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GHB-3M35-R
特点
!
低
描述
超红源彩色设备均采用
卫生署的InGaAlP在GaAs衬底发光二极管。
功耗。
州蓝光源
!
固
T-1 （3毫米）固态灯
包装尺寸
注意事项：
1.所有尺寸为毫米（英寸） 。
2.公差为0.25 （ 0.01" ），除非另有说明。
3，引线间距测量其中涌现铅包。
4.规格如有变更，恕不另行通知。
REV NO： V.2
日期： MAR / 05 / 2003
页次：1 3
选购指南
帕t无..
无霸
货号
DIC ê
ic
L ENS泰P·E
典型镜头
ENS典型值
s泰
IV（ MCD ）
四（ M C D）
（ MCD
d
@ 20毫安
铭。
IN 。
n
TY P ..
典型值
TY P
yp
1300
34
VIEWING
Viewin克
查看
i
角
GHB-3M35-R
HYPER RED （ InGaAIP ）
无色透明
900
注意：
1 1/2是从光学中心线的角度，其中所述发光强度为1/2的光学中心线值。
在T电气/光学特性
A
=25 C
SY M B 0 1
Sy
YMBO
YMBOL
PEAK
D
1/2
C
V
F
I
R
P AR上午（E T） ER
Pa
aramete
P
EAK波长
D
ominate波长
S
pectral线半宽度
C
APACITANCE
F
orward电压
R
EVERSE CURRENT
e
EV I C ê
EVIC
TY P ..
TY P
yp
6
40
6
30
2
5
45
x
最大..
ax
其未
NIT
nm
nm
nm
pF
TES吨碳 N D是IO NS
测试条件
美东时间
s
I
F
=20mA
I
F
=20mA
I
F
=20mA
V
F
=0V;f=1MHz
I
F
=20mA
V
R
= 5V
2.
9
2.5
1
0
V
uA
在T绝对最大额定值
A
=25 C
P A R A M （E T） ER
Pa
ARAMETER
功耗
直流正向电流
峰值正向电流[ 1 ]
超红
其未
单位
NIT
mW
m
A
150
30
200
m
A
V
反向电压
工作/储藏温度
无铅焊锡温度[ 2 ]
注意事项：
1. 1/10占空比， 0.1ms的脉冲宽度。
2. 2mm封装基座下方。
5
-40°C至+ 85°C
260℃持续5秒
REV NO： V.2
日期： MAR / 05 / 2003
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