日前，Vishay
GL05 - HT3
威世半导体
低电容ESD保护二极管的高速数据
接口
特点
数据线瞬态保护，
IEC 61000-4-2 （ ESD ） 15千伏（空气） 8千伏（接触）
IEC 61000-4-5 （闪电） 17 A（ TP = 8月20日
s)
小型封装用于便携式电子设备的使用
17914
3
顶视图
1
2
销1
低电容的高速数据线，
蜂窝手机， USB端口保护，
网络设备，外围设备
节省空间LiLiPut包
机械数据
案例：
LLP75-3B塑料包装
模塑料阻燃性等级：
符合UL 94 V -0
终端：
高温焊接保证：
260 ℃/ 10秒。在终端
重量：
5毫克
零件表
部分
GL05-HT3
订购代码
GL05-HT3-GS08
50
记号
备注
磁带和卷轴
绝对最大额定值
在25℃ ，环境温度，除非另有说明的评分
参数
峰值脉冲功率
ESD电压
测试条件
8/20
s
波形
符合IEC 61000-4-2 ESD
符号
P
PK
V
ESD
价值
300
>25
单位
W
kV
热特性
在25℃ ，环境温度，除非另有说明的评分
参数
工作温度
储存温度
测试条件
符号
T
J
T
英镑
, T
英镑
价值
- 55至+ 125
- 55至+ 150
单位
°C
°C
电气特性
部分
数
记号
CODE
V
RWM
V
BR（ MIN）的
I
的R（最大）
V
C（最大值）
I
PPM
C
j
PIN1到2脚
引脚3 NC
V
R
= 0 V
F = 1 MHz的
pF
5
@ IT = 1.0毫安
V
GL05-HT3
50
5
V
6
@ V
RWM
A
20
I
PP
= 1.0 A
V
9.8
I
PP
= 5.0 A
t
p
= 8/20
s
A
11
17
文档编号85823
第3版， 03军， 03
www.vishay.com
1
日前，Vishay
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
GL05 - HT3
威世半导体
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响，如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
威世半导体有限公司
已经能够利用不断改进的政策，以消除
使用消耗臭氧层物质的列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 67 7131 2423
文档编号85823
第3版， 03军， 03
www.vishay.com
3
日前，Vishay
GL05 - HT3
威世半导体
低电容ESD保护二极管的高速数据
接口
特点
数据线瞬态保护，
IEC 61000-4-2 （ ESD ） 15千伏（空气） 8千伏（接触）
IEC 61000-4-5 （闪电） 17 A（ TP = 8月20日
s)
小型封装用于便携式电子设备的使用
17914
3
顶视图
1
2
销1
低电容的高速数据线，
蜂窝手机， USB端口保护，
网络设备，外围设备
节省空间LiLiPut包
机械数据
案例：
LLP75-3B塑料包装
模塑料阻燃性等级：
符合UL 94 V -0
终端：
高温焊接保证：
260 ℃/ 10秒。在终端
重量：
5毫克
零件表
部分
GL05-HT3
订购代码
GL05-HT3-GS08
50
记号
备注
磁带和卷轴
绝对最大额定值
在25℃ ，环境温度，除非另有说明的评分
参数
峰值脉冲功率
ESD电压
测试条件
8/20
s
波形
符合IEC 61000-4-2 ESD
符号
P
PK
V
ESD
价值
300
>25
单位
W
kV
热特性
在25℃ ，环境温度，除非另有说明的评分
参数
工作温度
储存温度
测试条件
符号
T
J
T
英镑
, T
英镑
价值
- 55至+ 125
- 55至+ 150
单位
°C
°C
电气特性
部分
数
记号
CODE
V
RWM
V
BR（ MIN）的
I
的R（最大）
V
C（最大值）
I
PPM
C
j
PIN1到2脚
引脚3 NC
V
R
= 0 V
F = 1 MHz的
pF
5
@ IT = 1.0毫安
V
GL05-HT3
50
5
V
6
@ V
RWM
A
20
I
PP
= 1.0 A
V
9.8
I
PP
= 5.0 A
t
p
= 8/20
s
A
11
17
文档编号85823
第3版， 03军， 03
www.vishay.com
1
日前，Vishay
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
GL05 - HT3
威世半导体
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响，如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
威世半导体有限公司
已经能够利用不断改进的政策，以消除
使用消耗臭氧层物质的列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 67 7131 2423
文档编号85823
第3版， 03军， 03
www.vishay.com
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QQ：2880707522 复制
