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无铅电镀产品
颁发日期： 2005/12/05
修订日期：
GJ3310
P沟道增强型功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
-20V
150m
-10A
该GJ3310提供设计师与快速切换的最佳组合，低导通电阻和
成本效益。
在TO- 252封装普遍首选的所有商业工业表面贴装应用和
适用于低电压和电池功率应用。
*简单的驱动要求
* 2.5V栅极驱动能力
描述
特点
包装尺寸
TO-252
REF 。
A
B
C
D
E
F
S
毫米
分钟。
马克斯。
6.40
6.80
5.20
5.50
6.80
7.20
2.40
3.00
2.30 REF 。
0.70
0.90
0.60
0.90
REF 。
G
H
J
K
L
M
R
毫米
分钟。
马克斯。
0.50
0.70
2.20
2.40
0.45
0.55
0
0.15
0.90
1.50
5.40
5.80
0.80
1.20
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@10V
连续漏电流， V
GS
@10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25 :
I
D
@T
C
=100 :
I
DM
P
D
@T
C
=25 :
TJ ， TSTG
评级
-20
±12
-10
-6.2
-24
25
0.01
-55 ~ +150
单位
V
V
A
A
A
W
W/ :
:
热数据
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
符号
Rthj -C
Rthj -A
价值
5.0
110
单位
:
/W
: /W
GJ3310
页： 1/5
颁发日期： 2005/12/05
修订日期：
电气特性（ TJ = 25 ：除非另有说明）
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
符号
BV
DSS
BV
DSS
/
Tj
分钟。
-20
-
-0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-0.1
-
4.4
-
-
-
-
-
6
1.5
0.6
2.5
60
70
60
300
180
60
马克斯。
-
-
-
-
±100
-1
-25
150
250
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
V/ :
V
S
nA
uA
uA
m
测试条件
V
GS
=0, I
D
=-250uA
参考25 ：我
D
=-1mA
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -5V ，我
D
=-2.8A
V
GS
= ±12V
V
DS
=-20V, V
GS
=0
V
DS
=-16V, V
GS
=0
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-2.8A
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-2.0A
I
D
=-2.8A
V
DS
=-6V
V
GS
=-5V
V
DS
=-6V
I
D
=-1A
V
GS
=-5V
R
G
=6
R
D
=6
V
GS
=0V
V
DS
=-6V
f=1.0MHz
栅极阈值电压
正向跨导
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 25 ： ）
漏极 - 源极漏电流（ TJ =
150 :
)
V
GS （ TH）
g
fs
I
GSS
I
DSS
静态漏源导通电阻
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）变更
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
nC
ns
pF
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
连续源电流（
体二极管
)
脉冲源电流（
体二极管
)
1
符号
V
SD
I
S
I
SM
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
-
马克斯。
-1.2
-10
-24
单位
V
A
A
测试条件
I
S
= -10A ，V
GS
= 0V ， TJ = 25 ：
V
D
=V
G
=0V, V
S
=-1.2V
注意事项： 1，脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉宽300US ，占空比2 ％ 。
GJ3310
页： 2/5
颁发日期： 2005/12/05
修订日期：
特性曲线
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
图5.最大漏极电流
V.S.外壳温度
GJ3310
图6.输入功率耗散
页页次：3/5
颁发日期： 2005/12/05
修订日期：
图7.最大安全工作区
图8.有效的瞬态热阻抗
图9.栅极电荷特性
图10.典型的电容特性
图11.正向特性
反向二极管
GJ3310
图12.栅极阈值电压V.S.
结温
页次： 4/5
颁发日期： 2005/12/05
修订日期：
图13.开关时间电路
图14.开关时间波形
图15.栅极电荷电路
图16.栅极电荷波形
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GTM保留随时修改其产品，恕不另行通知。
GTM半导体产品不保证适合于生命支持应用程序或系统。
GTM自行提供客户产品设计，专利侵权，或申请援助的任何后果不承担任何责任。
总公司及工厂：
台湾：
17-1号大同路。傅口新竹工业园区，新竹，台湾， ROC
电话： 886-3-597-7061传真： 886-3-597-9220 ， 597-0785
中国：
（ 201203 ） 255号，长江财Lueng RD 。 ，浦勇鑫区尚海城，中国
电话： 86-21-5895-7671 4传真： 86-21-38950165
GJ3310
页页次：5/5
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    GJ3310
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GTM
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联系人：刘经理
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