【无铅电镀产品颁发日期： 2005年7月21日修订日期：GJ9971N沟道增强型功率MOSFETBVD】,IC型号GJ9971,GJ9971 PDF资料,GJ9971经销商,ic,电子元器件-51电子网

无铅电镀产品

颁发日期： 2005年7月21日

修订日期：

GJ9971

N沟道增强型功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

60V

36m

25A

该GJ9971提供设计师与快速切换，坚固耐用的设备设计，低的最佳组合

导通电阻和成本效益。

在TO- 252封装普遍首选的所有商业工业表面贴装应用和

适用于低电压应用，如DC / DC转换器。

描述

特点

*低导通电阻

*简单的驱动要求

包装尺寸

TO-252

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

6.40

6.80

5.20

5.50

6.80

7.20

2.40

3.00

2.30 REF 。

0.70

0.90

0.60

0.90

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

0.50

0.70

2.20

2.40

0.45

0.55

0.15

0.90

1.50

5.40

5.80

0.80

1.20

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

@10V

连续漏电流， V

@10V

漏电流脉冲

总功耗

线性降额因子

工作结存储温度范围

符号

=25 :

=100 :

=25 :

TJ ， TSTG

评级

±20

0.31

-55 ~ +150

单位

W/ :

热数据

参数

热阻结案件

热阻结到环境

马克斯。

符号

Rthj -C

Rthj -A

价值

3.2

110

单位

: /W

GJ9971

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颁发日期： 2005年7月21日

修订日期：

电气特性（ TJ = 25 ：除非另有说明）

参数

漏源击穿电压

击穿电压温度系数

符号

DSS

分钟。

1.0

典型值。

0.05

1700

160

110

马克斯。

3.0

±100

2700

单位

V/ :

测试条件

=0, I

=250uA

参考25 ：我

=1mA

, I

=250uA

= 10V ，我

=18A

= ±20V

=60V, V

=48V, V

= 10V ，我

=18A

= 4.5V ，我

=12A

=18A

=48V

=4.5V

=30V

=18A

=10V

=3.3

=1.67

=0V

=25V

f=1.0MHz

栅极阈值电压

正向跨导

栅极 - 源极漏电流

漏极 - 源极漏电流（ TJ = 25 ：）

漏极 - 源极漏电流（ TJ =

150 :

)

GS （ TH）

GSS

DSS

静态漏源导通电阻

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ “米勒” ）变更

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

DS （ ON）

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

源极 - 漏极二极管

参数

正向电压上

反向恢复时间

反向恢复电荷

符号

分钟。

典型值。

马克斯。

1.2

单位

测试条件

= 25A V

=0V

= 18A ，V

=0V

的di / dt = 100A / S

注意事项： 1，脉冲宽度有限的安全工作区。

2.脉宽300US ，占空比2 ％。

GJ9971

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颁发日期： 2005年7月21日

修订日期：

特性曲线

图1.典型的输出特性

图2.典型的输出特性

图3.导通电阻V.S.栅极电压

图4.归一导通电阻

V.S.结温

图5.正向特性

反向二极管

GJ9971

图6.栅极阈值电压V.S.

结温

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颁发日期： 2005年7月21日

修订日期：

图7.栅极电荷特性

图8.典型的电容特性

图9.最高安全工作区

图10.有效的瞬态热阻抗

图11.开关时间波形

图12.栅极电荷波形

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1315

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9342

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12500

SOT-252

全新原装正品/质量有保证

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