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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符G型号页 > 首字符G的型号第90页 > GF1M
GF1A通GF1M
威世半导体
原通用半导体
表面安装玻璃钝化整流
DO- 214BA （ GF1 ）
0.066 (1.68)
0.040 (1.02)
d*
NTE
吃
P
反向电压
50 1000V
正向电流
1.0A
贴装焊盘布局
0.066 MIN 。
（ 1.68 MIN 。 ）
0.094 MAX 。
（ 2.38 MAX 。 ）
尺寸以英寸（毫米）
0.187 (4.75)
0.167 (4.24)
0.015 (0.38)
0.0065 (0.17)
玻璃塑料封装技术所覆盖
专利号3996602 ，厚颜无耻，主角由专利汇编
第3930306处事的专利号5151846成形
0.052 MIN 。
（ 1.32 MIN 。 ）
0.220
（ 5.58 ） REF
0.118 (3.00)
0.100 (2.54)
0.108 (2.74)
0.098 (2.49)
特点
塑料包装了美国保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
适用于表面贴装汽车应用
高温冶金结合建设
腔的玻璃钝化结
能够满足环境标准
MIL-S-19500
内置应变消除易于取放
高温焊接保证：
450℃ / 10秒的终端。
265 ℃下完整的设备潜水温度
10秒钟焊料浴
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.006 （ 0.152 ） TYP 。
0.226 (5.74)
0.196 (4.98)
0.114 (2.90)
0.094 (2.39)
机械数据
案例：
JEDEC DO- 214BA ，模压塑料在玻璃体内
终端：
焊接镀，每MIL -STD -750焊接的，
方法2026
极性：
颜色频带端为负极
安装位置：
任何
重量：
0.0048盎司， 0.120克
最大额定值&热特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
参数
器件标识代码
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流在T
L
= 125°C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
典型热阻
(1)
工作结存储温度范围
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
R
θJA
R
θJL
T
J
,T
英镑
符号
GF1A GF1B GF1D GF1G GF1J GF1K GF1M单位
GA
50
35
50
GB
100
70
100
GD
200
140
200
GG
400
280
400
1.0
30
80
26
-65到+175
GJ
600
420
600
GK
800
560
800
GM
1000
700
1000
V
V
V
A
A
° C / W
°C
电气特性
(T
参数
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
在典型的反向恢复时间
I
F
= 0.5A ，我
R
= 1.0A ，我
rr
= 0.25 A
在4.0V ， 1MHz的典型结电容
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
GF1A GF1B GF1D GF1G GF1J GF1K GF1M单位
V
F
I
R
t
rr
C
J
1.10
5.0
50
3.0
15
1.20
V
A
s
pF
T
A
= 25°C
T
A
= 125°C
在1.0A最大正向电压
注意：
（ 1 ）从结点到环境的热阻结点到铅，PCB安装在0.2× 0.2 “ （ 5.0× 5.0毫米）铜焊盘区
文档编号88617
08-Jul-02
www.vishay.com
1
GF1A通GF1M
威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图。 1 - 正向电流降额曲线
30
图。 2 - 最大非重复性峰值
正向浪涌电流
峰值正向浪涌电流（ A）
T
J
= T
J
马克斯。
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
正向平均整流电流（ A）
60 H
Z
负载电阻或电感
25
1.0
20
15
10
5
0.5
P.C.B.安装在
0.2× 0.2" （ 5.0× 5.0毫米）
铜焊盘区
0
100
110
120
130
140
150
160
175
0
1
10
100
铅温度（ ℃）
周期数的AT 60 H
Z
图。 3 - 典型的瞬时
正向特性
I
F
- 正向电流（A ）
10
10
图。 4 - 典型的反向特性
I
R
- 瞬时反向
漏电流（mA ）
1
1
T
J
= 100
°
C
0.1
脉冲宽度= 300μS
1 ％占空比
T
J
= 25
°
C
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.1
T
J
= 25
°
C
0.01
0
20
40
60
80
100
0.01
0.4
正向电压（ V）
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
图。 5 - 典型结电容
30
图。 6 - 典型瞬态
热阻抗
100
10
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
PF - 结电容
T
J
= 25
°
C
F = 1.0 MH
Z
V
SIG
= 50mVp -P
安装在
0.2× 0.27" （ 5.0× 7.0毫米）
铜焊盘区
10
1
1
1
10
100
0.1
0.01
0.1
1
10
100
反向电压（ V）
www.vishay.com
2
吨 - 脉冲持续时间（秒）。
文档编号88617
08-Jul-02
GF1A通GF1M
表面安装玻璃钝化整流结
反向电压 -
50到1000伏特
D
*
DO-214BA
正向电流 -
1.0安培
特点
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
理想的表面贴装汽车应用
高温冶金结合建设
玻璃钝化内腔无结
能够满足环境标准
MIL-S-19500
内置应变消除
方便取放
高温焊接保证： 450 ℃/ 5秒
在终端
265 ℃下进行完整的设备潜水温度
10秒钟焊料浴
E
P
A
T
N
T
0.060 (1.52)
0.040 (1.02)
E
0.187 (4.75)
0.167 (4.24)
0.0105 (0.27)
0.0065 (0.17)
0.118 (3.00)
0.106 (2.69)
0.108 (2.74)
0.098 (2.49)
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.152
典型值。
0.006
0.226 (5.74)
0.196 (4.98)
0.114 (2.90)
0.094 (2.39)
专利号3996602 ，通过专利号3930306和铅钎焊引线装配
通过专利号5151846成形
*
玻璃塑料封装技术所覆盖
尺寸以英寸（毫米）
机械数据
案例：
JEDEC DO- 214BA模压塑料在玻璃体内
终端：
焊接镀，每MIL -STD -750焊接的，
方法2026
极性：
颜色频带端为负极
安装位置：
任何
重量：
0.0048盎司， 0.120克
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
符号
GF1A
GA
GF1B
GB
GF1D
GD
GF1G
GG
GF1J
GJ
GF1K
GK
GF1M
GM
单位
器件标识代码
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
在T
L
=125°C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
额定负荷（ JEDEC的方法）
在1.0A最大正向电压
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
典型的反向恢复时间
典型结电容
典型热阻
（注1 ）
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1.0
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
伏
伏
伏
AMP
I
FSM
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θJA
R
θJL
T
J
, T
英镑
30.0
1.10
5.0
50.0
2.0
15.0
80.0
26.0
-65到+175
1.20
安培
伏
A
s
pF
° C / W
°C
T
A
=25°C
T
A
=125°C
（注2 ）
（注3）
工作结存储温度范围
注意事项：
（ 1 ）反向恢复测试条件：我
F
= 0.5A ，我
R
= 1.0A ，我
rr
=0.25A
（ 2 ）测得1.0 MHz和应用V
R
= 4.0伏特
结（ 3 ）到环境的热阻和交界处领导
P.C.B.安装在0.2× 0.2 “ （ 5.0× 5.0毫米）铜焊盘区
4/98
额定值和特性曲线GF1A THRU GF1M
图。 1 - 正向电流降额曲线
正向平均整流电流，
安培
60 H
Z
电阻或
感性负载
P.C.B.安装在
0.2× 0.2 “ （ 5.0× 5.0毫米）
铜焊盘区
图。 2 - 最大非重复峰值
正向浪涌电流
30
峰值正向浪涌电流，
安培
1.0
25
20
15
10
5.0
0
T
J
=T
J
马克斯。
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
0.5
0
100
110
120
130
140
150
160
175
焊接温度， ℃，
1
10
周期数的AT 60 H
Z
100
图。 3 - 典型瞬时
正向特性
瞬时反向电流，
微安
图。 4 - 典型的反向特性
10
瞬时正向电流，
安培
10
T
J
=25°C
脉冲宽度= 300μS
1 ％占空比
1
T
J
=100°C
1
0.1
0.1
T
J
=25°C
0.01
0
20
40
60
80
100
百分比额定峰值反向
电压％
0.01
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
正向电压，
伏
图。 5 - 典型结电容
T
J
=25°C
F = 1.0 MH
Z
Vsig=50mVp-p
图。 6 - 典型的瞬态热阻抗
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
30
结电容， pF的
100
安装在0.20 X 0.27 “ （ 5× 7毫米）
铜焊盘区
10
10
1
1
1
10
反向电压，伏
100
0.1
0.01
0.1
1
T，脉冲持续时间，秒
10
100
GF1A通GF1M
表面安装普通整流
反向电压 - 50至1000 V
正向电流 - 1
特点
塑料包装进行UL阻燃
分类科幻阳离子94V- 0
对于表面安装应用程序
低反向漏
·内置应变救灾，非常适于自动贴片
·高正向浪涌电流能力
机械数据
案例：
SMA （ DO- 214AC ）模压塑体
终端：
焊接镀，每MIL -STD -750焊接的，
方法2026
极性：
颜色频带端为负极
安装位置：
任何
最大额定值和电气特性
25评分
O
C环境温度，除非另有规定。单相半波60赫兹，电阻或
感性负载，容性20％负载电流降额。
参数
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流在T
L
=110
O
C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
GF1A
50
35
50
GF1B
100
70
100
GF1D
200
140
200
GF1G
400
280
400
GF1J
600
420
600
GF1K
800
560
800
GF1M
1000
700
1000
单位
V
V
V
A
A
V
A
pF
O
I
（AV）
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
θJA
T
J
, T
英镑
1
30
1.1
5
50
15
75
- 65 + 175
最大正向电压在1
最大DC反向电流在额定
阻断电压DC
1)
T
A
= 25
O
C
T
A
= 100
O
C
典型结电容
典型热阻
2)
C / W
O
工作结存储温度范围
1)
2)
C
测得1 MHz和应用的4 V.反向电压
印刷电路板安装有0.2× 0.2" （5× 5mm）的铜焊盘的区域。
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 14/04/2008
GF1A通GF1M
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 14/04/2008
GF1A通GF1M
威世半导体
原通用半导体
表面安装玻璃钝化整流
DO- 214BA （ GF1 ）
0.066 (1.68)
0.040 (1.02)
d*
NTE
吃
P
反向电压
50 1000V
正向电流
1.0A
贴装焊盘布局
0.066 MIN 。
（ 1.68 MIN 。 ）
0.094 MAX 。
（ 2.38 MAX 。 ）
尺寸以英寸（毫米）
0.187 (4.75)
0.167 (4.24)
0.015 (0.38)
0.0065 (0.17)
玻璃塑料封装技术所覆盖
专利号3996602 ，厚颜无耻，主角由专利汇编
第3930306处事的专利号5151846成形
0.052 MIN 。
（ 1.32 MIN 。 ）
0.220
（ 5.58 ） REF
0.118 (3.00)
0.100 (2.54)
0.108 (2.74)
0.098 (2.49)
特点
塑料包装了美国保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
适用于表面贴装汽车应用
高温冶金结合建设
腔的玻璃钝化结
能够满足环境标准
MIL-S-19500
内置应变消除易于取放
高温焊接保证：
450℃ / 10秒的终端。
265 ℃下完整的设备潜水温度
10秒钟焊料浴
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.006 （ 0.152 ） TYP 。
0.226 (5.74)
0.196 (4.98)
0.114 (2.90)
0.094 (2.39)
机械数据
案例：
JEDEC DO- 214BA ，模压塑料在玻璃体内
终端：
焊接镀，每MIL -STD -750焊接的，
方法2026
极性：
颜色频带端为负极
安装位置：
任何
重量：
0.0048盎司， 0.120克
最大额定值&热特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
参数
器件标识代码
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流在T
L
= 125°C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
典型热阻
(1)
工作结存储温度范围
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
R
θJA
R
θJL
T
J
,T
英镑
符号
GF1A GF1B GF1D GF1G GF1J GF1K GF1M单位
GA
50
35
50
GB
100
70
100
GD
200
140
200
GG
400
280
400
1.0
30
80
26
-65到+175
GJ
600
420
600
GK
800
560
800
GM
1000
700
1000
V
V
V
A
A
° C / W
°C
电气特性
(T
参数
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
在典型的反向恢复时间
I
F
= 0.5A ，我
R
= 1.0A ，我
rr
= 0.25 A
在4.0V ， 1MHz的典型结电容
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
GF1A GF1B GF1D GF1G GF1J GF1K GF1M单位
V
F
I
R
t
rr
C
J
1.10
5.0
50
3.0
15
1.20
V
A
s
pF
T
A
= 25°C
T
A
= 125°C
在1.0A最大正向电压
注意：
（ 1 ）从结点到环境的热阻结点到铅，PCB安装在0.2× 0.2 “ （ 5.0× 5.0毫米）铜焊盘区
文档编号88617
08-Jul-02
www.vishay.com
1
GF1A通GF1M
威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图。 1 - 正向电流降额曲线
30
图。 2 - 最大非重复性峰值
正向浪涌电流
峰值正向浪涌电流（ A）
T
J
= T
J
马克斯。
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
正向平均整流电流（ A）
60 H
Z
负载电阻或电感
25
1.0
20
15
10
5
0.5
P.C.B.安装在
0.2× 0.2" （ 5.0× 5.0毫米）
铜焊盘区
0
100
110
120
130
140
150
160
175
0
1
10
100
铅温度（ ℃）
周期数的AT 60 H
Z
图。 3 - 典型的瞬时
正向特性
I
F
- 正向电流（A ）
10
10
图。 4 - 典型的反向特性
I
R
- 瞬时反向
漏电流（mA ）
1
1
T
J
= 100
°
C
0.1
脉冲宽度= 300μS
1 ％占空比
T
J
= 25
°
C
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.1
T
J
= 25
°
C
0.01
0
20
40
60
80
100
0.01
0.4
正向电压（ V）
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
图。 5 - 典型结电容
30
图。 6 - 典型瞬态
热阻抗
100
10
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
PF - 结电容
T
J
= 25
°
C
F = 1.0 MH
Z
V
SIG
= 50mVp -P
安装在
0.2× 0.27" （ 5.0× 7.0毫米）
铜焊盘区
10
1
1
1
10
100
0.1
0.01
0.1
1
10
100
反向电压（ V）
www.vishay.com
2
吨 - 脉冲持续时间（秒）。
文档编号88617
08-Jul-02
GF1A通GF1M
威世通用半导体
表面安装玻璃钝化整流
特点
Superectifier结构，高可靠性的条件
适合自动放置
SUPERECTIFIER
低正向压降
低漏电流
高正向浪涌能力
符合环保标准MIL -S- 19500
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020的LF最大峰值
250 °C
AEC- Q101标准
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
DO- 214BA （ GF1 ）
典型应用
对于通用整流电源的使用，
逆变器，转换器和续流二极管的消费，
汽车和电信。
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
I
R
T
J
马克斯。
1.0 A
50 V到1000 V.
30 A
1.1 V, 1.2 V
5.0 μA
175 °C
机械数据
案例：
DO- 214BA ，模塑环氧树脂在玻璃体内
塑封料符合UL 94 V - 0阻燃等级
底座P / N - E3 - 符合RoHS标准，商用级
底座P / NHE3 - 符合RoHS标准，符合AEC - Q101标准
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD 22 - B102
E3后缀符合JESD 201级1A晶须测试， HE3后缀
符合JESD 201级2晶须测试
极性：
颜色频带端为负极
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
器件标识代码
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流在T
L
= 125 °C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
工作结存储温度范围
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
T
J
, T
英镑
符号
GF1A
GA
50
35
50
GF1B
GB
100
70
100
GF1D
GD
200
140
200
GF1G
GG
400
280
400
1.0
30
- 65 + 175
GF1J
GJ
600
420
600
GF1K
GK
800
560
800
GF1M
GM
1000
700
1000
V
V
V
A
A
°C
单位
文档编号： 88617
修订： 15 -MAR- 11
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GF1A通GF1M
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大瞬时
正向电压
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
典型的反向恢复时间
典型结电容
测试条件
1.0 A
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A,
I
rr
= 0.25 A
4.0 V， 1 MHz的
符号
V
F
I
R
t
rr
C
J
GF1A
GF1B
GF1D
1.1
5.0
μA
50
2.0
15
μs
pF
GF1G
GF1J
GF1K
GF1M
单位
V
1.2
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
典型热阻
(1)
符号
R
θJA
R
θJL
GF1A
GF1B
GF1D
GF1G
80
° C / W
26
GF1J
GF1K
GF1M
单位
记
(1)
从结点到环境的热阻和交界处领导， PCB上安装0.2" X 0.2" （5.0毫米× 5.0毫米）铜焊盘区
订购信息
（例）
首选的P / N
GF1J-E3/67A
GF1J-E3/5CA
GF1JHE3/67A
(1)
GF1JHE3/5CA
(1)
记
(1)
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
单位重量（g ）
0.104
0.104
0.104
0.104
首选包装代码
67A
5CA
67A
5CA
基地数量
1500
6500
1500
6500
配送方式
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
1.25
30
60赫兹电阻或电感性负载
正向平均整流电流（ A）
峰值正向浪涌电流（ A）
T
J
= T
J
马克斯。
8.3ms单一正弦半波
25
1.00
20
0.75
15
0.50
10
0.25
P.C.B.安装在
0.2" X 0.2" （5.0毫米× 5.0毫米）
铜焊盘区
110
120
130
140
150
160
170
180
5
0
100
0
1
10
100
铅温度（ ℃）
循环次数在60赫兹
图。 1 - 正向电流降额曲线
图。 2 - 最大非重复性峰值正向浪涌电流
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2
GF1A通GF1M
威世通用半导体
10
30
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50毫伏
p-p
正向电流（A ）
1
结电容（pF ）
10
0.1
脉冲宽度= 300微秒
1 ％占空比
T
J
= 25 °C
0.01
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1
1
10
100
正向电压（ V）
反向电压（ V）
图。 3 - 典型的正向特性
图。 5 - 典型结电容
10
100
1
T
J
= 100 °C
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
瞬时反向漏
电流（ μA ）
10
0.1
1
安装在
0.2" X 0.27" （5.0毫米× 7.0毫米）
铜焊盘区
0.1
0.01
0.1
1
10
100
T
J
= 25 °C
0.01
0
20
40
60
80
100
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图。 4 - 典型的反向特性
图。 6 - 典型的瞬态热阻抗
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
DO- 214BA （ GF1 ）
阴极带
贴装焊盘布局
0.066 (1.68)
分钟。
0.076 (1.93)
马克斯。
0.066 (1.68)
0.040 (1.02)
0.187 (4.75)
0.167 (4.24)
0.015 (0.38)
0.0065 (0.17)
0.060 (1.52)
分钟。
0.118 (3.00)
0.100 (2.54)
0.108 (2.74)
0.098 (2.49)
0.220 (5.58)
REF 。
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.006 （ 0.152 ） TYP 。
0.226 (5.74)
0.196 (4.98)
0.114 (2.90)
0.094 (2.39)
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日前，Vishay
放弃
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可靠性，功能，设计或其他原因。
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“威世” ） ，包含在任何数据或任何其他的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
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间接或附带损失，及（iii）任何和所有的暗示担保，包括适销性和针对特定担保
目的，非侵权及适销性。
关于产品的某些类型的应用程序的适用性声明是基于典型的Vishay的知识
的要求，常常放置在日前，Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明
关于产品的适用于特殊应用。这是客户的责任，以验证一个特定的
产物用在产品说明书中描述的特性，适合于一个特定的应用。参数
数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异，而且性能可能随时间而变化。所有
工作参数，包括典型参数，必须为每个客户的应用受到了客户的验证
技术专家。产品规格不扩展或不以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，
包括但不限于本文所述的保修。
除非书面注明，否则Vishay产品不用于医疗，救生或维持生命的应用
应用程序或任何其他应用程序中的Vishay产品发生故障有可能导致人身伤害或死亡。
使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的应用中使用这样做在自己的风险，并同意
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引起或导致此类使用或销售，包括律师费方面，即使此类索赔称，赔偿金威世
或其分销商是疏忽就部分的设计或制造。请与Vishay授权人员
获得关于产品设计的此类应用程序的书面条款和条件。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本文档或
Vishay的任何行为。产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 11 -MAR- 11
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1
GF1A - GF1M
PRV ： 50 - 1000伏
IO： 1.0安培
产品特点：
*
*
*
*
*
*
玻璃钝化芯片
高电流能力
高可靠性
低反向电流
低正向压降
无铅/符合RoHS免费
玻璃钝化结
硅表面贴装
SMA （ DO- 214AC ）
1.1
±
0.3
5.0
±
0.15
4.5
±
0.15
1.2
±
0.2
2.6
±
0.15
2.1
±
0.2
0.2
±
0.07
2.0
±
0.2
机械数据：
*
*
*
*
*
*
案例： SMA模压塑料
环氧树脂： UL94V -O率阻燃
铅：铅形成了表面贴装
极性：颜色频带端为负极
安装位置：任意
重量： 0.067克
尺寸以毫米
最大额定值和电气特性
等级25
°
C环境温度，除非另有specifie 。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载
对于容性负载，减免电流20 ％
等级
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大平均正向电流TA = 75
°C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
在额定负荷（ JEDEC的方法）
最大正向电压在我
F
= 1.0安培。
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
TA = 25
°C
TA = 100
°C
符号
GF1A GF1B GF1D GF1G GF1J GF1K GF1M
单位
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
V
F
I
R
I
R（高）
TRR
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1.0
30
1.0
5.0
50
2.0
8
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
A
V
μA
μA
μs
pF
°C
°C
典型的反向恢复时间（注1 ）
典型结电容（注2 ）
结温范围
存储温度范围
注意事项：
C
J
T
J
T
英镑
- 65至+ 150
- 65至+ 150
（ 1 ）反向恢复测试条件：我
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A， IRR = 0.25 A.
（ 2 ）测得1.0 MHz和应用4.0 V反向电压
DC
第1页2
启示录03 ：二零零五年十月十四日
额定值和特性曲线（ GF1A - GF1M ）
图1 - 降额曲线输出
整流电流
平均正向输出
当前，安培
1.0
30
图2 - 最大非重复峰值
正向浪涌电流
峰值正向浪涌
当前，安培
TA = 25
°C
0.8
24
0.6
18
0.4
12
0.2
6
0 0
25
50
75
100
125
150
175
01
2
4
6
10
20
40
60
100
环境温度（
°
C)
循环次数在60Hz
图3 - 典型正向特性
反向电流微安
正向电流，安培
10
10
图4 - 典型的反向特性
TA = 100
°C
1.0
1.0
0.1
脉冲宽度= 300
μs
2 ％的占空比
TJ = 25
°C
0.1
TA = 25
°C
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0.01
0
20
40
60
80
100
120
140
正向电压，伏
百分比额定反向
电压， （ ％ ）
第2页2
启示录03 ：二零零五年十月十四日
1.0A表面贴装烧结
玻璃钝化整流
GF1A - GF1M
1.0A表面贴装烧结玻璃钝化整流
特点
薄型表面贴装封装
烧结玻璃钝化内腔无结
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
高温焊接： 260℃ / 10秒码头
符合RoHS
SMA
机械数据
案例：
终端：
极性：
重量：
JEDEC DO- 214AC模压塑料
焊接镀每MIL -STD- 750 ，方法2026
阴极端指出的色带
0.002盎司， 0.064克
最大额定值&电气特性
(T
环境
= 25°C除非另有说明）
符号
描述
最大重复峰值
反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均
整流电流
GF
1A
50
35
50
GF
1B
100
70
100
GF
1D
200
140
200
GF
1G
400
280
400
1.0
GF
1J
600
420
600
GF
1K
800
560
800
GF
1M
1000
700
1000
单位
V
V
V
A
8.3ms单半
正弦波
叠加
额定负荷（ JEDEC
法）
I
F
=1.0A
T
A
=25° C
A
T
A
=125° C
T
A
=150° C
pF
V
R
= 4V ， F = 1MHz的
条件
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
峰值正向浪涌电流
30
A
V
F
最大瞬时
正向电压
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
1.0
5.0
V
I
R
30
50
C
J
典型结电容
12
TAITRON零部件股份有限公司
www.taitroncomponents.com
联系电话： （ 800 ） -TAITRON
传真： （ 800 ） -TAITFAX
(800)-824-8766
(800)-824-8329
(661)-257-6060
(661)-257-6415
修订版D / AH 2008-01-17
第1页5
1.0表面贴装烧结玻璃钝化整流
GF1A - GF1M
符号
描述
GF
1A
GF
1B
GF
1D
GF
1G
75
典型热阻
C / W
27
工作结
存储温度范围
记
GF
1J
GF
1K
GF
1M
单位
条件
RTH
JA
RTH
JL
T
J,
T
英镑
-65到+175
°C
注意：
从结点到环境的热阻和结点，带领PCB安装在
0.2x0.2 “ （ 5.0 x5.0mm ）铜焊垫领域。
典型特性曲线
FIG.1-正向电流降额曲线
Fig.2-最大。非重复性峰值正向浪涌电流
I
AV
正向平均整流电流
(A)
I
FSM
峰值正向浪涌电流
(A)
焊接温度（
° C
)
循环次数在60Hz
修订版D / AH 2008-01-17
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页2的5
1.0表面贴装烧结玻璃钝化整流
GF1A - GF1M
Fig.3-典型的正向特性
瞬时反向漏电流
(A)
FIG.4-典型的反向特性
正向电流（A ）
正向电压（ V）
的峰值反向电压百分比（ ％ ）
Fig.5-结电容
C
J
结电容
(
pF的）
反向电压（ V）
修订版D / AH 2008-01-17
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第3 5
1.0表面贴装烧结玻璃钝化整流
GF1A - GF1M
英制尺寸（mm）
焊垫英寸（毫米）
SMA
修订版D / AH 2008-01-17
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第4 5
1.0表面贴装烧结玻璃钝化整流
GF1A - GF1M
如何联系我们：
美国总部
28040西哈里森PARKWAY ，瓦伦西亚，CA 91355-4162
联系电话： （ 800 ） TAITRON （ 800 ） 824-8766 （ 661 ） 257-6060
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TAITRON组件INCORPORATED REPRESENTAES DO BRASIL LTDA
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页5
数据表
1.0安培MEGARECTIFIERS
机械尺寸
GF1A 。 。 。 GF1M系列
描述
特点
n
高温的冶金
美云结合建设
n
烧结玻璃内腔无
连接点
n
CAPABILITY次会议
环境标准
的MIL -S- 19500
电气特性@ 25
o
C.
最大额定值
峰值重复反向电压... V
RRM
RMS反向电压... V
R（ RMS ）
DC阻断电压... V
DC
平均正向整流电流... I
F（ AV ）
非重复性峰值正向浪涌电流... I
FSM
8.3 mS, ½ Sine Wave Superimposed on Rated Load
正向电压@ 1.0A ... V
F
@额定正向电流
满载反向电流... I
R（ AV ）
全周期平均@ T
A
= 75°C
DC反向电流... I
R
@额定阻断电压DC
T
A
= 25°C
T
A
= 125°C
T
A
= 25°C
GF1A 。 。 。 GF1M系列
GF1A
50
35
50
GF1B
100
70
100
GF1D
200
140
200
GF1G
400
280
400
GF1J
600
420
600
GF1K
800
560
800
GF1M
1000
700
1000
单位
伏
伏
伏
安培
安培
伏
μAMPS
............................................. 1.0 ...............................................
............................................. 3 0 ...............................................
< ............................ 1.1
............................ > < ..... 1.2 .... >
............................................. 3 0 ...............................................
............................................. 5 ...............................................
............................................. 5 0 ...............................................
............................................. 1 5 ...............................................
............................................. 8 0 ...............................................
......................................... -65 175 ..... .....................................
μAMPS
μAMPS
pF
°C
/ W
°C
典型结电容... C
J
（注1 ）
典型热阻...
θJC
（注2 ）
工作&储存温度范围牛逼...
J
, T
STRG
第10-12页
数据表
1.0安培MEGARECTIFIERS
典型结电容
反向电压（伏）
不重复
峰值正向浪涌电流
正向电流降额曲线
安培
安培
循环次数@ 60 Hz的
典型的反向特性
铅温度（ ℃）
°
典型的正向特性
安培
安培
在收视率
25℃ 。 C环境
温度
除非另有
指定的。
单相半
波， 60赫兹
电阻或
感性负载。
额定峰值电压的百分比
注意事项：
1.测量@ 1 MHz和应用4.0V的反向电压。
2.热阻结到环境， 6.0毫米“铜
垫给每个终端。
伏
对于电容
负载，减免
电流20％ 。
10-13页
GF1A 。 。 。 GF1M系列
pF
GF1A-GF1M
GF1A - GF1M
特点
低正向压降。
高电流能力。
方便取放。
高浪涌电流能力。
SMA/DO-214AC
颜色频带为负极
通用整流器（玻璃钝化）
绝对最大额定值*
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
T
英镑
T
J
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
1A
最高重复反向电压
平均正向电流整流，
@ T
L
= 125°C
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单一正弦半波
存储温度范围
工作结温
50
1B
100
1D
200
价值
1G
400
1.0
30
-65到+175
-65到+175
1J
600
1K
800
1M
1000
单位
V
A
A
°C
°C
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
热特性
符号
P
D
R
θJA
R
θJL
功耗
热阻，结到环境*
热阻，结到铅*
参数
价值
1.8
80
26
单位
W
° C / W
° C / W
*
设备安装在PCB与0.2× 0.2" （ 5.0 ×5.0 MM）铜垫的地方。
电气特性
符号
V
F
t
rr
I
R
C
T
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
1A
正向电压@ 1.0
反向恢复时间
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
rr
= 0.25 A
反向电流@额定V
R
T
A
= 25°C
T
A
= 125°C
总电容
V
R
= 4.0 V，F = 1.0 MHz的
1B
设备
1D
1.0
2.0
5.0
50
15
1G
1J
1K
1M
1.2
单位
V
s
A
A
pF
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
GF1A - GF1M ，启摹
GF1A-GF1M
通用整流器（玻璃钝化）
（续）
典型特征
平均正向电流整流，我
F
[A]
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
50
75
100
125
铅温度（C）
150
175
电阻或
感性负载
P.C.B.安装
对0.2× 0.2"
（ 5.0 ×5.0 MM）
铜焊盘区
峰值正向浪涌电流，I
FSM
[A]
1.6
100
50
20
10
5
2
1
1
2
5
10
20
循环次数在60Hz
50
100
图1.正向电流降额曲线
图2.不重复浪涌电流
100
100
正向电流I
F
[A]
反向电流，I
R
[马]
10
10
T
A
= 125
C
1
T
A
= 75
C
1
0.1
0.1
T
A
= 25
C
脉冲宽度= 300μS
2 ％的占空比
0.01
T
A
= 25
C
0.01
0.4
0.6
0.8
1
1.2 1.4 1.6
正向电压，V
F
[V]
1.8
2
0.001
0
20
40
60
80
100 120 140
额定峰值反向电压（％）百分比
图3.正向电压特性
图4.反向电流与反向电压
100
50
总电容，C
T
[ pF的]
20
10
5
2
1
0.01
0.1
1
10
反向电压， V
R
[V]
100
图5.总电容
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
GF1A - GF1M ，启摹
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
快
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
* STAR POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
支持设备或系统，其故障执行能
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
可以合理预期造成的生命的失败
不履行时，按照正确使用
支持设备或系统，或影响其安全性或
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
H4牧师
产品speci fi cation
GF1A - GF1M
特点
低正向压降。
高电流能力。
方便取放。
高浪涌电流能力。
最大额定值和25电气特性
参数
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流，在T
L
=75
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
在1.0A最大正向电压
最大直流反向电流T
A
=25
额定阻断电压DC牛逼
A
=125
最大反向恢复时间（注1 ）T
J
=25
典型结电容（注2 ）
最大热阻（注3 ）R
JA
符号GF1A GF1B GF1D GF1G GF1J GF1K GF1M单位
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
I
FSM
V
F
I
R
T
RR
C
J
R
JA
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1.0
30.0
600
420
600
800
560
800
1000
700
100
A
A
1.2
V
A
s
pF
/W
V
1.0
5.0
50.0
2.0
12
30
-55到+150
工作和存储温度范围
T
J
,T
英镑
注意： 1.反向恢复测试条件：我
F
= 0.5A ，我
R
= 1.0A ，我
rr
=0.25A
2.测得1 MHz和应用虚拟现实= 4.0 V.
3. 8.0 mm
2
（ 0.013毫米厚）土地面积。
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