的齐纳阻抗
10
10
1
瞬时反向电流（ μA ）
正向电流（A ）
1
T
J
= 100°C
0.1
脉冲宽度= 300秒
1 ％占空比
T
J
= 25°C
0.1
T
J
= 25°C
0.01
0
20
40
60
80
100
0.01
0.4
18211
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
18214
正向电压（ V）
额定齐纳电压百分比（ ％ ）
图2.典型的正向特性
GLL4763
图5.典型的反向特性
V
Z
- 温度系数（毫伏/ ℃）
110
90
70
50
30
10
0
经测试，在额定我
ZT
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
18212
V
Z
- 齐纳电压（ V）
图3.典型温度系数
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威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响，如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 67 7131 2423
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