GC4310 - GC4375
TM
控制设备
高速NIP二极管
符合RoHS
描述
在GC4300系列高速（阳极基地）具有较高的制作NIP二极管
反向电阻率的外延硅材料。这些二极管是用钝化
二氧化硅为高稳定性和可靠性，并已被证明由
数千小时的设备高可靠性的系统。
该NIP二极管时使用的负偏置电流可用于前向
导通，并会以低至-10 mA的偏差。这些二极管具有
稍快的速度与同类PIN二极管相比。
这些设备能承受的贮存温度从-65℃到+ 200 ℃，并
将工作在范围从-55°C至+ 150°C 。所有设备均达到或超过
军事环境规格MIL- PRF- 19500的。
该系列二极管达到每欧盟RoHS指令的要求
2002/95 / EC 。标准的终端涂层是金，除非另有规定。
如果您有特殊要求请咨询厂家。
主要特点
作为封装器件或
作为芯片的混合应用
低损耗
适合于应用至18GHz
高速
低插入损耗
高隔离度
反向极性应用程序
特别注意事项偏置
符合RoHS
1
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应用
的GC4300系列可以用在RF电路中作为开/关元件，作为一个
开关，或作为衰减器的电流控制的电阻器上延伸的
频率范围，通过Ku波段UHF 。
开关应用包括高速交换机（ ECM系统） ， TR巫婆，
信道或天线选择开关（电信） ，双工器
（雷达）和数字移相器（相控阵） 。
的GC4300系列也被用作于无源和有源限制器低
适中的RF功率电平。
衰减器类型的应用，包括幅度调制器，自动增益控制衰减器，
电源矫直机和水平集衰减器。
应用/优势
射频/微波开关
双工器
数字式移
相控阵雷达
绝对最大额定值在25°
（除非另有规定编）
等级
最大漏电流
@ 80 ％的最低额定V
B
储存温度
工作温度
符号
I
R
T
英镑
T
OP
价值
0.5
-65到+200
-55到+150
单位
uA
GC4310 - GC4375
C
C
重要提示：
有关最新资料，请咨询我们的网站：
:
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规格如有变更，请向厂家咨询了解更多信息。
这些设备ESD敏感，必须使用防静电措施进行处理。
这些设备与黄金供应
镀金端子。
1
版权
2007
冯： 2009-02-02
Microsemi的
微波产品
第1页
75技术驱动，洛厄尔，MA 。 01851 ， 978-442-5600 ，传真： 978-937-3748
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高速NIP二极管
符合RoHS
.
器件电气参数@ 25C （除非另有说明）
E
型号
GC4371
GC4372
GC4373
GC4374
GC4375
GC4310
GC4311
GC4312
GC4313
GC4314
GC4315
GC4320
GC4321
GC4322
GC4323
GC4324
GC4325
1
I
R
=10μA
V
B
(V)
（分钟）
70
70
70
70
70
100
100
100
100
100
100
200
200
200
200
200
200
C
J
（PF ）
2
@V
R
=10V
R
S
()
3
@ 20毫安
I
R
=6mA/I
F
=10mA
T
L
（纳秒）
（典型值）
70
70
70
70
70
170
170
170
170
170
170
200
200
200
200
200
200
热
阻力
θ
（ ° C / W）
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（最大）
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.06
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.06
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
（最大）
0.9
0.7
0.6
0.5
0.4
1.5
1
0.9
0.8
0.6
0.4
1.5
1.2
1
0.9
0.8
0.5
（最大）
70
70
60
50
40
80
70
70
60
50
40
80
70
70
60
50
40
注意事项：
1.该系列器件采用的是标准的情况下样式00 ，提供30和35多种款式可根据要求提供。
2.电容的测量是在1兆赫。
3.电阻的测量是在使用传输损耗技术的1 GHz的。
指定的结电容是一个00 （芯片）封装样式。标准晶片的评价和
特征是使用一种风格30包完成。二极管是在许多情况下样式。每
类型提供了性能的权衡。包装样式的适当选择取决于最终应用和
操作环境。为协助向厂家咨询。标准极性（PIN）二极管和高电压
PIN和NIP二极管也可提供。 （见数据表GC4200 ， GC4400 ， GC4500和系列
分别）。
电动
电动
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高速NIP二极管
符合RoHS
典型的RS曲线
典型的RS曲线
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典型的RS曲线
图的
图的
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高速NIP二极管
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包装样式00
包装样式30
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尺寸因机型而异。有关详细信息，请咨询厂家。
包装样式35
封装类型115
机械
机械
50 OHM BOLT通道模块
其他封装形式可根据要求提供
向厂家咨询
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