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GF2M303
新产品
威世半导体
双P沟道逻辑电平
增强型MOSFET
SOT-23-6L
0.122 (3.10)
0.114 (2.90)
V
DS
–20V
R
DS （ ON）
0.135
I
D
–2.3A
顶视图
0.118 (3.00)
0.106 (2.70)
0.067 (1.70)
0.059 (1.50)
引脚配置（顶视图）
0.020 (0.50)
0.010 (0.25)
0.037 (0.95)
0.075 (1.90)
尺寸以英寸
（毫米）
ON
ILLI CH
0 M
任GY
20
LL
T
LO
C
ê CHNO ET
T
ê恩
F
贴装焊盘布局
6
5
4
1
2
3
G
S
G
G
0.028 (0.7)
0.039
(1.07)
0.004 (0.10)
0.0005 (0.013)
0.039 (1.00)
0.036 (0.90)
0.008 (0.20)
0.004 (0.10)
0.094 (2.4)
10 °典型
0.037 (0.95)
REF 。
0.074 (1.9)
REF 。
机械数据
案例：
SOT- 23-6L封装
终端：
导致每MIL -STD- 750 ，
方法2026
标识代码：
M3
特点
先进的加工技术
用于超低导通电阻高密度电池设计
热门SOT- 23-6L封装与铜引线框架
卓越的热性能和电气性能
紧凑，薄型
-1.8V额定
最大额定值和热特性
(T
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
(2)
T
J
= 150°C
漏电流脉冲
(1)
最大功率耗散
(2)
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
R
θJA
A
= 25 ° C除非另有说明）
极限
–20
单位
V
±
8
– 2.3
– 1.8
–8
1.15
0.73
-55到150
110
A
W
°C
° C / W
工作结存储温度范围
结至环境热阻
(2)
注意：
（ 1 ）脉冲宽度有限的最高结温。
（ 2 ）表面安装在1英寸
2
2盎司铜印刷电路板（ FR-4材料）
文档编号74517
5-Dec-01
www.vishay.com
1
GF2M303
威世半导体
电气特性
(T
参数
STATIC
漏源击穿电压
击穿电压温度。系数
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
(1)
漏源导通电阻
(1)
正向跨导
(1)
动态
总栅极电荷
(1)
栅极 - 源电荷
(1)
栅极 - 漏极电荷
(1)
导通延迟时间
(1)
关OnRise时间
(1)
打开-O FF延迟时间
(1)
关OffFall时间
(1)
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
二极管的最大正向电流
最大脉冲二极管正向电流
(2)
二极管的正向电压
(1)
注意事项：
（ 1 ）脉冲测试;脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
（ 2 ）脉冲宽度有限的最高结温
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
I
S
I
SM
V
SD
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= –250A
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250A
V
GS
= ±8V, V
DS
=
±
0V
V
DS
= –16V, V
GS
= 0V
V
DS
= –16V, V
GS
= 0V ，T
J
= 85°C
V
DS
≥
–5V, V
GS
= –4.5V
V
GS
= -4.5V ，我
D
= –2.3A
V
GS
= -2.5V ，我
D
= –2.0A
V
GS
= -1.8V ，我
D
= –1.7A
V
DS
= -5V ，我
D
= –2.3A
民
–20
–
–0.45
–
–
–
–5
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
典型值
–
–8.8
–
–
–
–
–
109
146
205
5
5.1
1.0
1.2
7
45
162
116
343
77
58
–
–
–0.85
最大
–
–
–
单位
V
毫伏/°C的
V
nA
A
A
m
S
ΔBV
DSS
/T
J
参考至25℃ ，我
D
= -1mA
±
100
–1
–10
–
135
180
250
–
7.5
–
–
20
60
200
160
–
–
–
–1.3
–8
–1.1
V
DS
= –10V, V
GS
= –4.5V
I
D
= –2.3A
nC
V
DD
= -8V ，R
L
= 8
I
D
= 1A ，V
根
= –4.5V
R
G
= 6
V
DS
= –10V, V
GS
= 0V
F = 1.0MH
Z
ns
pF
T
A
= 25°C
—
V
GS
= 0V时，我
S
= –1.05A
–
–
–
A
A
V
开关
测试电路
V
IN
V
DD
开关
波形
R
D
t
D（上）
V
OUT
输出，V
OUT
t
on
t
r
90%
t
关闭
t
D（关闭）
t
f
90 %
10%
D
10%
V
根
R
G
G
DUT
90%
50%
50%
S
输入，V
IN
10%
倒
脉冲宽度
www.vishay.com
2
文档编号74517
5-Dec-01
GF2M303
威世半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图。 1 - 输出特性
8
8
V
GS
= -- 3.5V, -- 4.0V, -- 4.5V, -- 5.0V
-- 3.0V
6
-- 2.5V
-- 2.0V
图。 2 - 传输特性
V
DS
= -- 10V
--I
D
- 漏极 - 源极电流（A ）
--I
D
- 漏源电流（A ）
--
55°C
25°C
T
J
= 125°C
6
4
4
-- 1.5V
2
2
-- 1.0V
0
0
1
2
3
4
5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
--V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
--V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
--V
GS （ TH）
- 栅极 - 源极阈值电压（ V）
（归一化）
图。 3 - 阈值电压
与温度的关系
1.4
I
D
= --250A
1.2
0.8
图。 4 - 导通电阻
与漏电流
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.6
1
0.8
0.6
--1.8V
0.4
--2.5V
0.2
V
GS
= --4.5V
0.4
0.2
0
--
50
--
25
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
6
7
8
T
J
- 结温（ ° C）
-- I
D
- 漏电流（ A）
图。 5 - 导通电阻
- 结温
R
DS （ ON）
- 导通电阻（标准化）
1.6
0.6
图。 6 - 导通电阻
与栅极 - 源极电压
I
D
= -- 2.3A
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
V
GS
= --4.5V
I
D
= --2.3A
1.4
0.5
0.4
0.3
1.2
1
0.2
0.1
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
0.8
0.6
0
--
50
--
25
0
25
50
75
100
125
150
1
2
3
4
5
T
J
- 结温（ ° C）
文档编号74517
5-Dec-01
-- V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
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3
GF2M303
威世半导体
收视率和
特性曲线
(T
8
A
= 25 ° C除非另有说明）
图。 7 - 栅极电荷
600
V
DS
= --10A
I
D
= --2.3A
图。 8 - 电容
F = 1MH
Z
V
GS
= 0V
500
--V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
- 电容（pF ）
6
C
国际空间站
400
300
4
200
C
OSS
100
C
RSS
2
0
0
2
4
6
8
10
0
0
4
8
12
16
20
Q
G
- 栅极电荷（ NC）
-- V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
图。 9 - 源极 - 漏极二极管
正向电压
10
1
V
GS
= 0V
图。 10 - 热阻抗
D = 0.5
R
θJA
（范）
- 归热
阻抗
--I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 125°C
1
25°C
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
t
1
0.01
0.01
单脉冲
t
2
1.占空比D = T
1
/t
2
2. R
θJA
（吨） = R
θJA （标准）
*R
θJA
3. R
θJA
= 110 ° C / W
4. T
J
- T
A
= P
DM
* R
θJA
(t)
0.1
1
10
100
P
DM
—55°C
0.1
0.01
0.2
0.6
1
1.4
1.8
2.2
0.001
0.0001 0.001
0.01
-- V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
脉冲持续时间（秒）。
图。 11 - 功率与脉冲持续时间
120
100
单脉冲
R
θJA
= 110 ° C / W
T
A
= 25°C
100
图。 12 - 最高安全工作区
R
DS （ ON）
极限
80
--I
D
- 漏电流（ A）
10
10
0
s
功率（W）的
60
1
10
0m
1ms
s
10ms
1s
0.1
V
GS
= --10V
单脉冲
R
θJA
= 110 ° C / W
T
A
= 25°C
1
DC
10s
40
20
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
10
100
脉冲持续时间（秒）。
--V
DS
- 漏源电压（ V）
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5-Dec-01
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GHPW5V020MET003L
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GS8161Z36BGT-150I
GS881Z18BD-250IT
GS7005-CTT
GSOT08-HT3-GS08
G5131-46T14U
G5131-46-T14U
G696
GM6250-3.3ST89RG
GT7W-1.5DS
GP410
GAQW2V540MMT
GS880ZV36BT-300I
供货商
型号
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单价/备注
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    联系人：杨小姐
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    GF2M303
    -
    -
    -
    -
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