STGB19NC60KD
STGF19NC60KD - STGP19NC60KD
20 A - 600 V - 短路崎岖IGBT
特点
■
■
■
■
低导通压降（ V
CE （ SAT ）
)
低C
水库
/ C
IES
比（无交叉传导
易感性）
短路承受时间为10μs
1
3
2
3
1
IGBT共同封装的超快速随心所欲
二极管
TO-220
D
2
PAK
应用
3
■
■
高频逆变器
电机驱动器
1
2
TO-220FP
描述
这IGBT运用先进的PowerMESH
结果形成优良的权衡过程
在接通状态下的性能和低之间
行为。
图1 。
内部原理图
表1中。
设备简介
记号
GB19NC60KD
GF19NC60KD
GP19NC60KD
包
D
2
PAK
TO-220FP
TO-220
包装
磁带和卷轴
管
管
订购代码
STGB19NC60KDT4
STGF19NC60KD
STGP19NC60KD
2008年5月
REV 2
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17
目录
STGB19NC60KD - STGF19NC60KD - STGP19NC60KD
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 7
3
4
5
6
测试电路
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
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STGB19NC60KD - STGF19NC60KD - STGP19NC60KD
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
绝对最大额定值
价值
符号
参数
D
2
PAK
TO-220
V
CES
I
C(1)
I
C(1)
I
CL （2）
I
CP （3）
V
GE
I
F
I
FSM
P
合计
t
SCW
T
j
1.
单位
TO-220FP
集电极 - 发射极电压（V
GE
= 0)
集电极电流（连续）在T
C
= 25 °C
集电极电流（连续）在T
C
= 100 °C
关断电流闭锁
集电极电流脉冲
栅极 - 发射极电压
RMS二极管正向电流在T
C
= 25 °C
浪涌不重复正向电流T
p
= 10毫秒
正弦
总功耗在T
C
= 25 °C
短路承受时间，V
CE
= 0.5 V
（ BR ） CES
T
j
= 125 ° C，R
G
= 10
,
V
GE
= 12 V
工作结温
125
35
20
600
16
10
75
75
±20
20
50
32
10
- 55 150
V
A
A
A
A
V
A
A
W
s
°C
根据迭代式计算：
T
J
(
最大
)
–
T
c
I
c
(
T
c
)
= -------------------------------------------------------------------------------------
-
R
THJ
–
c
×
V
CE
(
SAT
) (
最大
)
(
T
c
,
I
c
)
2. V
钳
= 80%,(V
CES
), T
j
= 150℃ ，R
G
= 10
,
V
GE
= 15 V
3.脉冲宽度有限的最大值。结温允许
表3中。
热阻
价值
单位
TO-220FP
3.9
5.6
62.5
° C / W
° C / W
° C / W
符号
参数
D
2
PAK
TO-220
热阻结案件IGBT最大。
R
THJ情况
热阻结案件二极管最大。
0.95
3
R
THJ - AMB
热阻结到环境最大。
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电气特性
STGB19NC60KD - STGF19NC60KD - STGP19NC60KD
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
表4 。
符号
V
（ BR ） CES
STATIC
参数
测试条件
分钟。
600
2.0
1.8
150
1
4.5
6.5
±100
15
2.75
典型值。
MAX 。 UNIT
V
V
V
A
mA
V
nA
S
集电极 - 发射极击穿
I
C
= 1毫安
电压（V
GE
= 0)
集电极 - 发射极饱和
电压
集电极截止电流
(V
GE
= 0)
栅极阈值电压
栅射极漏泄
电流（V
CE
= 0)
正向跨导
V
GE
= 15 V，I
C
= 12 A
V
GE
= 15 V，I
C
= 12 A,
TC = 125°C
V
CE
= 600 V
V
CE
= 600 V ，T
C
= 125 °C
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250 A
V
GE
= ±20 V
V
CE
= 15 V
,
I
C
= 12 A
V
CE （ SAT ）
I
CES
V
GE （日）
I
GES
g
飞秒（1）
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
表5 。
符号
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
测试条件
分钟。
典型值。
1170
127
28
55
11
26
马克斯。
单位
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
CE
= 25 V ， F = 1MHz时，
V
GE
= 0
V
CE
= 480 V，I
C
= 12 A,
V
GE
= 15 V
（参见图19）
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STGB19NC60KD - STGF19NC60KD - STGP19NC60KD
电气特性
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
（ di / dt的）
on
t
D（上）
t
r
（ di / dt的）
on
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
开启/关闭（感性负载）
参数
导通延迟时间
电流上升时间
导通电流斜率
导通延迟时间
电流上升时间
导通电流斜率
关闭电压上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
关闭电压上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
测试条件
V
CC
= 480 V，I
C
= 12 A
,
R
G
= 10
V
GE
= 15 V,
（参见图18）
V
CC
= 480 V，I
C
= 12 A
,
R
G
= 10
V
GE
= 15 V,
T
c
= 125 °C
（参见图18）
V
CC
= 480 V，I
C
= 12 A
,
R
G
= 10
V
GE
= 15 V,
（参见图18）
V
cc
= 480 V，I
C
= 12 A,
,
R
G
= 10
V
GE
= 15 V
T
c
= 125 °C
（参见图18）
分钟。
典型值。
30
8
1450
30
8
1380
35
105
85
65
145
125
MAX 。 UNIT
ns
ns
A / μs的
ns
ns
A / μs的
ns
ns
ns
ns
ns
ns
表7中。
符号
宙
E
关（ 1）
E
ts
宙
E
关（ 1）
E
ts
开关能量（电感性负载）
参数
导通开关损耗
关断的开关损耗
总开关损耗
导通开关损耗
关断的开关损耗
总开关损耗
测试条件
V
CC
= 480 V，I
C
= 12 A
,
R
G
= 10
V
GE
= 15 V,
（参见图18）
V
CC
= 480 V，I
C
= 12 A
,
R
G
= 10
V
GE
= 15 V,
T
C
= 125 °C
（参见图18）
民
典型值。
165
255
420
250
445
695
最大
单位
J
J
J
J
J
J
1.关断损耗还包括集电极电流的尾部。
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