【GF4953双P沟道增强型MOSFETCHEN ETTR NFEVDS–30VRDS （ ON）53】,IC型号GF4953,GF4953 PDF资料,GF4953经销商,ic,电子元器件-51电子网

GF4953

双P沟道增强型MOSFET

EN ET

R N

–30V

DS （ ON）

–4.9A

SO-8

0.197 (5.00)

0.189 (4.80)

ODU

尺寸以英寸

（毫米）

0.019 (0.48)

x 45

0.010 (0.25)

0.157 (3.99)

0.150 (3.81)

0.244 (6.20)

0.228 (5.79)

G1 S2

0.05 (1.27)

0.04 (1.02)

0.245 (6.22)

分钟。

0.009 (0.23)

0.007 (0.18)

0.165 (4.19)

0.155 (3.94)

0.050 (1.27)

0.020 (0.51)

0.013 (0.33)

0.069 (1.75)

0.053 (1.35)

0.009 (0.23)

0.004 (0.10)

0.035 (0.889)

0.025 (0.635)

– 8

0.050(1.27)

0.016 (0.41)

0.050 TYP 。

(1.27)

贴装焊盘布局

机械数据

案例：

SO- 8模压塑体

终端：

导致每MIL -STD-焊

750 ，方法2026

高温焊接保证：

250℃ / 10秒的终端

安装位置：

任何

重量：

0.5g

特点

先进的加工技术

用于超低高密度电池设计

导通电阻

专为低电压DC / DC

转换器

快速开关的高效率

最大额定值和热特性

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

= 150°C)

漏电流脉冲

最大功率耗散

(1)

= 25°C

= 70°C

= 25°C

= 70°C

符号

, T

英镑

θJA

= 25 ° C除非另有说明）

极限

–30

单位

– 4.9

– 3.9

– 30

2.0

1.3

-55到150

62.5

°C

° C / W

7/10/01

工作结存储温度范围

最大结至环境热阻

(1)

注意：

（ 1 ）表面安装在FR4板，T

≤

10秒。

GF4953

双P沟道增强型MOSFET

电气特性

参数

STATIC

漏源击穿电压

栅极阈值电压

门体漏

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

(1)

漏源导通电阻

(1)

正向跨导

(1)

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

源极 - 漏极二极管

二极管的最大正向电流

二极管的正向电压

注意：

（ 1 ）脉冲测试;脉冲宽度

≤

300

占空比

≤

= 25 ° C除非另有说明）

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

D（上）

DS （ ON）

= 0V时，我

= –250A

= V

, I

= –250A

= 0V, V

20V

= –30V, V

= 0V

= –30V, V

= 0V ，T

= 55°C

≥

–5V, V

= –10V

= -10V ，我

= –4.9A

= -4.5V ，我

= –3.6A

= -15V ，我

= –4.9A

–30

–1.0

–

–20

–

–3.0

100

–1.0

–25

–

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

= -15V ，我

= -4.9A ，V

= –5V

= –15V, V

= –10V

= –4.9A

–

3.0

4.0

9.0

5.0

860

180

120

–

= ± 15V ，R

= 15

≈

= 1A ，V

根

= –10V

= 6

= –15V, V

= 0V

F = 1.0MH

—

= -1.7A ，V

= 0V

–

0.8

–1.7

–1.2

关闭

90%

开关

测试电路

OUT

开关

波形

D（上）

D（关闭）

90 %

10%

倒

90%

输出，V

OUT

根

DUT

10%

50%

输入，V

10%

脉冲宽度

GF4953

双P沟道增强型MOSFET

收视率和

特性曲线

= 25 ° C除非另有说明）

图。 1 - 输出特性

= -- 10V

-- 6.0V

-- 5.0V

-- 7.0V

-- 4.0V

-- 3.5V

-- 4.5V

图。 2 - 传输特性

= -- 10V

25°C

--I

- 漏极 - 源极电流（A ）

- 漏电流（ A）

55°C

= 125°C

-- 3.0V

-- 2.5V

--V

- 漏极至源极电压（ V）

--V

- 栅极 - 源极电压（ V）

--V

GS （ TH）

- 栅极 - 源极阈值电压（ V）

图。 3 - 阈值电压

与温度的关系

2.2

= --250A

1.8

1.6

1.4

0.16

0.14

0.12

0.1

0.08

0.06

图。 4 - 导通电阻

与漏电流

DS （ ON）

- 导通电阻（ Ω ）

= --4.5V

--10V

0.04

0.02

1.2

100

125

150

- 结温（ ° C）

-- I

- 漏电流（ A）

图。 5 - 导通电阻

- 结温

DS （ ON）

- 导通电阻（标准化）

1.6

= --10V

= --4.9A

1.4

1.2

0.8

0.6

100

125

150

- 结温（ ° C）

GF4953

双P沟道增强型MOSFET

收视率和

特性曲线

= 25 ° C除非另有说明）

图。 6 - 导通电阻

与栅极 - 源极电压

0.2

= --4.9A

图。 7 - 栅极电荷

--V

- 栅极 - 源极电压（ V）

= --15V

= --4.9A

DS （ ON）

- 导通电阻（ Ω ）

0.16

0.12

0.08

= 125°C

0.04

25°C

--V

- 栅极 - 源极电压（ V）

- 栅极电荷（ NC）

图。 8 - 电容

1200

1000

F = 1MH

= 0V

100

图。 9 - 源极 - 漏极二极管

正向电压

= 0V

--I

- 源电流（ A）

国际空间站

- 电容（pF ）

800

600

= 125°C

25°C

400

OSS

200

0.1

--55°C

RSS

0.01

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

1.6

--V

- 漏极至源极电压（ V）

--V

- 源极到漏极电压（V ）

GF4953

双P沟道增强型MOSFET

收视率和

特性曲线

= 25 ° C除非另有说明）

图。 10 - 击穿电压 -

结温

= --250A

图。 11 - 热阻抗

D = 0.5

θJA

（范）

归热

阻抗

--BV

DSS

- 漏 - 源

击穿电压（ V）

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

1.占空比D = T

2. R

θJA

（吨） = R

θJA （标准）

θJA

3. R

θJA

= 82 ℃/ W（ 1 -中

2盎司铜。 FR-4）

4. T

- T

= P

* R

θJA

(t)

0.1

100

单脉冲

0.001

0.0001 0.001

0.01

--50

--25

100

125

150

- 结温（ ° C）

脉冲持续时间（秒）。

图。 12 - 功率与脉冲持续时间

单脉冲

θJA

= 82 ° C / W

= 25°C

100

图。 13 - 最高安全工作区

--I

漏电流（ A）

功率（W）的

DS （ ON）

极限

10s

0.1

= --10V

单脉冲

1 ，在

2盎司铜。

= 25°C

0.1

0.01

0.1

100

脉冲持续时间（秒）。

--V

漏源极电压（ V）

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