无铅电镀产品
颁发日期： 2005/12/05
修订日期：
G
I
20P02
描述
P沟道增强型功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
-20V
52m
-18A
对G
I
20P02提供设计师与快速切换，坚固耐用的设备设计，低的最佳组合
导通电阻和成本效益。
通孔版（TO- 251 ）是可用于低轮廓的应用和适合于低电压
应用，如DC / DC转换器。
*简单的驱动要求
* 2.5V栅极驱动能力
*快速开关特性
特点
包装尺寸
TO-251
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
6.40
6.80
5.20
5.50
6.80
7.20
7.20
7.80
2.30 REF 。
0.60
0.90
REF 。
G
H
J
K
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
0.50
0.70
2.20
2.40
0.45
0.55
0.45
0.60
0.90
1.50
5.40
5.80
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@10V
连续漏电流， V
GS
@10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25 :
I
D
@T
C
=100 :
I
DM
P
D
@T
C
=25 :
TJ ， TSTG
评级
-20
±12
-18
-14
-50
31.25
0.25
-55 ~ +150
单位
V
V
A
A
A
W
W/ :
:
热数据
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
符号
Rthj -C
Rthj -A
价值
4.0
110
单位
:
/W
: /W
G
I
20P02
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颁发日期： 2005/12/05
修订日期：
图13.开关时间电路
图14.开关时间波形
图15.栅极电荷电路
图16.栅极电荷波形
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中国：
（ 201203 ） 255号，长江财Lueng RD 。 ，浦勇鑫区尚海城，中国
电话： 86-21-5895-7671 4传真： 86-21-38950165
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