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GFU50N03
新产品
威世半导体
V
DS
30V
R
DS （ ON）
9
m
I
D
65A
N沟道增强型MOSFET
0.265 (6.73)
0.255 (6.48)
CH
EN ET
T
R N
F
TO- 251 （ IPAK ）
G
E
0.094 (2.39)
0.087 (2.21)
0.023 (0.58)
0.018 (0.46)
0.050 (1.27)
0.035 (0.89)
D
TM
G
0.214 (5.43)
0.206 (5.23)
S
D
特点
先进的加工技术
用于超低导通电阻高密度电池设计
专为低电压DC / DC转换器
和电机驱动器
快速开关的高效率
0.245 (6.22)
0.235 (5.97)
G
S
机械数据
0.375 (9.53)
0.350 (8.89)
案例：
JEDEC TO- 251模压塑体
终端：
焊接镀，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
高温焊接保证：
250℃ / 10秒的终端
重量：
0.011盎司， 0.4克
0.035 (0.89)
0.028 (0.71)
0.102 (2.59)
0.078 (1.98)
0.023 (0.58)
0.018 (0.46)
0.045 (1.14)
0.035 (0.89)
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和热特性
(T
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
(1)
漏电流脉冲
最大功率耗散
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
R
θJC
R
θJA
A
= 25 ° C除非另有说明）
极限
30
±
20
单位
V
65
150
62.5
25.0
-55到150
2.0
110
A
W
°C
° C / W
° C / W
工作结存储温度范围
结到外壳热阻
结至环境热阻
注意事项：
（1）最大直流电流受限于封装。
文档编号74575
17-Dec-01
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1
GFU50N03
威世半导体
电气特性
(T
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
(1)
漏源导通电阻
(1)
正向跨导
(1)
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
二极管的最大正向电流
二极管的正向电压
(1)
注意：
（ 1 ）脉冲测试;脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 0V, V
GS
= ±20V
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
V
DS
≥
5V, V
GS
= 10V
V
GS
= 10V ，我
D
= 15A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 13A
V
DS
= 15V ，我
D
= 15A
30
1.0
—
—
50
—
—
—
—
—
—
—
—
7.1
10
50
—
3.0
±100
1.0
—
9
12
—
V
V
nA
A
A
m
S
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
=15V
,
V
GS
= 5V ，我
D
=15A
V
DS
= 15V, V
GS
= 10V
I
D
= 15A
—
—
—
—
—
31
60
9
8.5
13
16
94
38
3240
625
285
43
84
—
—
26
29
132
57
—
—
—
pF
ns
nC
V
DD
= 15V ，R
L
= 15
I
D
1A ，V
根
= 10V
R
G
= 6
V
GS
= 0V
V
DS
= 15V
F = 1.0MH
Z
—
—
—
—
—
—
I
S
V
SD
—
I
S
= 20A ，V
GS
= 0V
—
—
—
0.85
20
1.3
A
V
V
DD
t
on
t
关闭
t
r
90%
开关
测试电路
V
根
R
G
V
IN
D
R
D
V
OUT
开关
波形
t
D（上）
t
D（关闭）
t
f
90 %
10%
倒
90%
输出，V
OUT
DUT
10%
G
50%
50%
S
输入，V
IN
10%
脉冲宽度
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2
文档编号74575
17-Dec-01
GFU50N03
威世半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图。 1 - 输出特性
80
图。 2 - 传输特性
80
70
V
DS
= 10V
I
D
- 漏极 - 源极电流（A ）
10V
70
6.0V
60
50
40
30
20
10
4.5V
5.0V
3.5V
I
D
- 漏电流（ A）
4.0V
60
50
40
30
20
10
0
25°C
T
J
= 125°C
--55°C
3.0V
V
GS
= 2.5V
0
0
1
2
3
4
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
图。 3 - 阈值电压
2
I
D
= 250A
0.015
图。 4 - 导通电阻与
漏电流
V
（ TH ）
- 栅极 - 源极阈值
电压（V）的
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
--50
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
1.8
0.0125
0.01
0.0075
V
GS
= 10V
0.005
V
GS
= 4.5V
0.0025
0
--25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
20
30
40
50
60
70
80
T
J
- 结温（ ° C）
I
D
- 漏电流（ A）
图。 5 - 导通电阻与
结温
1.6
V
GS
= 10V
I
D
= 15A
R
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
1.4
1.2
1
0.8
0.6
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
文档编号74575
17-Dec-01
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3
GFU50N03
威世半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图。 6 - 导通电阻与
栅极 - 源极电压
0.03
I
D
= 15A
10
图。 7 - 栅极电荷
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 15V
I
D
= 15A
8
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.025
0.02
6
0.015
T
J
= 125°C
0.01
0.005
4
25°C
2
0
2
4
6
8
10
0
0
10
20
30
40
50
60
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
Q
g
- 栅极电荷（ NC）
图。 8 - 电容
4000
3500
C
国际空间站
F = 1MH
Z
V
GS
= 0V
100
图。 9 - 源极 - 漏极二极管
正向电压
V
GS
= 0V
2500
2000
1500
1000
C
OSS
500
0
C
RSS
I
S
- 源电流（ A）
- 电容（pF ）
3000
10
1
T
J
= 125°C
0.1
25°C
--55°C
0.01
0
5
10
15
20
25
30
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
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文档编号74575
17-Dec-01
GFU50N03
威世半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图。 10 - 击穿电压
- 结温
43
图。 11 - 瞬态热
阻抗
R
θJA
（范）
- 归热
阻抗
BV
DSS
- 击穿电压（ V）
42
41
40
39
38
37
36
--50
I
D
= 250A
1.占空比D = T
1
/t
2
2. R
θJA
（吨） = R
θJA
（标准） * R
θJA
3. R
θJA
= 2.0 ° C / W
4. T
J
-- T
A
= P
DM
* R
θJA
(t)
--25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
脉冲持续时间（秒）。
图。 12 - 功率与脉冲持续时间
1000
1000
图。 13 - 最高安全工作区
800
I
D
- 漏电流（ A）
100
1m
s
10
0
s
600
400
10
m
s
10
R
DS （ ON）
极限
V
GS
= 10V
单脉冲
R
θJC
= 2.0 ° C / W
T
A
= 25°C
DC
200
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
1
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏源电压（ V）
文档编号74575
17-Dec-01
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G5131-35T14U
G5131-35-T14U
GMS84512
GSF1.1202.41
GBU15M-BP
G34100B1EB1S
GP1F38T
GS72108AJ-8I
GSD2004W-V-GS18
GM71C4403DLT
G910T21UF
G3B25AH-S-XA
GMD-300MA
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GFU50N03
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GFU50N03
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GFU50N03
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