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GI750通GI758
大电流塑封整流
反向电压 -
50至800伏特
机箱样式P600
正向电流 -
6.0安培
特点
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
较高的正向电流能力
扩散结
施工采用无空隙
模压塑料技术
高浪涌电流能力
高温焊接保证:
250 ℃/ 10秒0.375"设计(9.5mm )引线长度,
5磅。 ( 2.3千克)张力
1.0 (25.4)
分钟。
0.360 (9.1)
0.340 (8.6)
0.360 (9.1)
0.340 (8.6)
机械数据
0.052 (1.32)
0.048 (1.22)
DIA 。
1.0 (25.4)
分钟。
案例:
无空洞模压塑体
终端:
镀轴向引线,每MIL -STD -750焊接的,
方法2026
极性:
颜色频带端为负极
安装位置:
任何
重量:
0.07盎司, 2.1克
尺寸单位:英寸(毫米)
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
符号
GI750
GI751
GI752
GI754
GI756
GI758
单位
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大非重复性峰值反向电压
最大正向平均整流电流在
T
A
= 60℃, P.C.B.安装
(图1)的
T
L
= 60 ° C, 0.125" ( 3.18毫米)引线长度
(图2)
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
额定负荷( JEDEC的方法)
在6.0A最大正向电压
100A
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
典型结电容
(注1 )
典型的反向恢复时间
典型热阻
(注2 )
V
RRM
V
RMS
V
DC
V
RSM
I
(AV)
50
35
50
60
100
70
100
120
200
140
200
240
400
280
400
480
6.0
22.0
400.0
0.90
1.25
5.0
1.0
150.0
2.5
20.0
4.0
600
420
600
720
800
560
800
1200
安培
I
FSM
安培
0.95
1.30
V
F
I
R
C
J
t
rr
R
θJA
R
θJL
T
J
, T
英镑
A
mA
pF
s
° C / W
°C
T
A
=25°C
T
A
=100°C
(注3)
工作结存储温度范围
-50至+150
注意事项:
( 1 )测得1.0 MHz和应用4.0伏特的反向电压
( 2 )反向恢复测试条件:我
F
= 0.5A ,我
R
= 1.0A , IRR = 0.25A
结( 3 )到环境的热阻和交界处领导在0.375“设计(9.5mm )引线长度,
P.C.B.安装有1.1× 1.1 “ ( 30× 30毫米)铜垫
10/12/98
额定值和特性曲线GI750 THRU GI758
正向平均整流电流,
安培
图1 - 最大正向电流
电流降额
60 H
Z
电阻或
感性负载
图。 2 - 最大正向电流降额
曲线
28
平均正向电流,
安培
24
20
16
12
8.0
4.0
0
0
L=0.25”
(6.35mm)
L = 0.125 “ ( 3.18毫米)
60 H
Z
电阻或
感性负载
L=0.375”
(9.5mm)
1.1× 1.1“ ( 30× 30毫米)
铜垫
两条引线
连接到热
盆带长度
如图所示的“L”
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
环境温度, ℃,
L=0.625”(15.8mm)
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200
焊接温度,
°C
图。 3 - 最大峰值正向浪涌电流
图。 4 - 典型瞬时
正向特性
V
RRM
可以施加
的每个周期之间的
SURGE中,T
J
注意为T
J
暴涨前
ET
ITIV
E
600
100
NO
峰值正向浪涌电流
安培
N-R
EP
T
J
=25°C
脉冲宽度= 300μS
1 %占空比
T
J
=
25°
C
RE
PE
山雀
T
J
=
150
瞬时正向电流,
安培
T
J
=25°C
°C
10
香港专业教育学院
100
T
J
=150°C
1
50
1
10
周期数的AT 60 H
Z
100
0.1
图。 5 - 典型的反向特性
100
0.01
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
正向电压,
瞬时反向电流,
微安
10
T
J
=125°C
图。 6 - 典型的瞬态热阻抗
瞬态热阻抗,
° C / W
100
T
J
=100°C
1
10
T
J
=25°C
0.1
1
0.01
0
20
40
60
80
100
0.1
0.01
0.1
1
T,脉冲持续时间,秒。
10
100
百分之额定峰值反向电压, %
GI750通GI758
威世通用半导体
大电流轴向塑封整流
特点
低正向压降
低漏电流,I
R
小于0.1微安
高正向电流能力
高正向浪涌能力
浸焊275 °C以下。 10秒,每JESD 22 - B106
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
P600
典型应用
主要特征
I
F( AV )
V
RRM
I
FSM
V
F
I
R
T
J
马克斯。
6.0 A
50 V至800 V
400 A
0.9 V, 0.95 V
5.0 μA
150 °C
对于通用整流电源的使用,
逆变器,转换器和续流二极管的应用。
这些设备不符合AEC - Q101标准。
机械数据
案例:
P600 ,无空隙成型环氧体
塑封料符合UL 94 V - 0阻燃等级
底座P / N - E3 - 符合RoHS标准,商用级
终端:
雾锡电镀引脚,焊
J- STD- 002和JESD 22 - B102
E3后缀符合JESD 201级1A晶须试验
极性:
颜色频带端为负极
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大非重复性峰值反向电压
最大平均
正向整流
电流
T
A
= 60℃, P.C.B.安装件(图1)
T
L
= 60℃, 0.125" ( 3.18毫米)
引线长度(图2)
I
F( AV )
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
V
RSM
GI750
50
35
50
60
GI751
100
70
100
120
GI752
200
140
200
240
6.0
22
400
- 50 + 150
A
GI754
400
280
400
480
GI756
600
420
600
720
GI758
800
560
800
1200
单位
V
V
V
V
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
工作结存储温度范围
I
FSM
T
J
, T
英镑
A
°C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
最大瞬时
在正向电压
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
典型的反向恢复时间
典型结电容
文档编号: 88627
修订: 28 - OCT- 09
测试条件
6.0 A
100 A
T
A
= 25 °C
T
A
= 100 °C
I
F
= 0.5 A,I
R
= 1.0 A,
I
rr
= 0.25 A
4.0 V, 1 MHz的
符号
V
F
I
R
t
rr
C
J
GI750
GI751
GI752
0.90
1.25
5.0
1.0
2.5
150
GI754
GI756
GI758
0.95
1.30
单位
V
μA
mA
μs
pF
www.vishay.com
1
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DiodesAmericas@vishay.com , DiodesAsia@vishay.com , DiodesEurope@vishay.com
GI750通GI758
威世通用半导体
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
典型热阻
符号
R
θJA
(1)
R
θJL
(1)
GI750
GI751
GI752
20
° C / W
4.0
GI754
GI756
GI758
单位
(1)
从结点到环境的热阻和交界处领导在0.375" (9.5 mm)引线长度,PCB装有1.1" X 1.1"
(30毫米× 30mm)的铜焊盘
订购信息
(例)
首选的P / N
GI756-E3/54
GI756-E3/73
单位重量(g )
2.1
2.1
首选包装代码
54
73
基地数量
800
300
配送方式
直径13"纸胶带和卷轴
弹药盒包装
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
8.0
1000
正向平均整流电流( A)
山顶前进
浪涌
电流(A )
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
20
40
60
80
1.1" 1.1" X (30毫米× 30mm)的
铜垫
60赫兹电阻
或电感性负载
T
J
= 25 °C
不重复
T
J
= 150 °C
100
T
J
= 25 °C
重复
V
RRM
可之间施加
的每个周期
浪涌,
经t
J
注意为T
J
之前
浪涌
T
J
= 150 °C
10
100 120 140 160 180 200
1
10
100
环境温度( ℃)
循环次数在60赫兹
图。 1 - 最大正向电流降额曲线
图。 3 - 最大峰值正向浪涌电流
28
L
=
12
0.
正向电流(A )
平均正向电流( A)
24
60赫兹电阻
或电感性负载
(3
100
脉冲宽度= 300微秒
1 %占空比
10
T
J
= 25 °C
1
L=
20
16
12
8
4
0
0
20
L=
5
& QUOT ;
0.2
5
& QUOT ;
.1
(6.
8
35
m
m
)
mm
0.3
)
75
& QUOT ;
(9
.5
这两个附加信息
以热
洗涤盆
长度
“L”
L=
0.6
2
mm
)
5
& QUOT ;
(1
5.8
mm
)
0.1
40
60
80
100 120 140 160 180 200
0.01
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
铅温度( ℃)
正向电压( V)
图。 2 - 最大正向电流降额曲线
图。 4 - 典型正向特性
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2
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DiodesAmericas@vishay.com , DiodesAsia@vishay.com , DiodesEurope@vishay.com
文档编号: 88627
修订: 28 - OCT- 09
GI750通GI758
威世通用半导体
100
100
10
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
瞬态热阻抗( ℃/ W)
瞬时反向电流( μA )
安装在
0.20" X 0.27" (5.0毫米× 7.0毫米)
铜焊盘区
10
1
T
J
= 25 °C
0.1
1
0.01
0
20
40
60
80
100
0.1
0.01
0.1
1
10
100
1999额定峰值反向电压百分比(% )
吨 - 脉冲持续时间( S)
图。 5 - 典型的反向特性
图。 6 - 典型的瞬态热阻抗
包装外形尺寸
以英寸(毫米)
P600
1.0 (25.4)
分钟。
0.360 (9.1)
0.340 (8.6)
0.360 (9.1)
0.340 (8.6)
0.052 (1.32)
0.048 (1.22)
DIA 。
1.0 (25.4)
分钟。
文档编号: 88627
修订: 28 - OCT- 09
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日前,Vishay
放弃
全部产品,产品规格及数据如有更改,恕不另行通知,以改善
可靠性,功能,设计或其他原因。
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,其附属公司,代理商和雇员,和所有代表及其或其各自的(统称个人,
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产物用在产品说明书中描述的特性,适合于一个特定的应用。参数
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工作参数,包括典型参数,必须为每个客户的应用受到了客户的验证
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或其分销商是疏忽就部分的设计或制造。请与Vishay授权人员
获得关于产品设计的此类应用程序的书面条款和条件。
没有许可证,明示或暗示,禁止反言或其他方式,向任何知识产权授予本文档或
Vishay的任何行为。产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号: 91000
修订: 11 -MAR- 11
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