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GFU25N03
新产品
威世半导体
V
DS
30V
R
DS （ ON）
16.5
m
I
D
38A
N沟道增强型MOSFET
0.265 (6.73)
0.255 (6.48)
CH
EN ET
T
R N
F
TO- 251 （ IPAK ）
G
E
0.094 (2.39)
0.087 (2.21)
0.023 (0.58)
0.018 (0.46)
0.050 (1.27)
0.035 (0.89)
D
TM
G
0.214 (5.43)
0.206 (5.23)
S
D
特点
先进的加工技术
对于超低导通电阻高密度电池设计
专为低电压DC / DC转换器
快速开关的高效率
低栅电荷
0.245 (6.22)
0.235 (5.97)
G
S
机械数据
0.375 (9.53)
0.350 (8.89)
案例：
JEDEC TO- 251模压塑体
终端：
焊接镀，每MIL -STD -750焊接的，
方法2026
高温焊接保证：
250℃ / 10秒的终端
重量：
0.011盎司， 0.4克
0.035 (0.89)
0.028 (0.71)
0.102 (2.59)
0.078 (1.98)
0.023 (0.58)
0.018 (0.46)
0.045 (1.14)
0.035 (0.89)
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和热特性
(T
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
T
J
= 150°C
漏电流脉冲
(1)
功耗
T
J
= 150°C
T
C
= 25°C
T
C
= 70°C
T
A
= 25°C
(2)
T
C
= 25°C
T
C
= 70°C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
R
θJC
R
θJA
C
= 25 ° C除非另有说明）
极限
30
单位
V
±
20
38
30
80
38
24
2.5
-55到150
3.3
50
A
W
工作结存储温度范围
结到外壳热阻
结至环境热阻
(2)
注意事项：
（ 1 ）脉冲宽度有限的最高结温
（ 2 ）表面安装在1英寸
2
2盎司..铜印刷电路板（ FR-4材料）
°C
° C / W
° C / W
文档编号74572
17-Dec-01
www.vishay.com
1
GFU25N03
威世半导体
电气特性
(T
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
(1)
漏源导通电阻
(1)
正向跨导
(1)
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(1)
连续源电流（二极管传导）
注意事项：
（ 1 ）脉冲测试;脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= ± 20V, V
DS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
DS
≥
5V, V
GS
= 10V
V
GS
= 10V ，我
D
= 19A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 15A
V
DS
= 5V ，我
D
= 19A
30
0.8
–
–
–
80
–
–
–
–
–
–
–
–
–
12.5
19
25
–
2.5
V
V
nA
A
A
m
S
±
100
1
10
–
16.5
25
–
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
= 15V, V
GS
= 5V ，我
D
= 19A
V
DS
= 15V ，我
D
= 19A
V
GS
= 10V
–
–
–
–
–
–
–
–
11
22
3.4
3.4
10
14
38
6
1173
199
112
14
28
–
–
18
25
60
10
–
–
–
pF
ns
nC
V
DD
= 15V ，我
D
= 1A
V
根
= 10V ，R
G
= 6
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V
F = 1.0MH
Z
–
–
–
V
SD
I
S
I
S
= 19A ，V
GS
= 0V
–
–
–
0.9
–
1.2
30
V
A
V
DD
t
on
t
关闭
t
r
90%
开关
测试电路
V
根
R
G
V
IN
D
R
D
V
OUT
开关
波形
t
D（上）
t
D（关闭）
t
f
90 %
10%
倒
90%
输出，V
OUT
DUT
10%
G
50%
50%
S
输入，V
IN
10%
脉冲宽度
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2
文档编号74572
17-Dec-01
GFU25N03
威世半导体
收视率和
特性曲线
(T
40
V
GS
= 4.0V, 4.5V, 5.0V, 6V, 10V
A
= 25 ° C除非另有说明）
图。 1 - 输出特性
40
图。 2 - 传输特性
V
DS
= 10V
I
D
- 漏源电流（A ）
20
3.0V
10
V
GS
= 2.5V
I
D
- 漏电流（ A）
30
3.5V
30
20
T
J
= 125°C
10
--55°C
25°C
0
0
1
2
3
4
5
0
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
图。 3 - 阈值电压 -
温度
1.4
I
D
= 250A
0.025
图。 4 - 导通电阻与
漏电流
V
GS （ TH）
- 阈值电压（ V）
1.2
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.02
V
GS
= 4.5V
0.015
1
0.8
0.01
V
GS
= 10V
0.6
0.4
--50
0.005
--25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
20
30
40
T
J
- 结温（ ° C）
I
D
- 漏电流（ A）
图。 5 - 导通电阻与
结温
1.8
V
GS
= 10V
I
D
= 19A
1.6
R
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
1.4
1.2
1
0.8
0.6
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
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3
GFU25N03
威世半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图。 6 - 导通电阻与
栅极 - 源极电压
0.07
I
D
= 19A
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0
2
4
6
8
10
25°C
10
图。 7 - 栅极电荷
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 15V
I
D
= 19A
8
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
6
T
J
= 125°C
4
2
0
0
4
8
12
16
20
24
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
Q
g
- 栅极电荷（ NC）
图。 8 - 电容
1500
C
国际空间站
1200
F = 1MH
Z
V
GS
= 0V
100
图。 9 - 源极 - 漏极二极管
正向电压
V
GS
= 0V
900
I
S
- 源电流（ A）
- 电容（pF ）
10
1
T
J
= 125°C
600
0.1
25°C
--55°C
300
C
RSS
0
C
OSS
0.01
0
5
10
15
20
25
30
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
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GCF10A60
G941T24B
GE561K
GS882Z18B-80I
GAL22V10-15LVC
GOB95028
GS8342Q18GE-200
GRM0335C1H4R7WD01D
G924-160T1UF
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型号
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