无铅电镀产品
颁发日期： 2005年4月6日
修订日期：
GL9973
N沟道增强型功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
60V
80m
3.9A
描述
该GL9973提供设计师与快速切换，坚固耐用的设备设计，低的最佳组合
导通电阻和成本效益。
*简单的驱动要求
*低栅极电荷
特点
包装尺寸
SOT-223
REF 。
A
C
D
E
I
H
毫米
分钟。
马克斯。
6.70
7.30
2.90
3.10
0.02
0.10
0C
10 C
0.60
0.80
0.25
0.35
REF 。
B
J
1
2
3
4
5
毫米
分钟。
马克斯。
13吨YP 。
C
2.30 REF 。
6.30
6.70
6.70
6.30
3.30
3.70
3.30
3.70
1.40
1.80
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
, V
GS
@10V
连续漏电流
3
, V
GS
@10V
漏电流脉冲
1,2
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25 :
I
D
@T
A
=70 :
I
DM
P
D
@T
A
=25 :
TJ ， TSTG
评级
60
f 20
3.9
2.5
20
2.7
0.02
-55 ~ +150
单位
V
V
A
A
A
W
W/
热数据
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
符号
Rthj -A
价值
45
单位
/W
GL9973
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颁发日期： 2005年4月6日
修订日期：
电气特性（ TJ = 25
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
除非另有规定编）
分钟。
60
-
1.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.06
-
3.5
-
-
-
-
-
8
2
4
8
4
20
6
700
80
50
马克斯。
-
-
3.0
-
D
100
1
25
80
100
13
-
-
-
-
-
-
1120
-
-
pF
ns
nC
单位
V
V/ :
V
S
nA
uA
uA
m
测试条件
V
GS
=0, I
D
=250uA
参考25 ：我
D
=1mA
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=3.9A
20V
V
GS
= D
V
DS
=60V, V
GS
=0
V
DS
=48V, V
GS
=0
V
GS
= 10V ，我
D
=3.9A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=2A
I
D
=3.9A
V
DS
=48V
V
GS
=4.5V
V
DS
=30V
I
D
=1A
V
GS
=10V
R
G
=3.3
R
D
=30
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
符号
BV
DSS
BV
DSS
/
Tj
栅极阈值电压
正向跨导
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 25 ： ）
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 70 ： ）
V
GS （ TH）
g
fs
I
GSS
I
DSS
静态漏源导通电阻
2
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）变更
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
SD
T
rr
Q
rr
分钟。
-
-
-
典型值。
-
28
35
马克斯。
1.2
-
-
单位
V
ns
nC
测试条件
I
S
= 3.9A ，V
GS
=0V
I
S
= 3.9A ，V
GS
=0V
的di / dt = 100A / S
注意事项： 1，脉冲宽度有限的最大结温。
2.脉宽300US ，占空比2 ％ 。
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫; 135 ： /安装在分当W 。铜垫。
GL9973
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颁发日期： 2005年4月6日
修订日期：
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
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