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首字符G的型号第223页
> GF7NB60SL
STGF7NB60SL
N沟道7A - 600V - TO- 220FP
的PowerMESH IGBT
表1 :一般特点
TYPE
STGF7NB60SL
s
s
s
s
s
图1 :包装
I
C
@100°C
7A
V
CES
600 V
V
CE ( SAT )
(最大)
@25°C
< 1.6 V
多晶硅栅极电压驱动
低阈值电压
低导通压降
低栅电荷
高电流能力
3
1
2
描述
采用了最新的高电压技术的基础上
专利带布局,意法半导体
设计的IGBT ,所述Pow-一种先进的家庭
erMESH
IGBT的,以优异的表演。
后缀“ S”标识系列优化实现
最小导通压降为低频应用程序
阳离子( <1kHz ) 。
图2 :内部原理图
应用
s
调光器
s
静态继电器
表2 :订购代码
销售类型
STGF7NB60SL
记号
GF7NB60SL
包
TO-220FP
包装
管
Rev.3
2004年9月
1/9
STGF7NB60SL
表3 :绝对最大额定值
符号
V
CES
V
ECR
V
GE
I
C
I
C
I
CM
(1)
P
合计
V
ISO
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 发射极电压(V
GS
= 0)
反向电池保护
栅极 - 发射极电压
集电极电流(连续),在25 ℃下
集电极电流(连续)在100℃下
集电极电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
绝缘耐压交流
储存温度
工作结温
价值
600
20
± 20
15
7
20
25
0.2
2500
- 55 150
符号
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
V
°C
( 1 )脉冲宽度有限的最大值。结温。
表4 :热数据
Rthj情况
Rthj - AMB
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
5
62.5
° C / W
° C / W
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编)
表5 :关
符号
V
BR (CES)上
V
BR ( ECS )
I
CES
参数
Collectro发射极击穿
电压
发射极 - 集电极击穿
电压
集电极 - 射极漏泄
电流(V
CE
= 0)
栅射极漏泄
电流(V
CE
= 0)
测试条件
I
C
= 250 μA ,V
GE
= 0
I
C
= 1mA时, V
GE
= 0
V
GE
=最大额定值
Tc=25°C
Tc=125°C
V
GE
= ± 20 V , V
CE
= 0
分钟。
600
20
典型值。
马克斯。
单位
V
V
10
100
±100
A
A
nA
I
GES
表6 :在
符号
V
GE (日)
V
CE ( SAT )
参数
栅极阈值电压
集电极 - 发射极饱和
电压
测试条件
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250 A
V
GE
= 4.5 V,I
C
= 7A , TJ = 25°C
V
GE
= 4.5 V,I
C
= 7A , TJ = 125°C
分钟。
1.2
1.2
1.1
典型值。
马克斯。
2.4
1.6
单位
V
V
V
2/9
STGF7NB60SL
电气特性(续)
表7 :动态
符号
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
I
CL
TSCW
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
关断SOA最低
当前
短路承受时间
测试条件
V
CE
= 15 V
,
I
C
= 7 A
V
CE
= 25V , F = 1兆赫,V
GE
= 0
分钟。
典型值。
5
800
60
10
16
2.5
8.5
20
14
22
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
A
s
V
CE
= 480V ,我
C
= 7 A,
V
GE
= 5V
(参见图20)
V
钳
= 480 V
,
TJ = 125°C
R
G
= 1千欧,V
GE
=5V
V
ce
= 0.5 V
BR (CES)上
, V
GE
=5V,
TJ = 125°C ,R
G
= 1K
测试条件
V
CC
= 480 V,I
C
= 7 A R
G
=1K ,
V
GE
= 5 V
(参见图18)
V
CC
= 480 V,I
C
= 7 A R
G
=1K
V
GE
= 5 V , TJ = 125°C
测试条件
V
cc
= 480 V,I
C
= 7 A,
R
GE
= 1KΩ ,V
GE
= 5 V
(参见图18)
分钟。
分钟。
表8 :接通
符号
t
D(上)
t
r
( di / dt的)
on
E
on
符号
t
c
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
E
关闭
(**)
t
c
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
E
关闭
(**)
参数
导通延迟时间
电流上升时间
导通电流斜率
导通开关损耗
典型值。
1.1
0.25
45
2.7
马克斯。
单位
s
s
A / μs的
mJ
表9 :关闭
参数
交叉时间
关闭电压上升时间
延迟时间
电流下降时间
关断开关损耗
交叉时间
关闭电压上升时间
延迟时间
下降时间
关断开关损耗
V
cc
= 480 V,I
C
= 7 A,
R
GE
= 1KΩ ,V
GE
= 5 V
TJ = 125°C
(参见图18)
典型值。
2.7
1.6
5.2
1.1
4.1
4.4
2.4
6.4
1.7
7.1
马克斯。
单位
s
s
s
s
m
J
s
s
s
s
m
J
(** )关断损耗还包括集电极电流的尾部。
3/9
STGF7NB60SL
图3:输出特性
图6 :传输特性
图4:跨导
图7 :集电极 - 发射极电压上VS温
perature
图5 :集电极 - 发射极电压上VS同事
讲师电流
图8 :归集电极 - 发射极上
电压与温度
4/9
STGF7NB60SL
图9 :门Thereshold与温度
图12 :归击穿电压VS
温度
图10 :电容变化
图13 :栅极电荷VS栅极 - 射极电压
AGE
图11 :开关损耗VS总重门
sistance
图14 :开关损耗总VS Temper-
ATURE
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GF7NB60SL
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