设备选型指南
脚印
(mm)
[1,2]
AS的AlInGaP
AMBER
AS的AlInGaP
橙
AS的AlInGaP
红
TS的AlInGaP
红
GHB0805DU-R2
包
描述
不着色，扩散
2.0 x 1.25 x 0.8
GHB-0805DU-Y
GHB - 0805DU -O GHB - 0805DU -R
注意事项：
1.尺寸（mm） 。
2.宽容
±
0.1毫米除非另有说明。
T
绝对最大额定值
°
A
= 25C
GHB-0805DU-Y
GHB-0805DU-O
GHB-0805DU-R
[1,2]
参数
直流正向电流
功耗
反向电压（I
毫安）
R
= 100
LED结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
GHB-0805DU-R2
30
81
5
95
-30至+85
D40 + 85
见红外焊接温度曲线（图7 ）
单位
mA
mW
V
°C
°C
°C
30
75
5
95
-30至+85
D40 + 85
注意事项：
1.线性降额作为连接gure 4所示。
2.驱动电流大于5毫安被推荐为最佳的长期性能。
电气特性
°
T
A
= 25C
正向电压
V
F
（伏）
@ I = 20毫安
F
典型值。
马克斯。
1.9
1.9
1.9
2.2
2.4
2.4
2.4
2.6
反向击穿
V
R
（伏）
@
R
I = 100 A
m
分钟。
5
5
5
5
电容C
（PF ） ，V
F
= 0,
F = 1 MHz的
典型值。
45
45
45
35
热
阻力
R
J- PIN
=
°
q
（ C / W ）
典型值。
300
300
300
300
参数号
GHB-0805DU-Y
GHB-0805DU-O
GHB-0805DU-R
GHB-0805DU-R2
光学特性
°
T
A
= 25C
发光的
强度
I
v
（ MCD ）
[1]
@ 20毫安
分钟。
典型值。
25
25
25
40
90
90
90
165
PEAK
波长
l
PEAK
（纳米）
典型值。
595
609
637
643
色，
优势
波长
l
d[2]
（纳米）
典型值。
592
605
626
631
VIEWING
发光的
角
ê FFI cacy
2
q
1/2
h
v
[3]
度
（流明/瓦特）
典型值。
典型值。
170
170
170
170
480
370
155
122
部分
数
GHB-0805DU-Y
GHB-0805DU-O
GHB-0805DU-R
GHB-0805DU-R2
颜色
琥珀
橙色
红
TS红
注意事项：
1.发光强度，我
v
被测量的空间辐射方向图的可能不能用的机械轴对准的峰值
灯包。
2.主波长
l
d
中，从在CIE色度图上来自和表示设备所感知的颜色。
3.
q
1/2
是离轴角，其中所述发光强度为1/2的峰强度。
1.0
I
F
- 正向电流 - 毫安
100
AS的AlInGaP
AMBER
RS的AlInGaP
AED
AS的AlInGaP
相对强度
AS的AlInGaP
橙
0.5
TS的AlInGaP
红
10
1
TS的AlInGaP
0
500
550
600
650
700
750
0.1
1.5
1.7
1.9
2.1
2.3
2.5
波长 - 纳米
I
F最大。
- 最大正向电流 - 毫安
V
F
- 正向电压 - V
1.4
1.2
发光强度
（归一20毫安）
35
30
25
20
Rq
J- á
= 800 ° C / W
15
Rq
J- á
= 60℃ / W
10
5
0
0
20
40
60
80
100
Rq
J- á
= 50℃ / W
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
5
10
15
20
25
30
I
F
- 正向电流 - 毫安
1.00
0.90
相对强度
T
A
- 环境温度 - °C
0.80
0.70
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0
-90 -80 -70 -60 -50 -40 -30 -20 -10
0
10 20 30 40 50 60 70
80 90
角
1.2 (0.047)
1.2
(0.047)
1.2
(0.047)
0.9
(0.035)
为GHB - 0805DU -Y / O / R / R2推荐焊接模式
QQ：2880707522 复制
