GC1500A - GC1513
TM
控制设备
30伏突变结调谐变容二极管
符合RoHS
描述
在GC1500系列变容二极管是硅突变结器件。他们提供
最高的Q值和最低的串联电阻在30伏的硅可
变容二极管。
该系列二极管达到每欧盟RoHS指令的要求
2002/95 / EC 。该标准的终端终点是黄金，除非另有
指定的。如果您有特殊要求请咨询厂家。
主要特点
最Q
低R
s
选择大容量的
值的选择
低相位噪声
符合RoHS
1
1
www.Microsemi.com
最多的还是我们的设备与供应
镀金端子。其他
端子涂层可在
请求。有关详细信息，请咨询厂家。
应用
在GC1500系列变容二极管用于窄带宽适中
调优。他们可在适当的值，通过KU波段VHF
频率。这些设备最好在低相位噪声电压用
控制振荡器，低损耗电压可变的过滤器和移相器。
标准电容容差为± 10 ％ ，其他的电容值和
自定义的机械配置也可提供。显示所有规格
是基于风格的30包，其中包括0.18 pF的电容的情况下。
请参考本产品目录中可用的其他情形风格的封装外形部分。
完整的电气和机械的数据也被提供。
应用/优势
VHF到Ku波段调整
VVF （电压可变滤波器）
移相器
绝对最大额定值在25°
（除非另有规定编）
等级
最小击穿电压
@ 10微安
最大漏电流
@ 25伏特
工作温度
储存温度
电容温度系数
@ 4伏
符号
V
B
I
R
T
OP
T
英镑
T
CC
价值
30
0.02 @ 25 C
2.0 @125 C
-55到+125
-65到+150
300
单位
GC1500A - GC1513
V
uA
C
C
PPM /
C
重要提示：
对于最新的数据，请访问：
www.Microsemi.com
规格如有变更，请向厂家咨询了解更多信息。
这些设备ESD敏感，必须使用防静电措施来处理使用
版权
2006
冯： 2009-01-19
Microsemi的
微波产品
75技术驱动，洛厄尔，MA 。 01851 ， 978-442-5600 ，传真： 978-937-3748
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GC1500A - GC1513
TM
控制设备
30伏突变结调谐变容二极管
符合RoHS
电气特性@ ：25C
品质因数
3
电容比
2
C
T -4
（分钟）
（分钟）
+ / - 10%
型号
（注2 ）
www.Microsemi.com
@ -4V
（PF ）
GC1500A - 00
GC1500B
GC1500
GC1501
GC1502
GC1503
GC1504
GC1505
GC1506
GC1507
GC1508
GC1509
GC1510
GC1511
GC1512
GC1513
4
@ -4V ， 50兆赫
5000
4000
3900
3800
3800
3600
3500
3500
3300
3100
2700
2600
2600
2400
2200
2200
C
T0
/ C
T-30
4.2
3.0
3.3
3.4
3.4
3.5
3.5
3.7
3.7
3.8
3.9
3.9
4.0
4.0
4.0
4.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.5
1.8
2.2
2.7
3.3
3.9
4.7
5.6
6.8
8.2
10.0
笔记
1)
2)
3)
订购时，请指定所需的封装类型为后缀的型号。 （如GC1501 - 30 ）
电容值包括0.18 pF的封装电容。电容是在F = 1 MHz的措施。
Q由下式计算：
a.
Q=
1 / 2
FRS
4
Cj
4
4)
B 。
S
使用@使用的传输损耗技术的1 GHz的测量。
。电容的测量是在1 MHz的
GC1500A是只在芯片的形式提供。 （ GC1500A - 00 ）
E
LECTRICALS
E
LECTRICALS
版权
2006
冯： 2009-01-19
Microsemi的
微波产品
75技术驱动，洛厄尔，MA 。 01851 ， 978-442-5600 ，传真： 978-937-3748
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GC1500A - GC1513
TM
控制设备
30伏突变结调谐变容二极管
符合RoHS
典型CJ VS反向偏压
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其他封装形式可根据要求提供
咨询工厂详情
GC1500系列
风格00
样式30
MECH / ELEC
MECH / ELEC
版权
2006
冯： 2009-01-19
Microsemi的
微波产品
75技术驱动，洛厄尔，MA 。 01851 ， 978-442-5600 ，传真： 978-937-3748
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TOC
调谐变容二极管
30 VOLT突变结变容二极管
描述
在GC1500系列变容二极管是硅突变结
设备。它们提供了最高的Q值和低串联电阻
tance在一个30伏的硅变容二极管提供。
评级
最小击穿电压： 30 V时为10μA
最大漏电流为：
25 V和25℃
0.02 A
25 V和125℃
2.00 A
电容温度。系数： 300 PPM /°C的V
R
=-4V
工作温度：
存储温度：
-55 ° C至+ 150°C
-65 ° C到+ 200℃
应用
在GC1500系列变容二极管用于窄
适度的带宽调整。它们在val-可用
适当的UE通过KU波段VHF频率。
这些设备最好在低相位噪声电压用
控制振荡器，低损耗电压可变的过滤器
和移相器。
标准电容容差为± 10 ％，其他电容
tance值和自定义的机械配置
也可提供。显示所有规格均基于
风格30包，其中包括0.18 pF的电容的情况下。
查阅此目录以外的封装外形节
可用的情况下样式。完整的电气和的机械
校准数据也被提供。
典型结电容VS反向偏置
半导体操作
75 T
童占梅驱动器？洛厄尔， MA 01851 ？牛逼
EL ： 978-442-5600 ？传真： 978-937-3748
15
TOC
调谐变容二极管
30 VOLT突变结变容二极管
电气规格：吨
A
= 25°C
型号
1
GC1500A
4
GC1500B
GC1500
GC1501
GC1502
GC1503
GC1504
GC1505
GC1506
GC1507
GC1508
GC1509
GC1510
GC1511
GC1512
GC1513
注意事项：
1，订货时，通过增加其编号为后缀的型号指定所需的封装类型
.
有一些限制 - 咨询工厂的细节。
.
2.这些价值观包括0.18 P的封装电容
.
3.问由下式计算：Q =
2
1
总电容
2
（AT- 4V， 1兆赫）
克拉-4（ pF）的
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.5
1.8
2.2
2.7
3.3
3.9
4.7
5.6
6.8
8.2
10.0
品质因数
3
（AT- 4V， 50 MHz）的
C- 4 （MIN）
5000
4000
3900
3800
3800
3600
3500
3500
3300
3100
2700
2600
2600
2400
2200
2200
电容比
2
C
T0
/C
T30
（分钟）
4.2
3.0
3.3
3.4
3.4
3.5
3.5
3.7
3.7
3.8
3.9
3.9
4.0
4.0
4.0
4.2
π
fR
5
C
其中f = 50 MHz和
j
R
I
=串联电阻测量使用的传输损耗技术的1 GHz的。电容的测量是在1兆赫。
4. GC1500A只提供裸片形式。
半导体操作
75 T
童占梅驱动器？洛厄尔， MA 01851 ？牛逼
EL ： 978-442-5600 ？传真： 978-937-3748
16
QQ：2881677436 复制
