无铅电镀产品
颁发日期： 2005年9月14日
修订日期：
GL9915
N沟道增强型功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
20V
50m
6.2A
该GL9915提供设计师与快速切换的最佳组合，低导通电阻和
成本效益。
*简单的驱动要求
*低栅极电荷
*符合RoHS
*快速开关特性
描述
特点
包装尺寸
SOT-223
REF 。
A
C
D
E
I
H
毫米
分钟。
马克斯。
6.70
7.30
2.90
3.10
0.02
0.10
10 C
0C
0.60
0.80
0.25
0.35
REF 。
B
J
1
2
3
4
5
毫米
分钟。
马克斯。
C
13吨YP 。
2.30 REF 。
6.30
6.70
6.30
6.70
3.30
3.70
3.30
3.70
1.40
1.80
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25 :
I
D
@T
A
=70 :
I
DM
P
D
@T
A
=25 :
TJ ， TSTG
评级
20
f 12
6.2
5.0
30
3.2
0.025
-55 ~ +150
单位
V
V
A
A
A
W
W/
热数据
参数
热阻结到环境
3
符号
马克斯。
Rthj -A
价值
40
单位
/W
GL9915
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颁发日期： 2005年9月14日
修订日期：
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
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