GC4410 - GC4495
TM
控制设备 - 高压PIN二极管
符合RoHS
描述
在GC4400系列是高电压，高功率（阴极基） PIN二极管。这些
高阻硅器件的玻璃钝化高稳定性和可靠性
并已被证明由成千上万的设备小时高可靠性的系统。
每个器件可承受的储存温度为-65 ° C至+ 200 ° C和意志
从-55 ° C至+ 150°C工作在范围内。所有设备均达到或超过军事
环境规格MIL- PRF- 19500的。
在GC4400系列将与50毫安正向偏置通常工作。击穿
电压可高达750伏。对于高电压器件向厂家咨询。
主要特点
作为封装器件或
作为芯片的混合应用
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高功率处理
适于应用至18GHz
低损耗
低失真
符合RoHS
1
应用
的GC4400系列可以用在RF电路中作为开/关元件，如一个开关，或
作为衰减器的电流控制的电阻器延伸的频率范围内
从通过Ku波段UHF 。
开关应用包括高速交换机（ ECM系统） ， TR或凸角
开关，频道或天线选择开关（电信） ，双工器
（雷达）和数字移相器（相控阵） 。
的GC4400系列可以用在RF电路中作为开/关在中等射频功率
的水平。
衰减器类型的应用，包括幅度调制器，自动增益控制衰减器，功率
矫直机和电平衰减器设置。
1产品附带黄金完成并
适用于符合RoHS标准装配。请教
工厂的细节。
应用/优势
TR开关
天线选择开关
双工器
数字移相器
绝对最大额定值在25°
（除非另有规定编）
等级
漏泄电流80 ％
最小额定V
B
漏泄电流80 ％
最小额定V
B
工作温度
储存温度
GC441X
GC443X
GC449X
符号
I
R
I
R
T
OP
T
英镑
价值
0.5
1.0
-55到+150
-65到+200
单位
uA
uA
GC4410 - GC4495
C
C
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
www.Microsemi.com
H
规格如有变更，请向厂家咨询了解更多信息。
这些设备ESD敏感，必须使用防静电措施进行处理。
版权
2006
冯： 2009-02-03
Microsemi的
微波产品
75技术驱动，洛厄尔，MA 。 01851 ， 978-442-5600 ，传真： 978-937-3748
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GC4410 - GC4495
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控制设备 - 高压PIN二极管
符合RoHS
.
在25 ° C电气特性
型号
V
b
(V)
I
R
=10uA
（分钟）
GC4410
GC4411
GC4412
GC4413
3
1
C
j
（PF ）
V
R =
50V
（最大）
0.10
0.25
0.50
0.75
0.10
0.25
0.50
0.75
0.10
0.25
0.50
0.75
1.30
2.50
R
s 2
()
I
F
= 100毫安
F = 100 MHz的
（最大）
0.6
0.5
0.4
0.3
1.5
1.2
1.0
0.8
1.5
1.2
1.0
0.8
0.35
0.30
T
L
（美国）
I
R
= 6毫安
I
F
= 10毫安
（典型值）
0.4
0.6
0.8
1.2
0.6
1.2
1.5
2.0
1.0
2.0
3.0
5.0
6.0
7.5
P
（ ° C / W）
热
阻力
（最大）
2
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100
100
100
100
300
300
300
300
750
750
750
750
750
750
40
25
20
10
40
30
20
10
30
25
20
10
7
5
GC4430
GC4431
GC4432
GC4433
3
GC4490
GC4491
GC4492
GC4493
3
GC4494
GC4495
1.电容的测量是在1 MHz和-50伏。
2.耐采用采用30式的包传输损耗测量技术。
3.这些设备并非在所有情况下样式。请咨询工厂提供具体的封装形式。
设备的注意事项
表列规格上面是包装风格00二极管是
也可在各种打包的配置。有一些限制。
有关详细信息，请咨询厂家。
每种类型提供了折衷的串联电阻，结电容，载体
寿命和击穿电压;其中的适当选择取决于
最终应用。反接二极管（ NIP）和更快的速度和PIN
NIP二极管也可提供。 （见数据表GC4500 ， GC4200和
分别GC4300系列。 ）
E
LECTRICAL
E
LECTRICAL
版权
2006
冯： 2009-02-03
Microsemi的
微波产品
75技术驱动，洛厄尔，MA 。 01851 ， 978-442-5600 ，传真： 978-937-3748
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控制设备 - 高压PIN二极管
符合RoHS
RS VS IF （ GC4410 ， GC4413 ）
RS VS IF （ GC4430 ， GC4433 ）
www.Microsemi.com
RS VS IF （ GC4490 ， GC4493 ）
G
RAPHS
G
RAPHS
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控制设备 - 高压PIN二极管
符合RoHS
包装样式00
包装SYLE 30
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注意事项：
-
-
-
尺寸因机型而异号
咨询工厂详情
顺序GC44xx - 00
封装类型115
注意事项：
-
顺序GC44xx - 30
机械
机械
注意事项：
-
顺序GC44xx - 115
其他封装形式可根据要求提供
向厂家咨询
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TOC
控制设备
高压PIN二极管
描述
在GC4400系列是高电压，高功率（ cath-
颂歌基地） PIN二极管。这些高阻硅DE-
恶习钝化与二氧化硅的高稳定性
和可靠性，已被证明数千DE-的
副小时高可靠性的系统。
每个设备都可以承受的储存温度
在-65°至+ 200℃，将工作在从-55 °的范围内
至+ 150°C 。所有设备均达到或超过军事环境
精神规格MIL -S - 19500的。
在GC4400系列将与50毫安通常工作
正向偏压。击穿电压可高达
1000伏。
应用
的GC4400系列可以用在RF电路中作为开/关
元件，如一个开关，或者作为电流控制的电阻在
在频率范围从延伸的衰减器
UHF通过Ku波段。
开关应用包括高速交换机（ ECM
系统） ， TR或凸角交换机，通道或天线SE-
经文开关（电信） ，双工器（岭
达尔）和数字移相器（相控阵） 。
的GC4400系列可以用在RF电路中作为开/关
在中等射频功率电平。
衰减器类型的应用，包括幅度调制器，
AGC衰减器，功率矫直机和电平衰减器设置。
电气规格：吨
A
= 25°C
模型
数
击穿电压
(I
R
= 10
A（最大值） ）
V
B
（MIN） （伏）
连接点
电容
C
J
-50 （MAX）中
（PF ）
1
串联电阻
（ 100mA时100兆赫）
R
S100
（最大）
（欧姆）
2
载流子寿命
(I
R
= 6毫安，我
F
= 10毫安）
T
L
（典型值）
（ ηSec ）
热阻
（最大）
（ ° C / W）
GC4410
GC4411
GC4412
GC4413
100
100
100
100
300
300
300
300
1000
1000
1000
1000
1000
1000
0.10
0.25
0.50
0.75
0.10
0.25
0.50
0.75
0.10
0.25
0.50
0.75
1.3
2.5
0.6
0.5
0.4
0.3
1.5
1.2
1.0
0.8
1.5
1.2
1.0
0.8
.35
.3
.2
.5
.7
1.0
.5
1.0
1.5
2.0
1.0
2.0
3.0
5.0
6.0
7.5
40
25
20
10
40
30
20
10
30
25
20
10
7
5
!
GC4430
GC4431
GC4432
GC4433
!
GC4490
GC4491
GC4492
GC4493
!
GC4494
GC4495
注意事项：
1.电容的测量是在1 MHz和-50伏。
2.耐使用的传输损耗的技术测量。
3.这些设备并非在所有情况下样式。请咨询厂家。具体的封装形式提供。
表列规格以上是对案件的风格30 。
二极管，可以在不同的芯片配置。
每种类型提供了折衷的串联电阻，结
电容，载流子寿命和击穿电压;该
其中适当的选择取决于最终的应用。
反接二极管（ NIP）和更快的速度和PIN
NIP二极管也可提供。 （见数据表
分别为GC4500 ， GC4200 ， GC4300和系列。 ）
评级
最大漏电流： 0.5μA ，在80 ％最低
额定击穿
工作温度：
存储温度：
-55 ° C至+ 150°C
-65 ° C到+ 200℃
半导体操作
75 T
童占梅驱动器？洛厄尔， MA 01851 ？牛逼
EL ： 978-442-5600 ？传真： 978-937-3748
75
TOC
控制设备
高压PIN二极管
典型性能曲线
半导体操作
75 T
童占梅驱动器？洛厄尔， MA 01851 ？牛逼
EL ： 978-442-5600 ？传真： 978-937-3748
76
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