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公司
摹DB AS40
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颁发日期: 2005/12/20
修订日期:
表面贴装, SCHOTTKYBARRIERDIODE
该GDBAS40是专为高速开关应用,电路保护和电压钳位。
极低的正向电压降低传导损耗。微型表面贴装封装非常适合手
手持式和便携式应用中,空间是有限的。
描述
包装尺寸
REF 。
A
A1
A2
D
E
HE
毫米
分钟。
马克斯。
0.85
1.05
0
0.10
0.80
1.00
1.15
1.45
1.60
1.80
2.30
2.70
REF 。
L
b
c
Q1
毫米
分钟。
马克斯。
0.20
0.25
0.10
0.40
0.40
0.18
0.15 BSC 。
在T绝对最大额定值
A
= 25 :
参数
工作结温
储存温度
最大重复峰值反向电压
热阻结到环境空气
峰值正向浪涌电流在TP < 1.0S
最大正向平均整流电流
总功耗
符号
Tj
TSTG
V
RRM
R
JA
评级
-55 ~ +125
-55 ~ +150
40
445
0.6
0.2
225
单位
:
:
V
:
/W
A
A
mW
I
FSM
Io
PD
电气特性
(在T
A
= 25 :除非另有说明)
参数
反向击穿电压
正向电压( TP < 300US )
反向漏电流
总电容
反向恢复时间
符号
V
( BR )R
V
F
I
R
C
T
T
rr
分钟。
40
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
马克斯。
-
380
1000
200
5.0
5.0
单位
V
mV
nA
pF
ns
IR = 10 A
IF1=1mA
IF2=40mA
VR=30V
VR = 0V , F = 1MHz的
IF = IR = 10毫安,RL = 100, IRR = 1毫安
测试条件
GDBAS40
页次: 1/2
公司
特性曲线
颁发日期: 2005/12/20
修订日期:
重要通知:
保留所有权利。严禁复制全部或部分不GTM的事先书面批准。
GTM保留随时修改其产品,恕不另行通知。
GTM半导体产品不保证适合于生命支持应用程序或系统。
GTM自行提供客户产品设计,专利侵权,或申请援助的任何后果不承担任何责任。
总公司及工厂:
台湾:
17-1号大同路。傅口新竹工业园区,新竹,台湾, ROC
电话: 886-3-597-7061传真: 886-3-597-9220 , 597-0785
中国:
( 201203 ) 255号,长江财Lueng RD 。 ,浦勇鑫区尚海城,中国
电话: 86-21-5895-7671 4传真: 86-21-38950165
GDBAS40
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    GDBAS40
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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