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GHz20060
60瓦特PEP , 26伏, AB类
1800年至2000年兆赫
更新时间2001年2月
概述
该GHz20060能够提供60瓦的共发射极晶体管
对AB类, PEP RF输出功率在整个频段1800-2000 MHz的。此晶体管是
特别设计
线性通信基站
放大器应用。它包括单级输入单输出prematching 。它
利用金的金属化和发射极镇流,以提供高可靠性和
至高无上的坚固性。该GHz20060是在行业标准的氧化铍
(氧化铍)包装设计落入现有的应用程序。
案例外形
55SW ,样式2
共发射极
绝对最大额定值
最大功率耗散@ 25
o
C
250瓦
25伏
60伏特
60伏特
3伏特
8.0安培
- 65至+ 150
o
C
+ 200
o
C
最大电压和电流
BVCEO
集电极到发射极电压
BVces
集电极到发射极电压
BVCBO
集电极 - 基极电压
BVEBO
发射器基极电压
Ic
集电极电流
最高温度
储存温度
工作结温
电气特性@ 25
O
C
符号
GPE
Rl
特征
共射电源
收益
回波损耗
收藏家EF网络效率
负载不匹配公差
互调失真
测试条件
F = 2000 MHz的
VCE = 26伏
ICQ = 300毫安
60瓦特PEP
如上述,除了F 2 = 2000.1
兆赫
IC = 50 mA时, IB = 0毫安
IC = 50 mA时, Vbe的= 0
IC = 50 mA时, IE = 0毫安
IB = 10 mA时, IC = 0 mA时
VCE = 30 V直流, Vbe的= 0伏
VCE = 5V , IC = 1.0
TC = 25
o
C
25
60
60
3.0
10
100
.87
9.0
35
典型值
9.5
最大
单位
dB
-10
40
3:1
-30
η
c
dB
%
dBc的
VSWR
1
IMD
BVCEO
BVces
BVCBO
BVEBO
h
FE
θ
jc
集电极到发射极击穿
集电极到发射极击穿
集电极基极击穿
反向发射器基极击穿
收藏家泄漏电流
直流 - 电流增益
热阻
mA
o
20
C / W
问题A , 2000年1月
千兆赫科技股份有限公司。保留随时更改而不另行通知的权利。 GHz的建议,以前
产品(S )本文所述INTO规格书面的,或者使用的关键应用中,其性能
特性进行验证通过联系厂家。
执行ANCE与输入电网
噘嘴(瓦, AVE )
效率(%)
60
40
20
0
0
1
效率
VCC = 26 V
ICQ = 300μm的
F = 1960 M Hz的
NADC源
收益
10.5
9.5
8.5
7.5
增益(dB
)
90
3
4
6
8
输入电网(W的ATT ,平均值)
相邻信道电网比
-90
-20
-30
ACP ( DBC)
-40
-50
-60
-70
频率(M赫兹)
1930
1960
1990
-60
-30
30
60
噘嘴= 37 W ATT AVE ,
AD C源代码
VCC = 26伏
ICQ = 300μm的
执行ANCE跨频段
10.25
收益
42%
9.75
增益(dB )
效率
噘嘴= 37 W ATT AVE ,
AD C源代码
VCC = 26伏
ICQ = 300μm的
41%
9.25
39%
8.75
38%
8.25
1930
1960
频率(M赫兹)
36%
1990
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