GBIT0803C
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路
亚利桑那州斯科茨代尔85252
联系电话： （ 480 ） 941-6300
传真： （ 480 ） 947-1503
THRU
GBIT0824C
TVSarray 系列
千兆以太网
应用
说明（500瓦特）的
这种瞬态电压抑制器（ TVS ）阵列封装
采用SO - 8配置提供保护2双向数据或
接口线。它被设计用于在应用中的保护
必须在免受瞬态电压的电路板级
静电放电（ ESD ），如IEC 1000-4-2规定，电
符合IEC 1000-4-4快速瞬变（ EFT）和辅助疗效
照明。
这些TVS阵列具有500瓦的峰值功率等级的
8 / 20μsec脉冲。该阵列适用于保护敏感电路组成的TTL ， CMOS
DRAM的， SRAM的， HCMOS ， HSIC微处理器，
千兆（ 1000Mbs /秒）
收发器芯片组。该
GBIT08XXC产品提供静电等引起的电压浪涌电路板级保护
这可能会损坏或不妨碍数据传输速度打乱敏感电路。
特点
保护长达2双向线路
浪涌保护符合IEC 1000-4-2 ， IEC 1000-4-4
专为IEEE 802.3ab标准的千兆以太网保护
提供电隔离保护
SO- 8封装
每个线对超低电容5 pF的
超低漏电
机械
成型SO- 8表面贴装
标志：标志，设备编号，日期代码
针＃1点定义在封装顶部
最大额定值
工作温度： -55 ℃ + 150℃
存储温度： -55
0
C至+150
0
C
峰值脉冲功率： 500瓦（ 8/20
微秒，
图1）
脉冲重复率： <.01 ％
0
0
包装
磁带&卷轴EIA标准481-1 -A
13英寸卷筒2500件（可选）
运营商管95颗每（ STANDARD ）
每行@ 25电气特性
0
C除非另有说明
站
关闭
电压
V
WM
伏
最大
GBIT0803C
GBIT0805C
GBIT0812C
GBIT0815C
GBIT0818C
GBIT0824C
U3C
U5C
U12C
U15C
U18C
U24C
3.3
5.0
12.0
15.0
18.0
24.0
击穿
电压
V
BR
@ 1毫安
伏
民
4
6.0
13.3
16.7
20.0
26.7
夹紧
电压
V
C
@ 1安培
（图2）
伏
最大
7
9
19
24
32
43
夹紧
电压
V
C
@ 5安培
（图2）
伏
最大
9
11
24
30
41
55
泄漏
当前
I
D
@ V
WM
A
最大
200
100
1
1
1
1
电容
中（f = 1 MHz）的
@0V
C
pF
典型值
5
5
5
5
5
5
温度
系数
V的
BR
á
VBR
毫伏/°C的
最大
-5
3
10
13
22
30
部分
数
设备
记号
注意：
基于其关断电压V TVS产品通常选择
WM
。产品选择的电压应
等于或大于该电路的连续峰值工作电压进行保护。
应用：
该GBIT08XXC产品是专为ESD敏感的瞬态电压抑制保护
组件在董事会层面。它是将用于保护的I / O收发器的理想产品。
MSC1064.PDF
ISO 9001认证
C版本99年8月24日
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