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GFP65N02
N沟道增强型MOSFET
TO-220AB
0.415 (10.54)
马克斯。
0.154 (3.91)
DIA 。
0.142 (3.60)
0.113 (2.87)
0.102 (2.56)
D
CH
EN ET
UCT
T
F
ROD
wP
Ne
G
0.185 (4.70)
0.170 (4.31)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
V
DS
20V
R
DS ( ON)
8.5
m
I
D
65A
D
G
*
0.155 (3.93)
0.134 (3.40)
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.635 (16.13)
0.580 (14.73)
0.360 (9.14)
0.330 (8.38)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.104 (2.64)
0.094 (2.39)
S
特点
先进的加工技术
用于超低高密度电池设计
导通电阻
专为低电压DC / DC
转换器
快速开关的高效率
0.410 (10.41)
0.350 (8.89)
G
D
S
0.160 (4.06)
0.09 (2.28)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
机械数据
0.037 (0.94)
0.026 (0.66)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.205 (5.20)
0.190 (4.83)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
尺寸以英寸
(毫米)
*
可缺口或平
案例:
JEDEC TO- 220AB模压塑体
终端:
导致每MIL -STD- 750 ,
方法2026
高温焊接保证:
250℃ / 10秒的终端
安装扭矩:
最大10磅
重量:
2.0g
最大额定值和热特性
(T
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
T
J
= 150°C
漏电流脉冲
(1)
功耗
T
J
= 150°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
T
A
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
R
θJC
R
θJA
C
= 25 ° C除非另有说明)
极限
20
单位
V
±
20
65
41
150
57
23
2
-55到150
2.2
62.5
A
W
°C
° C / W
° C / W
10/8/01
工作结存储温度范围
结到外壳热阻
结至环境热阻
注意事项:
( 1 )脉冲宽度有限的最高结温
GFP65N02
N沟道增强型MOSFET
电气特性
(T
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
(1)
漏源导通电阻
(1)
正向跨导
(1)
动态
总栅极电荷
(1)
栅极 - 源电荷
(1)
栅极 - 漏极电荷
(1)
导通延迟时间
(1)
上升时间
(1)
打开-O FF延迟时间
(1)
下降时间
(1)
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
马克斯。二极管的正向电流
马克斯。脉冲二极管正向电流
二极管的正向电压
(1)
(1)
(2)
J
= 25 ° C除非另有说明)
符号
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
R
DS ( ON)
g
fs
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 0V, V
GS
= ±20V
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DS
=16V, V
GS
= 0V ,T
J
=125°C
V
DS
5V, V
GS
= 10V
V
GS
= 10V ,我
D
= 32A
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 25A
V
DS
= 10V ,我
D
= 32A
V
DS
=10V, V
GS
= 4.5V ,我
D
=32A
V
DS
= 10V, V
GS
= 10V
I
D
= 32A
V
DD
= 10V ,我
D
= 1A
V
= 10V
R
G
= 6
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
F = 1.0MH
Z
20
0.8
65
典型值
6.5
10.5
40
19.5
38
6.5
8.5
12
11
53
21
1920
568
369
0.9
60
1.15
37
最大
2.5
±100
1
10
8.5
13.5
30
60
20
20
80
40
单位
V
nA
A
A
m
S
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RRM
Q
rr
nC
ns
pF
45
150
1.3
A
A
V
ns
A
nC
I
S
= 25A ,V
GS
= 0V
I
F
= 40A ,的di / dt = 100A / μs的
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
(1)
反向恢复电荷
(1)
注意:
( 1 )脉冲测试;脉冲宽度
300
s,
占空比
2%
( 2 )脉冲宽度有限的最高结温
t
on
t
关闭
t
r
90%
开关
测试电路
V
R
G
V
IN
D
R
D
V
OUT
开关
波形
t
D(上)
t
D(关闭)
t
f
90 %
输出,V
OUT
DUT
10%
10%
90%
G
50%
50%
S
输入,V
IN
10%
脉冲宽度
GFP65N02
N沟道增强型MOSFET
收视率和
特性曲线
(T
80
A
= 25 ° C除非另有说明)
图。 1 - 输出特性
70
图。 2 - 传输特性
V
DS
= 10V
60
I
D
- 漏极 - 源极电流(A )
V
GS
= 4.5V, 5.0V, 6.0V, 10.0 V
I
D
- 漏电流( A)
60
4.0V
40
3.5V
50
40
30
T
J
= 125°C
20
25°C
--55°C
10
0
3.0V
20
2.5V
0
0
1
2
3
4
5
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
V
GS ( TH)
- 栅极 - 源极阈值电压( V)
(归一化)
图。 3 - 阈值电压
与温度的关系
1.2
I
D
= 250A
1.1
0.02
图。 4 - 导通电阻
与漏电流
R
DS ( ON)
- 导通电阻( Ω )
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
--50
0.015
0.01
V
GS
= 4.5V
0.005
V
GS
= 10.0V
0
--25
0
25
50
75
100
125
150
0
20
40
60
80
T
J
- 结温( ° C)
I
D
- 漏电流( A)
图。 5 - 导通电阻
- 结温
1.6
V
GS
= 10V
I
D
= 32A
0.05
图。 6 - 导通电阻
与栅极 - 源极电压
I
D
= 32A
R
DS ( ON)
- 导通电阻( Ω )
R
DS ( ON)
- 导通电阻
(归一化)
0.04
1.4
0.03
1.2
0.02
T
J
= 125°C
0.01
T
J
= 25°C
1
0.8
--50
0
--25
0
25
50
75
100
125
150
2
4
6
8
10
T
J
- 结温( ° C)
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
GFP65N02
N沟道增强型MOSFET
收视率和
特性曲线
(T
10
A
= 25 ° C除非另有说明)
图。 7 - 栅极电荷
3000
V
DS
= 10V
I
D
= 32A
8
2500
图。 8 - 电容
F = 1MH
Z
V
GS
= 0V
C
国际空间站
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
- 电容(pF )
2000
6
1500
4
1000
C
OSS
500
C
RSS
2
0
0
10
20
30
40
0
0
5
10
15
20
Q
g
- 费( NC )
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
图。 9 - 源极 - 漏极二极管
正向电压
100
V
GS
= 0V
1
图。 10 - 热阻抗
D = 0.5
R
θJA
(范)
- 归热
阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02,
单脉冲
t
1
t
2
1.占空比D = T
1
/t
2
2. R
θJC
(吨) = R
θJC (标准)
*R
θJC
3. R
θJC
= 2.2 ° C / W
4. T
J
- T
C
= P
DM
* R
θJC
(t)
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
P
DM
I
S
- 源电流( A)
T
J
= 125°C
10
25°C
--55°C
1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
SD
- 源极到漏极电压(V )
脉冲持续时间(秒)。
图。 11 - 功率与脉冲持续时间
1000
单脉冲
R
θJC
= 2.2 ° C / W
T
C
= 25°C
1000
图。 12 - 最高安全工作区
800
I
D
- 漏电流( A)
100
功率(W)的
600
R
D
O
S(
N
LIM
)
it
1m
10
0
s
10
s
m
s
400
10
V
GS
= 10V
单脉冲
R
θJC
= 2.2 C / W
T
C
= 25°C
0.1
1
100ms
DC
200
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
1
10
100
脉冲持续时间(秒)。
V
DS
- 漏源电压( V)
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联系人:何小姐
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