GC4210 - GC4275
TM
控制设备 - 高速PIN二极管
符合RoHS
描述
在GC4200系列高速（阴极基） PIN二极管
具有高电阻率的外延硅材料制成。这些二极管
被钝化以二氧化硅为高稳定性和可靠性
并已被证明由成千上万的设备小时高
可靠性系统。
这些设备能承受的贮存温度从-65℃至
+ 200 ℃，并会在范围从-55°C至+ 150°C 。所有
器件满足或超越军事环境规范
MIL -PRF- 19500 。在GC4200系列将用尽可能少的操作
10毫安正向偏压。
该系列二极管达到每欧盟RoHS指令的要求
2002/95 / EC 。该标准的终端终点是黄金，除非另有
指定的。如果您有特殊要求请咨询厂家。
应用
2B
主要特点
作为封装器件或
作为芯片的混合应用
低损耗
适于应用至18GHz
高速
低插入损耗
高隔离度
符合RoHS
1
1
www.Microsemi.com
我们的大多数设备都提供有
镀金端子。其他终端
饰面可根据要求提供。请教
工厂的细节。
的GC4200系列可以用在RF电路中作为开/关元件，
作为一个开关或作为一个电流控制的电阻衰减器
上延伸穿过Ku波段的频率范围从超高频。
开关应用包括高速交换机（ ECM系统） ， TR
开关，频道或者天线选择开关
（电信） ，双工器（雷达）和数字移相器
（相控阵） 。
的GC4200系列也被用作无源和有源限制器
低到中等的RF功率电平。
衰减器类型的应用，包括幅度调制器， AGC
衰减器，功率矫直机和电平衰减器设置。
绝对最大额定值在25°
（除非另有规定编）
3B
应用/优势
射频/微波开关
双工器
数字式移
相控阵雷达
等级
最大漏电流
@ 80 ％的最低额定V
B
储存温度
工作温度
符号
I
R
T
英镑
T
OP
价值
0.5
-65到+200
-55到+150
单位
uA
GC4210-GC4275
GC4210-GC4275
C
C
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网站
:
www.Microsemi.com
HU
UH
规格如有变更，请向厂家咨询的最新信息。
这些设备ESD敏感，必须使用防静电措施来处理使用。
版权
2006
冯： 2009-02-19
Microsemi的
微波产品
75技术驱动，洛厄尔，MA 。 01851 ， 978-442-5600 ，传真： 978-937-3748
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GC4210 - GC4275
TM
控制设备 - 高速PIN二极管
符合RoHS
.
器件电气参数@ 25C （除非另有说明）
E
型号
GC4270
GC4271
GC4272
GC4273
GC4274
GC4275
GC4210
GC4211
GC4212
GC4213
GC4214
GC4215
GC4220
GC4221
GC4222
GC4223
GC4224
GC4225
1
I
R
=10μA
V
b
(V)
70
70
70
70
70
70
100
100
100
100
100
100
250
250
250
250
250
250
C
j
（PF ）
2
@V
R
=10V
R
s
()
3
@ 20毫安
I
R
=6mA/I
F
=10mA
T
L
（纳秒）
（典型值）
100
100
100
100
100
100
200
200
200
200
200
200
500
500
500
500
500
500
热
阻力
θ
（ ° C / W）
www.Microsemi.com
（分钟）
（最大）
0.06
0.10
0.20
0.30
0.40
0.50
0.06
0.10
0.20
0.30
0.40
0.50
0.06
0.10
0.20
0.30
0.40
0.50
（最大）
1.5
1.0
0.8
0.7
0.6
0.5
1.5
1.0
0.75
0.6
0.5
0.35
2.5
2.0
1.5
1.0
0.8
0.6
（最大）
80
70
70
60
50
40
80
70
70
60
50
40
80
70
70
60
50
40
注意事项：
1.该系列器件采用的是标准的情况下样式00 ，提供30和35多种款式可根据要求提供。
2.电容的测量是在1兆赫。
3.电阻的测量是在使用传输损耗技术的1 GHz的。
指定的结电容是一个00 （芯片）封装样式。标准晶片的评价和
特征是使用一种风格30包完成。二极管是在许多情况下样式。
每种类型提供了性能的权衡。包装样式的适当选择取决于端
应用程序和操作环境。为协助向厂家咨询。反接二极管
（ NIP）和较高电压引脚和NIP二极管也可提供。 （见数据表GC4300 ，
分别为GC4400 ， GC4500和系列。 ）
E
LECTRICALS
E
LECTRICALS
版权
2006
冯： 2009-02-19
Microsemi的
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控制设备 - 高速PIN二极管
符合RoHS
RS VS IF曲线
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典型
S
VS我
F
曲线
1000
GC4210系列
GC4220系列
100
R
S
()
10
GC4270系列
1
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
I
F
（MA ）
G
RAPHS
G
RAPHS
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控制设备 - 高速PIN二极管
符合RoHS
包装样式00
包装样式30
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尺寸因机型而异。有关详细信息，请咨询厂家。
包装样式35
封装类型115
机械
机械
50 OHM BOLT通道模块
其他封装形式可根据要求提供
向厂家咨询
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TOC
控制设备
高速PIN二极管
描述
在GC4200系列高速（阴极基） PIN二
具有高电阻率的外延硅材料制成的颂歌。
这些二极管钝化与二氧化硅高
的稳定性和可靠性，并已被证明由thou-
设备小时砂高可靠性的系统。
这些设备可以承受的储存温度
在-65°至+ 200℃，将工作在从-55 °的范围内
至+ 150°C 。所有设备均达到或超过军事环境
精神规格MIL -S - 19500的。在GC4200 SE-
里斯将经营用尽可能少的10毫安正向偏压。
应用
的GC4200系列可以用在RF电路中作为开/关
元件，如一个开关，或者作为电流控制的电阻
在整个频率范围内延伸的衰减器
UHF通过Ku波段。
开关应用包括高速交换机（ ECM
系统）， TR开关，频道或天线选择
交换机（电信） ，双工器（雷达）和
数字移相器（相控阵） 。
的GC4200系列也被用作无源和有源
限为低到中等的RF功率电平。
衰减器类型的应用，包括幅度调制
器，自动增益控制衰减器，功率矫直机和电平衰减设置
电气规格：吨
A
= 25°C
模型
数
击穿电压
(I
R
= 10μA MAX）
V
B
（MIN） （伏）
连接点
电容
C
J
-10 （MAX）中
（PF ）
1
串联电阻
（ 20mA时， 1千兆赫）
R
S20
（最大）
（欧姆）
2
载流子寿命
(I
4
= 6毫安， IF = 10毫安）
T
L
（典型值）
（纳秒）
热阻
（最大）
（ ° C / W）
GC4270
GC4271
GC4272
GC4273
GC4274
GC4275
GC4210
GC4211
GC4212
GC4213
GC4214
GC4215
GC4220
GC4221
GC4222
GC4223
GC4224
GC4225
70
70
70
70
70
70
100
100
100
100
100
100
250
250
250
250
250
250
0.06
0.10
0.20
0.30
0.40
0.50
0.06
0.10
0.20
0.30
0.40
0.50
0.06
0.10
0.20
0.30
0.40
0.50
1.5
1.0
0.8
0.7
0.6
0.5
1.5
1.0
0.75
0.6
0.5
0.35
2.5
2.0
1.5
1.0
0.8
0.6
60
60
60
60
60
60
100
100
100
100
100
100
400
400
400
400
400
400
80
70
70
60
50
40
80
70
70
60
50
40
80
70
70
60
50
40
注意事项：
1.电容的测量是在1 MHz和-10伏。
2.耐使用的传输损耗的技术测量。
3.该系列器件采用的是标准的情况下样式00 ， 15 ， 30 ， 35和85 ，以及根据客户要求提供样式。
上面的表格规格为30风格
封装。二极管也可以是在其他情况下，可
款式。
每种类型提供了折衷的串联电阻，结
电容和载流子寿命;的适当选择
这取决于最终应用。反极性
二极管（ NIP）和较高电压引脚和NIP二极管
也可提供。 （见数据表GC4300 ， GC4400 ，
和GC4500系列，分别）。
评级
最大漏电流： 0.5
A
在80 ％的最低的
额定击穿
工作温度：
存储温度：
-55 ° C至+ 150°C
-65 ° C到+ 200℃
半导体操作
75 T
童占梅驱动器？洛厄尔， MA 01851 ？牛逼
EL ： 978-442-5600 ？传真： 978-937-3748
71
TOC
控制设备
高速PIN二极管
典型性能曲线
R
s
串联电阻 - （欧姆）
100
GC4270
GC4271
GC4272
GC4273
GC4274
GC4275
10
1.0
.1
.01
.1
1.0
10.
I
F
正向偏置电流 - （ mA）的
100
半导体操作
75 T
童占梅驱动器？洛厄尔， MA 01851 ？牛逼
EL ： 978-442-5600 ？传真： 978-937-3748
72
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