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无铅电镀产品
颁发日期: 2006年5月19日
修改日期: 2006/11 / 09B
GJ3055S
N沟道增强型功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
20V
25m
18A
描述
该GJ3055S提供设计师与快速切换,坚固耐用的设备设计,低的最佳组合
导通电阻和成本效益。
在TO- 252封装普遍首选的所有商业工业表面贴装应用和
适用于低电压应用,如DC / DC转换器。
*低栅极电荷
*简单的驱动要求
*快速切换
特点
包装尺寸
TO-252
REF 。
A
B
C
D
E
F
S
毫米
分钟。
马克斯。
6.40
6.80
5.20
5.50
6.80
7.20
2.40
3.00
2.30 REF 。
0.70
0.90
0.60
0.90
REF 。
G
H
J
K
L
M
R
毫米
分钟。
马克斯。
0.50
0.70
2.20
2.40
0.45
0.55
0
0.15
0.90
1.50
5.40
5.80
0.80
1.20
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流, V
GS
@10V
连续漏电流, V
GS
@10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
符号
V
GS
V
GS
I
D
@T
C
=25 :
I
D
@T
C
=100 :
I
DM
P
D
@T
C
=25 :
TJ , TSTG
评级
20
±8
18
10
30
28
0.22
-55 ~ +150
单位
V
V
A
A
A
W
W/ :
:
热数据
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
符号
Rthj -C
Rthj -A
价值
4.5
110
单位
:
/W
: /W
GJ3055S
页: 1/5
颁发日期: 2006年5月19日
修改日期: 2006/11 / 09B
电气特性( TJ = 25 :除非另有说明)
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
符号
BV
DSS
BV
DSS
/
Tj
分钟。
20
-
0.5
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.037
-
7
-
-
-
-
-
-
18.9
2.1
2.4
14.3
11.9
22.1
16.7
614
151
116
马克斯。
-
-
1.2
-
±100
1
25
25
30
40
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
V/ :
V
S
nA
uA
uA
测试条件
V
GS
=0, I
D
=250uA
参考25 :我
D
=1mA
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ,我
D
=6A
V
GS
= ±8V
V
DS
=20V, V
GS
=0
V
DS
=16V, V
GS
=0
V
GS
= 10V ,我
D
=8A
栅极阈值电压
正向跨导
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流( TJ = 25 : )
漏极 - 源极漏电流( TJ =
150
: )
V
GS ( TH)
g
fs
I
GSS
I
DSS
静态漏源导通电阻
R
DS ( ON)
-
-
m
V
GS
= 4.5V ,我
D
=6A
V
GS
= 2.5V ,我
D
=5.2A
I
D
=6A
V
DS
=10V
V
GS
=10V
V
DS
=10V
I
D
=1A
V
GS
=4.5V
R
G
=6
R
L
=10
V
GS
=0V
V
DS
=8V
f=1.0MHz
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( “米勒” )变更
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
2
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D(上)
T
r
T
D(关闭)
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
nC
ns
pF
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
连续源电流(
体二极管
)
脉冲源电流(
体二极管
)
1
符号
V
SD
I
S
I
SM
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
-
马克斯。
1.3
18
30
单位
V
A
A
测试条件
I
S
= 18A ,V
GS
= 0V , TJ = 25 :
V
D
= V
G
=0V, V
S
=1.3V
注意事项: 1,脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉宽300US ,占空比2 % 。
GJ3055S
页: 2/5
颁发日期: 2006年5月19日
修改日期: 2006/11 / 09B
特性曲线
图1.典型的输出特性
如图2传输特性
图3.跨V.S.
漏电流
图4.导通电阻V.S.
结温
图5.击穿电压
V.S.结温
GJ3055S
图6.体二极管正向电压
V.S.源出电流
页页次:3/5
颁发日期: 2006年5月19日
修改日期: 2006/11 / 09B
图7.最大安全工作区
图8.栅极阈值电压
V.S.结温
图9.栅极电荷特性
图10.典型的电容特性
图11.开关时间电路
GJ3055S
图12.开关时间波形
页次: 4/5
颁发日期: 2006年5月19日
修改日期: 2006/11 / 09B
图13.归瞬态热阻抗曲线
重要通知:
保留所有权利。严禁复制全部或部分不GTM的事先书面批准。
GTM保留随时修改其产品,恕不另行通知。
GTM半导体产品不保证适合于生命支持应用程序或系统。
GTM自行提供客户产品设计,专利侵权,或申请援助的任何后果不承担任何责任。
总公司及工厂:
台湾:
17-1号大同路。傅口新竹工业园区,新竹,台湾, ROC
电话: 886-3-597-7061传真: 886-3-597-9220 , 597-0785
中国:
( 201203 ) 255号,长江财Lueng RD 。 ,浦勇鑫区尚海城,中国
电话: 86-21-5895-7671 4传真: 86-21-38950165
GJ3055S
页页次:5/5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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GS
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TO252/DPAK
全新原装现货,原厂代理。
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电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
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GS
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